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Influence of the channel electric field distribution on the polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AIN/GaN heterostructure field-effect transistors
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By making use of the quasi-two-dimensional (quasi-2D) model, the current-voltage (l-V) characteristics of In0AsA10.82N/A1N/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) with different gate lengths are simulated based on the measured capacitance-voltage (C-V) characteristics and I-V characteristics. By analyzing the variation of the electron mobility for the two-dimensional electron gas (2DEG) with electric field, it is found that the different polarization charge distributions generated by the different channel electric field distributions can result in different polarization Coulomb field scatterings. The difference between the electron mobilities primarily caused by the polarization Coulomb field scatterings can reach up to 1522.9 cm2/V.s for the prepared In0.38AI0.82N/A1N/GaN HFETs. In addition, when the 2DEG sheet density is modulated by the drain-source bias, the electron mobility presents a peak with the variation of the 2DEG sheet density, the gate length is smaller, and the 2DEG sheet density corresponding to the peak point is higher. 相似文献
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光学信息处理以其速度快、信息容量大、结构简单、可以同时完成二维或多通道运算等优点而被人们所重视,并已成为现代光学的重要组成部分.光学信息处理的基本装置可以分为以下几个主要部分:光源、输入转换器、光学处理系统以及输出转换器.目前,输入转换器主要通过感光胶片将输入信号或图象送入处理系统.光学处理系统是由透镜或其它全息光学元件构成的模拟运算系统,此系统中的空间滤波器是光学信息处理系统中的关键元件,必须根据具体课题的要求进行设计并用记录介质或其它材料来制备.输出转换器一般是用记录介质把处理结果记录下来,或通过摄像… 相似文献
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光子学是随着近代科学技术的飞跃发展而兴起的一门新学科,其英文名称为Photonics。这门学科对一些人来说也许是陌生的,因为从它的提出至今只有20多年,而作为一门新学科真正得到迅速发展,并被多数人所认识还只是近几年的事。虽然如此,光子学及光子技术已在高新技术领域崭露头角,它展现出来的活力以及揭示出来的应用前景已经引起了人们的广泛关注。就其实质而言,光子学既是一门新兴学科,同时又与古老的光学及近年来得以飞速发展的光电子学(Opto—etectronics或Optronics等)有着密切的关系。因此,光子学从提出、发展直到学科的形成并被人们所承认,经历了一个复杂的过程。有人讲,在我们的时代,物理学的两大分支——电子学与光学正在迅速融合,这种融合的初期产物即是光电子学,而其发展的更高级形式则是光子学。也有人仍然坚持“光、电不要分家”的观点,对于光子学的概念、内涵、研究范围等若干 相似文献
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一、引 言 近年来,随着各种新技术的出现和材料科学的发展,光学滤波器的种类不断增加[1],特别是光学相位滤波器发展尤为迅速。应用范围也随之更加广泛.所谓光学相位滤波器就是对入射光波进行相位调制的元件.虽然从广义上来说诸如透镜、棱镜等光学元件都可以视为相位滤波器,但是 相似文献
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Influence of the channel electric field distribution on the polarization Coulomb field scattering in In0.18 Al0.82 N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
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By making use of the quasi-two-dimensional(quasi-2D) model, the current–voltage(I–V) characteristics of In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors(HFETs) with different gate lengths are simulated based on the measured capacitance–voltage(C–V) characteristics and I–V characteristics. By analyzing the variation of the electron mobility for the two-dimensional electron gas(2DEG) with electric field, it is found that the different polarization charge distributions generated by the different channel electric field distributions can result in different polarization Coulomb field scatterings. The difference between the electron mobilities primarily caused by the polarization Coulomb field scatterings can reach up to 1522.9 cm2/V·s for the prepared In0.18Al0.82N/AlN/GaN HFETs. In addition, when the 2DEG sheet density is modulated by the drain–source bias, the electron mobility presents a peak with the variation of the 2DEG sheet density,the gate length is smaller, and the 2DEG sheet density corresponding to the peak point is higher. 相似文献
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本文采用锤击法测量,经数字信号分析仪处理得到JR2机械手频响函数数据;再根据复模态理论应用计算机识别出全部结构系统模态参数;并进行了动态性能分析研究。 相似文献
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电喷雾质谱法研究人参皂苷与溶菌酶的相互作用 总被引:1,自引:0,他引:1
用电喷雾质谱法研究了溶菌酶与人参皂苷Rg1和Re的非共价相互作用。非共价复合物的解离常数可以由溶菌酶和复合物的峰高直接计算得到。由各个体系得到的溶菌酶与Rg1和Re的一级解离常数KD, 1是一致的,但是二级解离常数KD, 2的差别较大。由此可以推断出复合物的峰高越强,结果的精密度越好。当固定溶菌酶的浓度不变时,复合物的解离常数会随着人参皂苷的浓度的增加而略微的增大。而当固定人参皂苷的浓度时,复合物的解离常数会随着溶菌酶的浓度的增加而减小。计算结果还证明了人参皂苷Rg1与溶菌酶的结合能力大于Re。 相似文献