竞争、演化与两种含义的社会必要劳动时间

对于《资本论》中社会必要劳动时间的两种含义，必须结合商品交换的演化历史考察。第一种含义是基于物物交换之简单商品经济的历史，在完全竞争之假设前提下进行抽象分析所得之结论。第二种含义是基于货币经济之资本主义社会化大生产的历史，在供求不等成为常态下进行抽象分析所得之结论。短期供求不等会影响商品的价格、价值量，长期则在完全竞争作用下供求趋于均衡。在结构失衡总量不变，土地具有长期垄断条件下，单位土地商品的价值量小于劣等地的社会必要劳动时间但大于优等地的社会必要劳动时间，其他商品的社会价值量则小于实际付出的社会必要劳动时间。垄断对单位商品价值量偏离实际社会必要劳动时间具有永久性影响，而货币需求的变化则没有影响。     

溅射制备纳米晶GaN:Er薄膜的室温发光特性

利用直流磁控共溅射方法制备了GaN:Er薄膜.X射线衍射结果显示薄膜为纳米多晶结构,根据谢乐公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为5.8nm;透射电子显微镜结果显示为非晶基质中镶嵌了GaN纳米颗粒,尺寸在6-8nm之间;紫外可见谱结果表明在500-700nm的可见光范围内,薄膜的平均透过率大于80%,在紫外可见谱基础上,利用Tauc公式计算得到了纳米晶GaN薄膜的光学带隙为3.22eV;最后,测量了GaN:Er薄膜的室温光致发光谱,获得了Er3 离子在554nm处的强烈绿光发射.     

Ti/TiO_2包覆ZnO:Tb纳米纤维的光学性质

用电纺丝方法制备了ZnO:Tb纳米纤维.用X-射线衍射、Raman光谱对其形貌做了表征.结果显示,ZnO:Tb纳米纤维为六方纤锌矿结构,Tb掺杂对ZnO的结晶性有影响.利用表面等离激元,通过对纳米纤维表面包覆金属Ti和TiO_2,比较了其光致发光谱,得到在325 nm激发下ZnO:Tb纳米纤维中稀土发光效率低的原因是ZnO和Tb之间不能进行有效的能量传递;包覆TiO_2后能提高稀土发光效率.     

曲靖市在推进云南“桥头堡”建设中的SWOT分析及其战略定位

云南桥头堡建设战略的实现需要省内各州（市）的共同努力。通过对曲靖市的SWOT分析,将其定位于面向东南亚南亚的制造业中心、链接印度洋与内地的桥头堡能源保障基地、中西部地区与东南亚南亚链接的物流中心、面向东南亚南亚的云南省教育文化产业的次核心区域、面向东南亚南亚的农业技术输出中心,实施与滇中城市群按既定路线办事、沿边州（市）互惠互利共拓外贸、与其他州（市）打通南亚市场的分工合作策略。     

铽掺杂纳米晶GaN薄膜的室温可见发光

利用直流磁控反应式共溅射方法制备了GaN：Tb薄膜。XRD结果显示,该薄膜为纳米晶结构,根据Scherrer公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为4．8nm;紫外可见谱表明在可见光区薄膜的平均透过率大于75％,同时利用Tauc公式计算得到了薄膜的光学带隙为3．07eV;测量了薄膜的室温光致发光谱,获得了Tb^3＋在可见光区（位于497．0,552．4,594．2以及627．8nm）的本征发光。     

云南省与内地省份城市规模体系发展的差异＊--基于云南省与河南省的数据比较

作为边疆省份的云南省和内地省份的河南省,它们在城市规模体系的发展方面存在着显著差异,表现为前者的高城市指数与后者的低城市指数,前者的Zipf指数小于1,后者的Zipf指数常大于1。引起这种差距的原因主要基于经济一体化程度的不同及区域地理环境的差异。而随着经济社会的发展,二省区的城市规模体系也日趋合理化。     

Improvement of Field Emission Characteristics of Copper Nitride Films with Increasing Copper Content

A copper nitride （Cu3N） thin film is deposited on a Si substrate by the reactive magnetron sputtering method. The XPS measurements of the composite film indicate that the Cu content in the film is increased to 80.82 at. % and the value of the Cu/N ratio to 4.2：1 by introducing 4% 112 into the reactive gas. X-ray diffraction measurements show that the film is composed of Cu3N crystallites with an anti-ReO3 structure. The effects of the increase of copper content on the field emission characteristics of the Cu3N thin film are investigated. Significant improvement in emission current density and emission repeatability could be attributed to the geometric field enhancement, caused by numerous surface nanotips, and the decrease of resistivity of the film.     

氨化法制备GaN:Tb纳米颗粒的光学性能

利用简单的氨还原方法制备了GaN:Tb纳米颗粒. X射线衍射结果显示纳米颗粒为六方结构, 根据Scherrer公式, 计算得到了GaN:Tb纳米颗粒的平均晶粒大小为21.2 nm; 透射电子显微镜结果显示为GaN:Tb纳米颗粒尺寸均匀, 尺寸大小约为20 nm; 除正常的GaN Raman振动模式外, 还观察到了251和414 cm^-1 2个额外的Raman散射峰, 前者是表面无序或尺寸限制效应造成的, 而后者则是八面体Ga-N₆振动模式; 最后, 测量了GaN:Tb纳米颗粒的室温光致发光谱, 获得了Tb³⁺离子在可见光区(位于493.9, 551.2, 594.4和630.1 nm)的本征发光.     

溅射制备非晶氮化镓薄膜的光学性能

采用直流磁控溅射方法在不同的氩气-氮气（Ar-N₂）气氛中制备了非晶氮化镓（a-GaN）薄膜. X射线衍射分析（XRD）和拉曼光谱（Raman）表明薄膜具有非晶结构. 通过椭偏光谱（SE）得到薄膜的折射率和厚度都随着氩气分量的增多而增大. 紫外—可见光谱（UV-Vis）的测量得到,当氩气分量R,即Ar/（Ar+N₂）,为0%时,薄膜的光学带隙为3.90eV,比晶体GaN （c-GaN） 的较大,这主要是由非晶结构中原子无序性造成的;而当R关键词： 非晶氮化镓 溅射 光学带隙 带尾态     

溅射制备纳米晶GaN∶Er薄膜的室温发光特性

利用直流磁控共溅射方法制备了GaN:Er薄膜.X射线衍射结果显示薄膜为纳米多晶结构,根据谢乐公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为58nm;透射电子显微镜结果显示为非晶基质中镶嵌了GaN纳米颗粒,尺寸在6—8nm之间;紫外可见谱结果表明在500—700nm的可见光范围内,薄膜的平均透过率大于80%,在紫外可见谱基础上,利用Tauc公式计算得到了纳米晶GaN薄膜的光学带隙为322eV;最后,测量了GaN:Er薄膜的室温光致发光谱,获得了Er³⁺离子在554nm处的强烈绿光发射. 关键词： 纳米晶GaN薄膜 3+掺杂')" href="#">Er³⁺掺杂 光学带隙 光致发光