排序方式： 共有2条查询结果，搜索用时 15 毫秒
1
1.
离子束改性对颗粒膜巨磁电阻效应的影响 总被引：1，自引：0，他引：1
用射频磁控溅射方法在Si/SiO2衬底上制备了(NiFeCo)36Ag64颗粒膜.用四探针法测量了注入Co离子前后(NiFeCo)36Ag64颗粒膜巨磁电阻效应的变化.用场发射扫描电镜分析了颗粒膜的形貌及成分.实验结果表明:注入Co离子对颗粒膜巨磁电阻有显著的影响,在相同退火温度下,注入离子可使GMR效应提高一倍以上.随着退火温度增加,颗粒膜巨磁电阻效应先增加而后减小,在360℃下退火可获得10.2%的最大室温巨磁电阻效应. 相似文献
2.
巨磁电阻效应薄膜研究进展及其应用 总被引：5，自引：1，他引：4
由于巨磁电阻效应在基础研究上的重要意义及广泛的应用前景,在合金成分和膜／粒结构方面进行新的探索,寻找既具有低饱和场,又具有高GMR效庆的薄膜材料,已成为当前国际上磁性材料的研究热点之一,本文论述了电阻薄膜材料研究现状,发展前景及其在计算机硬盘读出磁头上的成功应用。 相似文献
1