基于交通效益的差异化街区制调整对策——以济南市30个居住区为例

以济南市30个居住区为例,构建动静结合的交通效益评价体系,探讨街区制调整的必要性与实际意义。结果表明:街区制的通行优化效益具有自城市中心区向外围逐渐降低的地域分异特征,而空间承载效益的变动趋势与之相反;新旧程度与居住区类型均会对实际效果产生影响;根据上述评价结果,城市中心区居住社区应配合综合整改,最大限度地进行开放调整;普通封闭小区应有效衔接内外道路,优化区域路网结构;城市外围新建封闭小区应基于广阔的内部空间,发挥其承载与共享能力。     

辫子群双参数新表示

本文将含单参数的Ｃｏｎｗａｙ条件推广为含双参数，并据此建立辫子群的完备算符集，给出它的双参数新的不可约表示．同时还找到了有价值的阵元关系．     

MOVPE生长AlAs/GaAs Bragg反射膜

采用常压金属有机物气相沉积法生长AlAs/GaAs周期性反射膜,并利用双晶X射线衍射、扫描电子显微镜和记录式分光光度计等分析手段,对材料结构及光学性质进行了分析.实验结果表明,在780℃连续生长的薄膜结构和晶体质量都很好,但是反射率低;通过模拟计算,连续生长存在渐变层,而渐变层大大降低了反射率;在同样生长条件下间断生长得到较高反射率的薄膜材料.     

立方氮化硼单晶-金刚石薄膜异质p-n结

 在Si中掺杂N型片状立方氮化硼单晶的(111)面上,利用热灯丝化学气相沉积方法生长了掺B的p型金刚石薄膜,从而制得了立方氮化硼单晶-金刚石薄膜异质p-n结,测试了该p-n结的V-A特性,结果表明其整流特性良好。     

生长条件对AlGaN/GaN HEMT势垒层表面形貌及二维电子气迁移率的影响

使用金属有机化学气相沉积法生长了AlGN/GaN高电子迁移率晶体管.研究了生长压力和载气组分对AlGaN势垒层及AlGaN高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率的影响.原子力显微镜(AFM)光谱和SEM-EDS用于表征外延层的质量.结果表明随着反应室压力从50torr提高到200torr,AlGaN势垒层的表面形貌先变好,随后开始变差.在反应室压力100torr情况下得到最好的表面形貌.同时发现在生长AlGaN势垒层时,同时适当的氢气会提高AlGaN层的质量.在反应室压力100torr、氢气组分59;时得到AlGaNHEMT的最大二维电子气迁移率为1545 cm2/V·s.     

山东省城市综合竞争力的时空演变研究

城市竞争力是城市综合实力的具体体现,对城市乃至其所在区域的发展具有十分重要的意义.以山东省17地市为研究对象,选取山东进入快速城市化时期相隔10年的不同时间断面,构建城市综合竞争力评价指标体系,运用主成分分析方法,分别计算出不同时间断面17地市城市竞争力综合得分,通过区域发展差异的纵横比较,总结城市竞争力的动态演变规律及其影响要素,为城市健康发展提供参考依据.     

氧化镓的同步辐射研究

 利用金刚石对顶砧（DAC）高压装置产生高压，使用体积比为16∶3∶1的甲醇、乙醇和水混合液作为传压介质，通过原位高压同步辐射技术对氧化镓的高压行为进行了研究（0～42.5 GPa）。实验发现在室温下13.3 GPa压力附近，单斜结构的氧化镓发生了结构相变，变成三角结构。相变后镓离子由原来同时位于由氧离子围成的四面体和八面体的中心位置变成只位于八面体的中心位置。卸压后的X射线衍射谱表明，氧化镓又恢复为单斜结构，该相变为可逆相变。     

关于Lebesgue积分的中值定理

给出了一个引理的六种证法与Lebesgue积分中值定理及其推广定理.     

基于旅行费用法的泉水型旅游景区游憩价值评估 ——以济南市趵突泉景区为例

采用区域旅行费用法(ZTCM)和旅行费用区间分析法(TCIA),以济南市趵突泉景区为案例地,开展游憩价值评估研究。结果表明:2018年趵突泉景区游憩价值分别为3.339×10~9、 3.131×10~9元,景区旅游开发已初见成效;2018年趵突泉景区消费者剩余分别为9.09×10~8、 6.51×10~8元,游客对趵突泉景区的满意度处于"满意"水平;实证研究结果显示ZTCM的评估结果高于TCIA的,与2种方法在计算中选择不同人口基数有关。     

Preparation of p—n Junction Diode by B—Doped Diamond Film Grown on Si—Doped c—BN

A heterojunction diode has been fabricated by boron-doped p-type diamond thin film grown epitaxially on a silicon-doped n-type cubic boron nitride bulk crystal using the conventional hot filament chemical vapour deposition method.The ohmic electrode of Ti(50nm)/Mo(100nm)/Au(300nm)for the p-type diamond film and the bulk crystal of the c-BN were deposited by the rf planar magnetron method.Then the device was annealed at 410℃ in air for 1h in order to form ohmic metal alloy,The current-voltage characteristics of the heterojunction diode were measured and the result indicated that the rectification ratio reached 10^5,and the turn-on voltage and the highest current were 7V and 0.36mA,respectively.