掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性

用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1;(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同.但随着掺入晶体中锗浓度的增加, 红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰.锗浓度越高,此峰越明显.该峰可能是由于Ge-C或Si-Ge-C键合体系的产生而引起的红外吸收峰.     

集成电路铜布线与衬底碱性化学机械平坦化关键技术与材料

探讨了集成电路铜布线与衬底碱性化学机械平坦化关键技术与材料项目的研发背景,针对理论研究的进展进行综述,指出了项目的创新之处。该项目成果已在中科院微电子所、台湾科技大学及平坦化协会和美国硅谷研发中心（SVTC）与目前国际上以Cabot公司为代表的酸性浆料进行了评估验证,获中国及美国发明专利和近10年的应用基础。