光生电压谱方法对ZnSe／GaAs异质结导带偏移的研究

实验采用光生电压谱方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结界面的光跃迁进行了观察，在光子能量略低于ＧａＡｓ带边的地方，光生电压谱出现了一个峰，通过分析电子与空穴的分离在界面上形成电偶极层对光生电压谱造成的影响，指出该谱峰对应着界面处电子从ＧａＡｓ价带顶跃迁至ＺｎＳｅ导带底的过程，表明ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结的能带排列属于错开型，并得出在温度小于７０Ｋ的低温下ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带偏移值为１５０ｍｅＶ±     

应用激光探针技术评价烃源岩成熟度--以东营凹陷生油岩研究为例

我国第三纪含油气盆地生油岩由于存在明显镜质组反射率抑制作用,长期以来,生油岩成熟度评价一直是未解决的难题.激光探针技术是目前解决这类问题较可靠的方法.应用澳大利亚石油资源研究所激光探针对东营凹陷典型烃源岩成熟度进行了系统研究,结果表明该区烃源岩镜质组反射率存在明显的抑制作用,且母质类型越好,抑制程度越强,Ⅰ型为0.20%～0.25%;Ⅱ1型为0.15%～0.20%;Ⅱ2型为0.10%～0.20%;Ⅲ型为0.0～0.10%.在此基础上,进一步根据研究结果及生油岩母质类型,建立起了应用实测镜质组反射率(MVRo)得到烃源岩校正反射率(EqVRo)的公式为:Ⅰ型EqVRo=MVRo+0.25%;Ⅱ1型EqVRo=MVRo+0.20%;Ⅱ2型EqVRo=MVRo+0.15%;Ⅲ型EqVRo=MVRo+0.05%.研究结果对于该区烃源岩成熟度评价及油气勘探具有重要指导意义.     

掺杂非醚聚苯基喹噁啉薄膜电致发光的研究

掺杂非醚聚苯基喹噁啉薄膜电致发光的研究邓振波，黄京根，董树忠，王建宝，张博，陆访，孙恒慧（复旦大学物理系，复旦大学材料系，上海２００４３３）聚合物薄膜电致发光（ＰＴＦＥＬ）器件的主要特点是制造方便、设备简单、成本低廉并且可以通过改变材料体系、掺杂或调...     

重掺硼快速退火分子束外延硅的X射线衍射研究

利用X射线双晶衍射,测量了经过800—1100℃快速退火处理的重掺硼的分子束外延硅中的应变情况,发现应变部分弛豫.并得出外延层与衬底硅的晶格失配与替位硼浓度(7.5×10~(29)—3.1×10~(20)cm~(-3)成正比,比例系数β为5.1.在此测量基础上,提出硼团簇的形成与分解是外延展晶格质量与电学性质变化的主要原因.     

基于吸散一体隐身超构表面的透射型涡旋电磁波产生器设计

涡旋电磁波因其独特的"空心圈"状辐射场强度、螺旋前进的相位波前以及不同模式间相互正交等独特的电磁特性在雷达探测、成像、保密通信等领域有着巨大应用前景.本文设计了一种基于吸散一体隐身超构表面的透射型涡旋电磁波产生器,超构表面在沿+z方向的Vivaldi天线的球面波激励下,可在透射方向高效地产生拓扑电荷数l=+1的涡旋电磁...     

重掺硼快速退火分子束外廷硅的X射线衍射研究

利用Ｘ射线双晶衍射，测量了经过８００－１１００℃快速退火处理的重掺硼的分子束处延硅中的应用情况，发现应变部分驰豫，并得出延层与衬底硅的晶格失配与替位硼浓度成正比，比例系数β为５．１，在此测量基础上，提出硼团簇的形成与分解是外延层格质量电学性质变化的主要原因。     

衬底温度对热壁外延ZnSe薄膜质量的影响

用热壁外延法在不同衬底温度条件下生长一系列ZnSe薄膜,并通过X射线衍射、喇曼散射以及光致发光技术对ZnSe薄膜质量作了研究。实验结果表明,随着衬底温度下降,ZnSe薄膜质量逐渐变差;当衬底温度低于300℃时,(100)ZnSe薄膜中有(111)孪晶出现;但同时发现衬底温度大于375℃时,衬底Ga原子对ZnSe外延层扩散严重。