首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5篇
  免费   1篇
物理学   1篇
综合类   5篇
  2022年   1篇
  2008年   1篇
  1994年   2篇
  1990年   2篇
排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
2.
利用自建人工湿地处理城市生活污水,在不同的季节和水力负荷的条件下对其处理效果进行了研究。研究表明,人工湿地对城市污水具有较好的处理效果,自建的人工湿地可以耐水力负荷,在冬季处理效果并无明显下降。  相似文献   
3.
本文用温度调制空间电荷限制电流法测得了 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜不同碳含量 x 时的隙态密度,得到了光处理前后隙态密度的变化情况,发现强光照后存在有光诱导缺陷态效应,文中还就该方法本身的优越性进行了讨论.  相似文献   
4.
用光吸收谱和电导率测量较全面地研究了射频反应溅射淀积的a-Ge:H薄膜的电学性质:研究了射频功率和退火温度对a-Ge:H膜电学性质的影响.所得结果为a-Ge:H的应用提供了一定的依据。  相似文献   
5.
有机发光二极管(OLEDs)中电致发光磁效应(MEL)是一种能够揭示多种激发态微观过程的探测工具.最新研究成果(Tang X T, Pan R H, Zhao X, Jia W Y, Wang Y, Ma C H 2020 Adv. Funct. Mater. 5 765)表明:将低浓度的红荧烯(Rubrene)分子掺杂在一定主体作为发光层的OLEDs中,存在一种高能三重态激子(T2,Rub)的反向系间窜越过程(HL-RISC, S1,Rub←T2,Rub).但本文发现:以Rubrene作为纯发光层且其两边的载流子传输层也不存在T2,Rub激子的能量损失通道的OLEDs中,在室温下只观察到单重态激子(S1)的分裂过程(S1+S0→T1+T1),却没能观察到该T2,Rub激子的HL-RISC过程;而且,最基本的因电子和空穴在纯Rubrene发光层中直接注入形成极化子对(polaron-pair...  相似文献   
6.
用光吸收谱和电导率测量较全面地研究了射频反应溅射淀积的a-Ge:H薄膜的电学性质;研究了射频功率和退火温度对a-Ge:H膜电学性质的影响。所得结果为a-GeH的应用提供了一定的依据。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号