四取代酞菁化合物的合成和光谱性质

以3(4)-硝基邻苯二腈为起始原料经过两步反应合成了α(β)-四苯氧基酞菁.通过谱学方法和元素分析表征了其结构,研究了中心离子和取代基位置对酞菁吸收波长、发射波长和荧光强度的影响.结果表明,取代位置对最大吸收波长、最大发射波长和荧光强度的影响较大,而中心离子对荧光强度的影响较大,可降低荧光强度甚至淬灭荧光.     

新型可溶性酞菁的合成和光致发光及电致发光性质

以3(4)-硝基邻苯二腈和对甲氧基苯酚为原料, 经过两步反应合成了α(β)-四(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌, 通过谱学方法和元素分析表征了其结构. 比较研究其溶液和旋涂膜的紫外可见光谱、光致发光光谱和固体薄片的光致发光光谱. 并以其旋涂膜为发光层制备了电致发光器件, 研究其电致发光性质. 结果表明, 固态酞菁材料与其溶液的荧光发射波长相比均向长波方向移动了145 nm以上, 而且都有不同程度的宽展. 在固态下β-位取代酞菁荧光发射波长红移的程度比α-位取代酞菁大. 电致发光光谱的发射波长和其旋涂膜的光致发光光谱的发射波长基本一致, 大约在856和862 nm左右. 在固态下酞菁分子排列紧密, 分子间相互作用增强导致了荧光发射波长的巨大红移.     

用椭圆偏振光谱法研究取代基对酞菁薄膜光学常数的影响

利用M-2000UI型宽光谱可变入射角椭偏仪研究十六氟铜酞菁(F16CuPc)和铜酞菁(CuPc)薄膜的光学性质. 在248～1 650 nm使用逐点拟合的方法对测得椭偏光谱进行分析, 获得两种薄膜的折射率、消光系数、复介电常数和吸收系数. 讨论了外环氟取代基对酞菁光学性质的影响, 结果表明, 共轭酞菁大环上的外围取代基对薄膜的响应波长和非正常色散影响较大. 分析了两种酞菁的电子结构及吸收谱成因, 并由吸收边外推得到两种材料的光学禁带宽度(Eg).     

α(β)-四取代苯氧基酞菁的合成、表征和光谱性质

以3-硝基邻苯二腈和4-硝基邻苯二腈为原料分别合成了α(β)-四苯氧基酞菁锌,通过红外光谱和紫外可见光谱表征了其结构,并讨论了取代基的位置对酞菁紫外可见光谱和荧光光谱的影响.     

一种新方法合成吡嗪甲酸根合铜(Ⅱ)配合物

文章介绍了一种合成二水吡嗪甲酸合铜配合物[Cu(CPY)_2(H_2O)_2](CPY=吡嗪-2-甲酸根)的新方法,用吡嗪二甲酸为起始原料与二水乙酸合铜反应得到二水吡嗪甲酸合铜配合物,合成了以吡嗪-2-甲酸根为配体的单核铜(II)配合物[Cu(CPY)_2(H_2O)_2].对该配合物进行了元素分析表征,并对其进行了X-射线单晶结构测定.该单晶属于单斜晶系,空间群为P 2(1)/c,其晶胞参数为α=5.4447(11)(A)、alpha=90 deg;b=10.894(2)(A)、beta=98.23(3)deg、c=10.386(2)(A);gamma=90 deg,Volume=609.7(2)(A)3.     

多孔材料的研究进展

描述了多孔材料及其合成方法，并对多孔材料在催化、吸附和光学等方面的应用前景做了评述，对其将来的研究重点和发展趋势做了展望。     

铒酞菁的合成及光学性质研究

使用溶剂热法合成了三种具有不同分子对称性的三明治结构的铒酞菁,并用时间飞行质谱、元素分析、紫外-可见-近红外吸收谱和近红外光致发光谱对它们的结构和近红外光谱特性进行了表征.在酞菁铒[Er(Pc)2]的吸收谱中,可以明显看到其中位于318 nm附近的吸收带为B带,对应着酞菁配体的π-π*电子跃迁,位于667nm附近的吸收带为Q带,也对应着酞菁配体的π-π*电子跃迁,1528 nm附近有一个强度非常弱的吸收,对应着三价铒离子4I15/2-4I13/2跃迁的吸收.在二笨甲酰基甲烷酞菁铒[Er(Pc)(DBM)]的吸收谱中,与Er(Pc)2的吸收谱类似,只是Q带红移了11nm,达到672nm,B带红移了24nm,达到342nm.值得注意的是:随着配合物分子结构不对称性的增加1530nm附近的发射增强.这被认为是由于三价铒离子所处的配体场的不对称性的增加导致原本宁称禁阻的4f-4f跃迁几率增加,从而使1530nm附近发射增强.1530nm处的发光对应着三价铒离子4I15/2-4I13/2跃迁.     

Near-infrared electroluminescent diodes based on copper hexadecafluorophthalocyanine CuPcF16

We demonstrate the near-infrared （NIR） organic light-emitting devices （OLEDs） based on copper hexade-cafluorophthalocyanine （CuPcF16） doped into 2,2,2”-（1,3,5-benzenetriyl）tris-[1-phenyl-1H-benzimidazole] （TPBI）. The device structure is ITO/ NPB/ TPBI：CuPcF16/BCP/Alq3/Al. Room-temperature electro- luminescence is observed at about 1106 nm due to transitions from the first excited triplet state to the ground state （T1-S0） of CuPcF16. The result indicates that FSrster and Dexter energy transfers play a minor role in these devices, while the direct charge trapping is the dominant mechanism. The absorption spectra of CuPeF16 solution in pyridine and vacuum sublimed films on quartz have also been investigated.