低表面活性剂浓度下有序介孔SiO_2的制备及性能

在碱性条件下,采用低浓度阳离子表面活性剂,利用表面活性剂与硅源水解后形成的聚集体相互作用,在溶液中形成分子自组装体,从而形成有序排列的介孔SiO2材料·水热和室温碱性条件下,表面活性剂与硅源的粒子数比为006∶1·由HRTEM分析,小角度XRD分析,TGDTA分析及FTIR分析等研究表明:在较低的表面活性剂浓度下,通过分子自组装体做模板剂,最终反应物经一定工艺处理,可形成六方结构介孔SiO2·水热条件下使分子的作用增强,提高介孔骨架中硅原子的聚集度,由于铝原子的引入取代部分硅原子导致晶格增大,并使有序介孔结构保持完好·介孔SiO2孔道大小3～...     

《计算机在材料工程中的应用》课程教学方法研究与实践

《计算机在材料工程中的应用技术》是本科生的一门重要的课程,对于本科生更好地掌握计算机技术,更好地处理材料科学中的数据,都起到很大的帮助。学生在学习这门课程中,通常没有足够的兴趣,本论述通过总结和归纳教学过程中出现的问题,提出解决方案,更好地服务教学实践,为这门课程的讲授提供相应的参考。     

相场法模拟NiCu合金非等温凝固枝晶生长

利用相场模型与溶质场、温度场进行耦合计算,以Ni-40.83%Cu合金为例模拟了二元合金枝晶生长过程.系统研究相场模型中相场和温度场耦合强度对枝晶形貌和浓度分布的影响.模拟结果表明:随着耦合强度的增加,相场受温度场的影响加大,界面前沿变得不稳,扰动被放大,主枝上出现了二次枝晶.同时,枝晶尖端的生长速率增大,而枝晶尖端的曲率半径减小,枝晶前沿的溶质富集现象也更严重;另外,计算结果与Ivantsov理论符合较好. 关键词： 相场法 NiCu合金 枝晶生长 Ivantsov理论     

铝/铜复合界面金属间化合物

冷轧复合板轧制后要进行一定的热处理以加强界面的结合强度,但同时也带来一定的问题如在界面形成不利于界面结合的化合物,本文对冷轧制备的铝/铜层状双金属片进行了研究,得到了不同退火温度和退火时间下扩散热处理后界面金属间化合物相的生长规律,初步建立了金属间化合物形成的动力学模型.     

片状立方氮化硼合成及其导电特性研究

 通过控制高压腔内的温度、压力梯度合成了粒径300～500 μm的片状立方氮化硼（cBN）单晶体。通过在原料中掺杂及对合成晶体的真空高温扩散掺杂，获得了具有半导体导电性的立方氯化硼材料并测试了其V-A特性。     

开放式CAD图形库的建立与管理

针对目前大多数ＣＡＤ系统中图形库存在的通用性差、开发效率低、可维护性和可移植性差等方面的问题，提出建立和管理开放式ＣＡＤ图形库的方法．按此法建造的ＣＡＤ图形库可相对整个ＣＡＤ系统独立，对各级用户具有良好的透明度，便于进行二次开发，便于维护和扩充，从而提高设计效率．     

La0.7Ca0.3MnO3材料中取向畴结构的电镜研究

利用透射电子显微镜(TEM)及高分辨电子显微镜(HREM)研究了庞磁电阻材料La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)中的取向畴结构.电子衍射结果表明,块体LCMO材料中只存在正交相(Pnma),其衍射指数满足消光条件:0kl,k+l=2n+1;hk0,h=2n+1;h00,h=2n+1;0k0,k=2n+1;00l,l=2n+1.在晶粒中可观察到两种典型的取向畴形貌,分别为无定形和楔形.高分辨观察结果还发现,LCMO畴界均为不平直界面,由一些低能量高指数界面组成.     

在代数教学中結合复习算术的几点意見

有些学校在讲代数之前,先用几周时間复习算术,有的則在讲代数的同时結合教材进行复习。方式各不相同,何者較好是个值得研究的問題,我們发表这篇文章供教师討論研究。我們打算在初中一年級一开始就学习代数,在代数教学中結合教材复习算术。这是一項新的工作,具体做起来有許多問題。現在提出一些我們的初步設想,請同志們批評指正。     

层状钙钛矿巨磁阻材料La_(1.2-x)Nd_xSr_(1.8)Mn_2O_7的微结构研究

利用X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)及高分辨电子显微镜(HREM)研究了层状巨磁电阻材料La1.2-xNdxSr1.8Mn2O7(x=0.2)的显微结构.研究结果表明,Nd掺杂氧化物La1.2Sr1.8Mn2O7仍具有四方对称性,即掺杂Nd没有改变原有的晶体结构.通过HREM观察发现,Nd掺杂氧化物La1.2Sr1.8Mn2O7含有较多的缺陷,其中包括与其他RP相形成的共生结构、(101)剪切结构以及一些比较复杂的缺陷结构.