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本文用循环伏安曲线和恒电位极化方法考察了具有金属薄层的p型单晶外延硅(p+/p-Si)阴极在碱溶液中的光电化学性能。结果表明,镀有钨-镍合金层的p+/p-Si阴极和镀有钯的p+/p-Si阴极,使氢析出的光电流明显增加。前者的电位比光电流达到相同值的空白p+/p-Si电极向正方移动了0.3V以上,后者移动0.25V。同时对p型外延硅(p+/p-Si)阴极比p型单晶硅(p-Si)阴极光响应较大的实验结果作了初步解释。扫描电镜结果显示,钨-镍合金沉积层是由许多不连续的“团块”构成的,而不是连续层。 相似文献
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在半导体中, 由于掺杂水平的不同, 在同种导电类型的半导体之间会形成一种被称为高-低结的势垒, 也会象p-n结一样表现出一定程度的整流特性。由于这一势垒的存在, 半导体中载流子的运动受到一个附加电场的作用, 它们的运动规律与没有高-低结时相比有所不同, 因此造成这种半导体电性质比较特殊。如带有高-低结的p~+/p-Si光阴极具有良好的光电转换性能~[1], 效率较高。在一些电极反应过程中, 由于反应中间物质的形成也会构成一定程度的高-低结。本文首次将半导体固结的概念引入电化学, 研究了AgO电极的放电过程。用高-低结机理满意地解释了一些现行理论所不能解释的现象。 相似文献
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n^+-Si在0.25~1.0%HF溶液中无光照和光照下的伏安曲线均明显地分为三段:在低极化下呈线性关系, 对应于硅的阳极溶解, 形成多孔硅层(PSL); 在中间电位区, 电极部分表面为硅氧化物所覆盖, 阳极溶解和非均匀电抛光过程同时进行; 在高极化区, 全部表面为硅氧化物所覆盖, 发生均匀的电抛光过程。在上述三个区域中由交流阻抗测得的特征电容环和电感应环的变化, 揭示了由单一阳极溶解逐渐转变为均匀抛光过程的一些细节, 定性地说明了n^+-Si上进行的竞争性反应的速率是随电位而改变, 并受光照影响。 相似文献
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研究了予阳极极化对Nd_(0.8)Sr_(0.2)CoO_3及Nd_(0.8) Sr_(0.2)CoO_3——活性碳混合催化剂上,氧的阴极极化曲线的影响。实验结果初步表明,在Nd_(0.8) Sr_(0.2)CoO_3上,可能是氧离子反应机理。而在混合催化剂上,则可能氧离子反应与“协作反应”同时进行,以后者为主。 相似文献
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聚苯胺修饰电极的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了用电化学聚合法在铂、玻碳以及在p 型和n 型外延硅电极上生成聚苯胺膜的条件、膜的电活性与其变色性之间的关系。在有铂溅射薄层的n~+/p—Si光阳极上、膜的附着性较牢固、它使光阳极的稳定性得到改进。 相似文献
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