Effect of Reactor Pressure on Qualities of GaN Layers Grown by Hydride Vapour Phase Epitaxy

The influence of reactor pressure on GaN layers grown by hydride vapour phase epitaxy （HVPE） is investigated. By decreasing the reactor pressure from0. 7 to 0.5 mm, the GaN layer growth mode changes from the island-like one to the step flow. The improvements in structural and optical properties and surface morphology of GaN layers are observed in the step flow growth mode. The results clearly indicate that the reactor pressure, similarly to the growth temperature, is One of the important parameters to influence the qualities of GaN epilayers grown by HVPE, due to the change of growth mode.     

金属检测器在食品工业中的应用

当今,批量生产的食品很容易受金属的污染,所以金属检测器几乎是所有食品生产线上必不可少的装置。本文介绍金属检测器在食品工业中的作用、原理和如何应用等方面的相关问题。     

InAs/GaSb量子阱的能带结构及光吸收

采用八能带K-P理论以及有限差分方法,研究了沿[001]方向生长的InAs/GaSb二类断带量子阱体系的能带结构、波函数分布和对[110]方向线性偏振光的吸收特性.研究发现,通过改变InAs或GaSb层的厚度,可有效调节该量子阱体系的能带结构及波函数分布.计算结果表明,当InAs/GaSb量子阱的导带底与价带顶处于共振状态时,导带基态与轻空穴基态杂化效应很小,且导带基态与第一激发态的波函数存在较大的重叠,导带基态与第一激发态之间在布里渊区中心处的跃迁概率明显大于导带底与价带顶处于非共振状态时的跃迁概率.研究结果对基于InAs/GaSb二类断带量子阱体系的中远红外波段的新型级联激光器、探测器等光电器件的设计具有重要意义.     

中子活化法研究叶绿体中的稀土元素

用中子活化分析测定了油菜叶绿体中的稀土元素含量。结果表明叶绿体中含有微量稀土,其含量相当于每个稀土原子对应约2000个叶绿素分子,低于Fe, Mn, Cu等必需元素。     

离子吸附型稀土矿床中土壤元素地球化学找矿标志

用中子活化和X射线荧光分析技术研究了我国南方某地花岗岩母质上的风化壳及土壤中28种元素的含量、分布、迁移和富集规律。根据土壤元素的背景值与含矿异常之间在元素含量、共生组合和分布特征等差异,提出利用表层土壤元素的地球化学特征作为离子吸附型稀土矿床的找矿标志,为区域找矿提供了科学依据。     

电荷耦合效应对高耐压沟槽栅极超势垒整流器击穿电压的影响

通过沟槽结构和可调节的电子势垒,沟槽栅极超势垒整流器可以更为有效地实现通态压降和反向漏电流之间的良好折衷.在高压应用时,电荷耦合效应对于提高该器件的反向承压能力起到了关键作用.本文通过理论模型与器件模拟结果,分析了沟槽深度、栅氧厚度和台面宽度等关键参数对电荷耦合作用下二维电场分布的影响,归纳出了提高该器件击穿电压的思路与方法,为器件设计提供了有意义的指导.在此基础上,提出了阶梯栅氧结构,该结构在维持几乎相同击穿电压的同时,使正向导通压降降低51.49%.     

EDA实现仿真电路验证与实验

论述了现代教育技术仿真实验如何应用在电工、电子电路教学上,对电路的一些物理现象给予验证,使多媒体教学真正实现教学、验证、实验一体化,达到更好的教学效果。     

REE bound polysaccharides in leaves of Dicranopteris dichotoma by MAA

Ｉｎｒｅｃｅｎｔｄｅｃａｄｅｓ,ｔｈｅｐｈｙｓｉｏｌｏｇｉｃａｌｆｕｎｃｔｉｏｎｏｆＲＥＥｓａｎｄｔｈｅｉｒｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｃｅｏｎｌｉｖｉｎｇｂｅｉｎｇｓａｓｗｅｌｌａｓｔｈｅｉｒｌｏｎｇｔｅｒｍｂｉｏｌｏｇｉｃａｌｅｆｆｅｃｔｓｏｎｂｏｄｉｅｓｏｆｌｉｖｉｎｇｂｅｉｎｇｓｈａｖｅｄｒａｗｎｇｒｅａｔａｔｔｅｎｔｉｏｎ.ａｃｃｏｍｐａｎｉｅｄｂｙｔｈｅｅｘｔｅｎｓｉｖｅａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆＲＥＥｓｉｎａｇｒｉｃｕｌｔｕｒｅ,ｍｏｄｅｒｎｉｎｄｕｓｔｒｙａｎｄｍｅｄｉｃｉｎｅ.Ｈｏｗｅｖｅ…     

反胶束法合成Cd1-xMnxS量子点及其发光性能研究

应用反胶束法制备了稀磁半导体Cd1-xMnxS量子点.量子点的大小可通过改变ωo值(wo=[水]/[表面活性剂])来控制.高分辨透射电镜的分析结果表明,量子点呈单分散性,是几乎没有缺陷的单晶体.量子点的大小约为4.8～6nm,随wo值增大而增大.电子能谱(EDS)测定结果表明,Mn2+离子在量子点中的摩尔分数为1.5%.由电子自旋共振(ESR)分析确定一部分Mn2+离子取代Cd2+离子位置而位于晶格,另一部分Mn2+离子位于Cd1-xMnxS的表面或间隙位置.吸收光谱显示,随着量子点变小,吸收带边发生蓝移,显示明显的量子尺寸效应.光致荧光光谱分析表明,发光峰属于Mn2+的4T1-6A1跃迁,而且随着ωo和粒径的增大,发光峰从2.26,2.10,2.05eV红移到1.88eV;其发光峰偏离2.12eV,主要是由于Mn2+离子位于扭曲的四面体晶体场所致.     

Theoretical Analysis of Current Crowding Effect in Metal/AIGaN/GaN Schottky Diodes and Its Reduction by Using Polysilicon in Anode

There exists a current crowding effect in the anode of AIGaN/GaN heterojunction Schottky diodes, causing local overheating when working at high power density, and undermining their performance. The seriousness of this effect is illustrated by theoretical analysis. A method of reducing this effect is proposed by depositing a polysilicon layer on the Schottky barrier metal. The effectiveness of this method is provided through computer simulation. Power consumption of the polysilicon layer is also calculated and compared to that of the Schottky junction to ensure the applicability of this method.