真空内氧化法制备α-Al2O3/Cu复合材料

对CuO-Al体系热力学和动力学分析的基础上，采用将CuO和Al粉末压块的方法加入到真空条件的Cu液中使其发生化学反应。对复合材料进行扫描电镜观察及X射线衍射分析，并测试了复合材料中不同Al2O3含量的电导率。结果表明，内氧化法是制备Al2O3／Cu复合材料较理想的方法， Al2O3／Cu复合材料用于高强度高导电领域时Al2O3含量应小于1.85%。 （将发表在《西安理工大学学报》2001 Vol.17 No.2）     

光滑表面粗糙度Rz参数的一种干涉测量法

介绍了一种光滑表面粗糙度Rz 参数的干涉测量法.该方法用空气膜层上表面与样本表面的基准面平 行的方式来观察等厚干涉条纹, 用干涉条纹间的相对运动来判断样本表面的峰谷, 同时也给出了新的Rz 计算公 式.该方法测量过程较简单、 对仪器要求较低且有助于样本的表面微观形貌分析     

热处理对Al2O3f/Mg-9Al-0.5Nd材料力学性能及摩擦磨损特性的影响

采用无压浸渗技术制备了Al2O3f/Mg-9Al-0.5Nd复合材料,研究了热处理对复合材料力学性能和摩擦磨损性能的影响,采用扫描电子显微镜观察磨损表面形貌并对其磨损机理进行了分析.结果表明:热处理后复合材料的硬度及耐磨性得到显著提高;铸态复合材料的磨损机制主要表现为磨粒磨损和剥层磨损,热处理后复合材料抗剥层能力增强,磨损机制主要为磨粒磨损.     

直接金属氧化法制备Al_2O_3/Al陶瓷基复合材料的生长方式

运用 DIMOX工艺 ,利用 Al- 3 Mg- 1 0 Si合金在空气工况下直接氧化制备了 Al2 O3 /Al陶瓷基复合材料 ,并通过扫描电镜、光学显微镜等手段观测和研究了复合材料的生长方式 .结果发现 :直接氧化生长 Al2 O3 /Al的复合材料长大增厚是以胞状晶团的方式向前推进的 ,胞状晶团的形成源于合金熔体的微观传输通道 .胞状晶团的长大按照淹没和合并两种方式进行 ,其内部结构表现为周期性层状组织     

直接金属氧化法制备Al2O3／Al陶瓷基复合材料的生长方式

运用DIMOX工艺,利用Al-3Mg-10Si合金在空气工况下直接氧化制备了Al2O3/Al陶瓷基复合材料,并通过扫描电镜,光学显微镜等手段观测和研究了复合材料的生长方式,结果发现,直接氧化生长Al2O3/Al的复合长大增厚是以胞状晶团的方式向前推进的,胞状晶团的形成源于合金熔体的微观传输通道,胞状昌团的长大按照淹没和合并两种方式进行,其内部结构是表现为周期性层状组织。     

真空内氧化法制备α—Al3O3／Cu复合材料

对CuO-Al体系进行热力学和动力学分析的基础上,采用将CuO和Al粉末压块的方法加入到真空条件的Cu液中使其发生化学反应,生成Al2O3增强颗粒而获得复合材料,对复合材料进行了扫描电镜观察及X射线衍射分析,并测试了Al2O3含量复合材料电导率的影响。结果表明,内氧化法是制备Al2O3/Cu复合材料理想的方法;Al2O3/Cu复合材料用于高强度高导电领域时Al2O3含量应小于1．85wt%.     

压缩形变大体积镁合金坯料半固态等温组织演变

研究了大体积AZ91D镁合金在SIMA法制备半固态浆料过程中组织的演变规律，并对半固态组织球状化演变的影响因素进行了分析．结果表明：合金在550℃等温处理时，α相在升温阶段就开始由树枝晶向团块状转变，随等温时间的延长再由团块状逐渐演变为多边形状，最后演变为球状晶；若等温时间过长，晶粒会发生合并长大；随着等温温度的升高，组织的球状化速度加快，相同等温时问下晶粒的平均尺寸减小；随着保温时间延长，晶粒圆整度明显改善；增加预形变量将促进半固态等温时枝晶形貌的转变，形变量越大的试样转变为球状晶的速度越快，所需时间越短。     

内氧化工艺对Al_2O_3/Cu复合材料中Al_2O_3颗粒分布的影响

采用压块加入法和分别加入法两种内氧化工艺 ,将 Cu O和 Al粉末加入到 Ar气保护的铜液中制备 Al2 O3/ Cu复合材料 ,在光学显微镜、扫描电镜及 X射线衍射仪上观察分析了Al2 O3颗粒的数量、分布及材料的相组成。结果表明 ,压块加入法生成的 Al2 O3颗粒呈枝晶状分布 ,最佳保温时间为 30～ 45 min;分别加入法生成的 Al2 O3颗粒呈弥散状分布 ,最佳保温时间为 45～ 6 0 mi     

真空内氧化法制备α-Al_2O_3/Cu复合材料

对 Cu O-Al体系进行热力学和动力学分析的基础上 ,采用将 Cu O和 Al粉末压块的方法加入到真空条件的 Cu液中使其发生化学反应 ,生成 Al2 O3增强颗粒而获得复合材料。对复合材料进行了扫描电镜观察及 X射线衍射分析 ,并测试了 Al2 O3含量对复合材料电导率的影响。结果表明 ,内氧化法是制备 Al2 O3/ Cu复合材料较理想的方法 ;Al2 O3/ Cu复合材料用于高强度高导电领域时 Al2 O3含量应小于 1 .85 wt%     

DIMOX工艺制备复合材料熔体表面Mg蒸气扩散动力学研究

从热力学角度分析了Al-Mg-Si合金直接氧化生长Al2O3/Al复合材料工艺过程中,熔体表面Mg蒸气层的存在,按照气体扩散传质支力学原理,解析了Mg蒸气层的厚度。结果表明：熔体上方Mg蒸气层的厚度δ与熔体表面距坩埚上沿的距离L成正比,坩埚上沿处O2的摩尔分数增加,Mg蒸气层厚度减小。Mg蒸气层厚度与材料自氧化生长速度密切相关。