顶部籽晶法生长磁光晶体硼酸铁

本文首次采用顶部籽晶泡生法在敞开体系中生长了出了磁光晶体硼酸铁单晶。选用Ｂ２Ｏ３作自助溶剂，ＬｉＦ作稀释剂，确定了原料配方。对长出的晶体作了初步的物化性能测试。讨论了晶体生长的结果。     

KTiOPO_4单晶的偏振喇曼散射谱

我们测量了KTiOPO_4单晶在300K和210K下的偏振喇曼散射谱(10～4000cm~(-1)范围)和该晶体粉末样品的红外吸收谱(200～4000cm~(-1)范围).利用群分析对谱线作分类指定,对所得结果作了分析讨论.     

[Co（amghCl2]3·[Co（amg）2Cl（OH）]·[Co（amg）（phen）]·（R2O）4的合成和晶体结构

本文合成了一个复杂的单核配合物 [Co(H2dmg)2Cl2]3·[Co(H2dmg)2Cl(OH)]·[Co(Hdmg)(phen)]·(H2O)4 (H2dmg＝dimethylglyoxime, phen＝1,10-Phenanthroline).通过X射线衍射技术获得其单晶结构.在单晶结构中,每五个单核钴(II)的配位结构形成一个重复单元,是一个较为复杂的单晶.其空间群为P-1,晶胞参数为a＝1.3738nm;b＝1.4396nm;c＝1.8656nm.本文中我们将讨论该化合物的分子结构及相关光谱性质.     

质子辐照后的KNbO3晶体的光折变响应特性

实验研究了质子辐照的KNbO₃晶体随光强变化的光折变响应特性,并测量了其光折变时间常数。实验结果揭示出在质子辐照后的KNbO₃晶体中存在着2种不同的光栅,其一是慢成分,是由晶体本身的光折变效应所产生;另一个则是快成分,是由于质子辐照后所产生的辐照效应。实验结果还反映出这2种光栅是由2种不同种类的载流子产生的。     

Yb∶YAG透明陶瓷的制备

采用溶胶-凝胶法制备了Yb3+掺杂浓度为5.0at;的Yb∶YAG超细粉体.利用真空热压和热等静压相结合工艺制备了尺寸为φ10 mm×2 mm的Yb∶YAG透明陶瓷.采用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)仪、扫描电子显微镜(Scanning electron microscope,SEM)和紫外/可见/近红外分光光度计对粉料的物相、透明陶瓷的显微结构和透过率进行了表征.XRD结果表明,前驱体经1000℃锻烧2 h后转变为纯YAG相,根据Scherrer公式计算出晶粒尺寸为38nm.断口SEM结果表明,陶瓷的平均晶粒尺寸为10 μM.样品1100 nm的透过率为81;,主吸收峰位于938 nm.     

高抗灰迹KTP晶体生长与性能研究

采用顶部熔盐籽晶法生长了具有高抗灰迹性能的KTiOPO4(HGTR-KTP)晶体,并对其透过光谱、光学均匀性、相位匹配角、抗激光损伤阈值等性能进行了表征和测试,与普通KTP晶体的对比和大功率激光实验表明该晶体具有高的抗灰迹性能。     

铌酸钾晶体的倍频特性研究

本文首次对我国生长的铌酸钾晶体的光学倍频特性进行了系统的理论计算和实验研究。     

KTP晶体的电光研究进展

本文简述了KTP晶体的电光性能并与KD*P、LN晶体进行了比较。概括了KTP晶体电光器件研究的主要进展。对水热法生长的KTP晶体和熔剂法生长的KTP晶体在电光应用中的优缺点进行了分析。最后介绍了熔剂法生长的低电导率KTP晶体在电光领域的应用研究。