用离子注入改进真空中玻璃面闪络

本文报导把 He~ 注入玻璃表面增强了玻璃在真空中的面闪络电压,当注入剂量是4×10~(17)离子/厘米~2时,面闪络电压提高了68%.在讨论中分析了改进面闪络的原因。     

多种元素离子源

为了适应多种元素离子注入的需要,研制了一种多元素离子源。离子源的工作温度范围较宽,最高可以达到14O0℃,能够产生多种元素的离子,将蒸发炉和放电室结合在一起,使结构比较简单。现已产生了汞、铋、金三种重元素的离子,束流一般可达200μA,能量分散度在20～50ev范围内。当束流在50μA时,束的归一化亮度可达10~(11)A·m~(-2)·rad~(-2),在最佳情况下可达10~(12)A·?~(-2)·rad~(-2)。质谱分析表明,汞、铋、金三种离子含量都在90%以上。最高引出电压为30KV。     

低能氩离子刻蚀在高深度分辨率杂质分布测定中的应用

300eV的低能氩离子刻蚀与SIMS技术相结合,研究了高深度分辨率杂质深度分布测定的可能性。采用石英晶体的频率变化与微量天平称重的方法对~(48)Ar~+离子注入的Si试样的刻蚀速率进行了校准。实验表明,离子刻蚀去层度的精度可以达12左右;经过~40)Ar~+离子注入的Si试样的刻蚀速率与未经~(40)Ar~+注入的Si试样有明显的差别。测定了300keV的~(40)Ar~+离子注入Si中的深度分布,测量结果与理论计算进行了对比。     

50—400keV Br+在硅和石英中的射程分布研究

本文描述了用MeV ⁴He⁺ Rutherford背散射的方法来研究50—400keV Br⁺在非晶硅和石英中的射程分布.Br⁺的射程分布是通过离子注入法得到的.并将测得的实验值与Biersack理论进行比较,结果表明,对于平均投影射程,实验值与理论值之间的符合是令人满意的,对于射程离散,在一级近似中,理论值系统地低于实验值,考虑二级能量损失修正后,理论值与实验值是基本一致的.这表明Biersack理论在预言Br⁺在硅和石英固体靶中的射程分布是相当成功的.     

SD—400keV离子注入机调试报告

一、引言 SD—400keV离子注入机是一种多用途离子注入机,它具有注入元素种类多、能量调节范围广、扫描面积大等特点,可以注入从质量数为1的氢离子直到质量数大于200的重离子;能量从50keV到400keV连续可调;具有垂直扫描和非垂直扫描两种功能。本机主要用于功能材料、固体材料改性和功能器件的研究以及离子与固体相互作用的基础研究等领域。