钛酸铋钠钡系超声用压电陶瓷新材料

目前,国内外使用的超声换能器材料大多为锆钛酸铅(简称PZT)压电陶瓷,为了获得更高的测量精度(如测厚)和更清晰的图象(如B型超声诊断仪),对超声换能器材料提出了更高的要求.PZT类陶瓷由于径向振动机电耦合系数(Kp)和介电系数 太大和频率常数(Nt)较低,应用时不太令人满意.此外,PZT类陶瓷都含有70%左右的PbO,铅的毒性引起公害,而且由于PbO在烧结过程中的挥发使工艺复杂.所以到六十年代中期,国际上开始了非铅系统压电陶瓷的探索.19乃年,日本电子材料工业会还专门组织了对压电陶瓷无铅化的调查,可见探索无铅压电陶瓷新材料的重要性. 从197…     

K0.5Bi0.5TiO3—Na0.5Bi0.5TiO3系统铁电陶瓷相界的X射线研究

用X射线衍射方法测定了K_0.5Bi_0.5TiO₃—Na_0.5Bi_0.5TiO₃系统不同组分试样的点阵常数和相变温度,确定了四方-三方相界组成。给出了K_0.5Bi_0.5TiO₃和Na_0.5Bi_0.5TiO₃的多晶X射线衍射数据。 关键词：     

基于CDIO工程教育理念的微电子工艺课程建设

课程建设与改革是提高本科教学质量与人才培养的的关键,CDIO是目前高等工程教育的一种新型教育模式,本文结合CDIO人才培养理念,针对微电子工艺课程的特点,从课程建设思想、教学内容与方法、创新能力培养,多方位构建教学与实践平台、多元化的过程考核方式等方面的具体改革措施,探索了微电子工艺课程建设和教学改革,且这些改革措施的应用已初见成效。     

维格列汀相关物质的合成工艺改进

以盐酸金刚烷胺和L-脯氨酸为原料,经羟基化、氯乙酰化及氨基化反应合成了维格列汀相关物质(S)-1-［2-(3-羟基-金刚烷-1-氨基)-乙酰基］吡咯烷-2-羧酸（3）,其结构经¹H NMR, ¹³C NMR和MS（ESI）确证。采用Box-Behnken响应面法优化3的合成工艺。结果表明最优反应条件为：1-(2-氯乙酰基)吡咯烷-2-甲酸与3-氨基-1-金刚烷醇的摩尔比为2:1、三乙胺0.006 mol,于65 ℃反应4 h, 3的平均收率为82.84%,纯度98.8%,可作为维格列汀相关物质检测的对照品。     

3-羟基-1-金刚烷甲基酮的合成

改进了沙格列汀中间体3-羟基-1-金刚烷甲基酮（1）的合成路线。以金刚烷甲酸（2）为起始原料,经二氯亚砜酰氯化后与N-氯代琥珀酰亚胺（NCS)反应制得3-氯-1-金刚烷甲酰氯（3）; 3依次经取代,脱羧和与碱反应合成1,其结构经¹H NMR, IR和MS(ESI)确证。采用星点设计-效应面法对1合成条件进行了优化。结果表明:在最佳反应条件[2 28 mmol, n(NCS)/n(2)/n(AIBN)=1/0.83/0.65,于65 ℃反应8 h]下,1收率70%。     

培养高中学生创新能力的几点建议

创新能力关系到我们民族的兴衰,而缺乏创新精神的民族是没有希望的。而且,新课标中也要求教师把创新精神放在重要的位置。     

停流流动注射在线沉淀-原子吸收法测定盐酸苯海拉明

本文建立了一种简单快速的检测药剂中盐酸苯海拉明含量的停流流动注射在线沉淀 间接原子吸收法。该方法是基于盐酸苯海拉明与BiI-4在线定量连续生成离子对缔合物沉淀(摩尔比为1∶1),经停流过滤稀释后,以AAS法测定滤液中铋的含量来间接测定盐酸苯海拉明的量。本法的相对平均偏差小于3.5%,线性范围为2.5～40μg·mL-1,采样频率60h-1,回收率为98%～103%。     

K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3—Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3系统铁电陶瓷相界的X射线研究

用X射线衍射方法测定了K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-Na(0.5)Bi_(0.5)TiO_3系统不同组分试样的点阵常数和相变温度,确定了四方-三方相界组成。给出了K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3和Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3的多晶X射线衍射数据。     

反馈型正弦波振荡器起振的元件参数分析

根据线性微分方程理论重新表述了一种普适的电路起振条件判据,据此推导出3个典型电路起振时的元件参数的取值范围,通过仿真试验加以验证.分析了目前被广泛接受的正弦波振荡器起振条件的不周全之处,使电路起振时的物理机制得到准确的表达.     

Na0.25K0.25Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷的介电特性研究

用固相反应法制备了Na_0.25K_0.25Bi_0.5TiO₃ (NKBT50)陶瓷，研究了该陶瓷在室温至400℃温度范围内的介电性能.发现该陶瓷的介电温谱与烧结气氛、极化状态有关.在空气中烧结的未极化样品在70℃附近存在介电和损耗峰，而极化后及在氧气氛中烧结的样品并不存在该介电、损耗峰.分析认为70℃的介电和损耗峰与氧空位形成的缺陷偶极子的极化弛豫有关.热激电流显示，陶瓷的去极化温度为225℃，与此相对应的介电、损耗峰也 关键词： 介电性能 氧空位 极化弛豫 钛酸铋钠钾