利用~3He中子监测仪对中子管产额进行实验监测

以自主研制的ZFD-1型中子发生器为例,研究了在不同加速高压下D-D型中子管中子的轴向分布情况,以及影响3He中子监测仪探测性能的一些主要因素.根据所得实验数据拟合图线,可对中子管产生中子的轴向分布进行标定.     

1.3μm InGaAsP DCC结构半导体激光器的远场分布

采用强耦合方法，计算了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＣＣ双源五层平面波导结构半导体激光器的远场分布，得到了薄夹层厚度与空间发散角的依赖关系．理论计算与实验结果进行了对比，二者具有很好的一致性．分析了ＤＣＣ结构半导体激光器第一有源区的激励作用和第二有源区Ｆ－Ｐ腔标准具的选模作用及双有源区对空间发散角的影响．     

钛靶膜厚度对中子管性能的影响

采用热蒸发技术利用钼丝作为灯丝,将纯钛蒸发到陶瓷靶上,得到了钛靶,并研究了钛膜厚度对中子管产额等性能的影响.对3支靶膜厚度(0.8,2.2和6.1μm)的中子管进行了对比,发现钛膜厚度为2.2μm时,中子管的产额最高.同时比较了3支中子管的老练及稳定性.