Yb∶Y_3Al_5O_(12)/Y_3Al_5O_(12)复合晶体的制作和光谱性能

采用热键合技术,制作中运用不同的工艺参量制作出12片Yb∶Y3Al5O12/Y3Al5O12(Yb∶YAG/YAG)复合晶体。利用偏光显微镜对其键合界面进行了观察,研究了样品的透射光谱,从而确定出复合晶体合适的制作工艺。通过透射光谱的形状和透射率来表征复合晶体键合界面的质量。研究表明Yb∶YAG/YAG复合晶体键合质量较好,可实现一体化。     

温梯法生长的Ti:Al2O3晶体的光谱分析

本文研究了不同掺Ti^3＋浓度对温梯法生长的Ti：Al2O3晶体吸收光谱、荧光光谱和X射线衍射光谱的影响。根据吸收光谱提出了一个色心模型。对比了样品各处420nm荧光谱，发现掺Ti^3＋浓度越大，该处荧光强度越弱，同时解释了420肿处荧光峰的起源。对比了样品各处720nm处的荧光谱，发现掺Ti^3＋浓度越大，该处荧光强度越强。X射线衍射谱（XRD）表明，衍射峰强度随掺Ti^3＋浓度的增大而逐渐增强。     

痕量La杂质对CaF2晶体γ辐照诱导色心光谱特性的影响

氟化钙晶体的抗γ射线辐照性能是其在太空应用的关键性能之一。本文报道了痕量La杂质对氟化钙晶体γ辐照诱导色心的影响。主要采用吸收光谱、电子顺磁共振(EPR)等手段对辐照前后存在不同痕量La杂质的氟化钙晶体进行研究。结果表明,辐照后的氟化钙晶体产生多个色心吸收带,且吸收带的吸收系数随辐照剂量和La杂质浓度增加而增加。EPR证实这种吸收带的形成是由氟化钙晶体中F心引起的,而La³⁺的存在影响氟化钙晶体F心的稳定性和光谱位置,本文提出了La³⁺与氟化钙晶体中F心存在的可能机制。     

纯LaAlO3和Ce3+:LaAlO3单晶的吸收谱和透过谱研究

本文采用中频感应提拉法成功生长了LaAlO3和Ce3+:LaAlO3晶体.沿生长方向即α轴方向切割、抛光后得到实验样品.测试了氢气退火前后纯LaAlO3和Ce3+:LaAlO3从190nm到2500nm的吸收谱和透过谱.测试结果表明:纯LaAlO3晶体在196～220nm处出现宽带吸收,氢气退火后此一波段的吸收系数明显降低;未退火的Ce:LaAlO3晶体在196～209nm,246nm,314nm出现明显的吸收波段,氢气退火后其吸收谱发生显著变化,在198,206,214,246和314nm处出现对应于Ce3+的4f-5d的跃迁吸收;Ce:LaAlO3晶体较之纯LaAlO3晶体在红外区的透过率要高;氢气退火后,Ce:LaAlO3晶体和纯LaAlO3晶体在红外区的透过率下降.     

浅谈在深化医学教育改革中办好特色地方医学院校

伴随着传统生物医学模式向现代生物医学模式的转变,在高等医学教育的改革进程中,现代医学教育面临许多新的机遇和挑战,而地方医学院校作为,立足地方特色,服务基层百姓的基层院校,如何结合地方实际,创新现代医学教育理念,大胆实践医学教育,是一个具有现实意义的课题。     

云南独龙族7项不对称行为特征的研究

2006年9月调查了124例独龙族中学生的7项不对称行为特征（扣手、利手、叠臂、叠腿、利足、起步和优势眼）．研究结果显示：1）独龙族除起步外,其他6项不对称行为特征的出现率R型均高于L型;2）独龙族7项不对称行为特征的出现率均无性别间差异;3）独龙族与国内10个其他民族L型率的比较显示,独龙族与布依族、苗族有显著差异;4）分析了独龙族7项指标间的相关性,发现利手与起步、利手与利足、扣手与叠腿、利手与叠臂、叠腿与利足存在相关性,且R-R型组合（右型-右型）的出现率远高于L-L型组合（左型-左型）的出现率．     

树突状细胞在肿瘤免疫中作用的初步研究

树突状细胞(DC)是体内最重要的专职抗原呈递细胞,是连接天然免疫和获得免疫的桥梁.cDC由于其强大的提呈抗原的能力在肿瘤免疫中发挥重要的作用.利用CD11c-DTR小鼠,检测了cDC清除(ConventionalDendritic cell)对肿瘤生长的影响,分析了cDC敲除后荷瘤小鼠肿瘤微环境的改变.结果表明,cDC减少后Treg的浸润增多.即cDC对肿瘤微环境中的Treg有抑制作用.同时,cDC清除后CD4+和CD8+T细胞抗肿瘤的Th1反应降低.我们的工作加深了对于树突状细胞在肿瘤免疫作用中的理解.     

Yb:Y3Al5O12/Y3Al5O12复合晶体的制作和光谱性能

采用热键合技术,制作中运用不同的工艺参量制作出12片Yb:Y3Al5O12/Y3Al5O12(Yb:YAG/YAG)复合.晶体.利用偏光显微镜对其键合界面进行了观察,研究了样品的透射光谱,从而确定出复合晶体合适的制作工艺.通过透射光谱的形状和透射率来表征复合晶体键合界面的质量.研究表明Yb:YAG/YAG复合晶体键合质量较好,可实现一体化.     

GaN基发光二极管衬底材料的研究进展

GaN基发光二极管(LED)作为第三代照明器件在近年来发展迅猛.衬底材料作为LED制造的基础,对器件制备与应用具有极其重要的影响.本文分析综述了衬底材料影响LED器件设计与制造的关键特性(晶格结构、热胀系数、热导率、光学透过率、导电性),对比了几种常见衬底材料(蓝宝石、碳化硅、单晶硅、氮化镓、氧化镓)在高质量外延层生长、高性能器件设计和衬底材料制备方面的研究进展,并对几种材料的发展前景做出了展望.     

行NA阵列随机和的弱收敛性

NA相依序列是一类非常重要的随机序列,应用非常广泛,其随机和的收敛性是一个值得探讨的问题.本文利用其相关矩不等式和截尾法,研究了行NA阵列随机和的弱收敛性,所获结论推广和改进了相关文献的已有结果.