用于MOS功率集成电路的VVMOS和NMOS相容技术研究

本文介绍了VVMOSFET和NMOSFET单片集成时阈值电压容差的理论估算和工艺试验结果,二者符合得较好.结果指出,即使用常规工艺制造技术把VVMOS功率晶体管相容集成到NMOS电路中去亦是可能的.     

金属氧化物半导体SnO_x薄膜对NO_x气体敏感性能研究

本文研究了用PECVD方法制备的SnO_∞薄膜对NO_2气体的敏感特性。控制薄膜厚度和化学成份可以获得对NO_2气体的高探测灵敏度和快动态响应。工作温度比体型低得多。此外,本文还阐述了SnO_∞薄膜的敏感机制。     

硅雪崩击穿冷微阴极的电子发射特性

制成高电子发射效率的稳定可靠的冷阴极是使真空微电子器件得以实现的关键。本文报导了硅超浅PN结雪崩击穿式冷阴极的结构和工作原理以及电子发射的测试结果。器件结构和工作原理冷阴极的基本结构如图1所示,图1中中心P~+N~(++)区是电子发射有源区。N~+环区为接触区。P~+和N~(++)区分别由硼和砷离子注入形成。硼注入条件为25KeV,1.5 E13cm~(-2)+60 KeV,1.5 E13cm~(-2)。硅片在B~+注入后放入900℃氮气中退火1小时,使硼离子得到有效激活。砷注入条件为10～12.5 KeV,5E14cm~(-2) ,注入后经1150℃、15秒快速热退火以使As离子得到有效激活而尽量减少杂质分布的变化。由此形成的N~(++)P~+结的结深约为300A。外加电压V_R通过N~+接触区和硅片底部加到N~(++)P~+结上。此外加电压极性使N~(++)P~+结反偏。当反偏电压V_R使N~(++)P~+结工作在雪崩击穿区时,     

V形槽壁热氧化膜质量的检测

用液晶显示、自愈合介质击穿和C-V测试等技术对V形槽壁上热生长二氧化硅膜进行了质量检测.检测结果表明,只要采用恰当的工艺,V形槽腐蚀并不伤害槽壁上热生长的二氧化硅膜.     

用于双极型工艺认证的微电子测试图形研究

本文提出一种用于科学地评价双极型半导体器件(npn或pnp晶体管)工艺水平的微电子测试图形。该测试图形由物理分析及工艺参数测试结构、器件参数测试结构等部分组成,测试结构的探脚采用阵列式引出,适合2×N探卡进行探测。多数测试结构能用我们研制的微电子测试图形参数自动测试仪进行及数据处理。文中还给出利用本测试图形对工厂生产线工艺水平进行评估的实例。     

用于双极型工艺认证的微电子测试图形研究

本文提出一种用于科学地评价双极型半导体器件(npn或pnp晶体管)工艺水平的微电子测试图形。该测试图形由物理分析及工艺参数测试结构、器件参数测试结构等部分组成,测试结构的探脚采用阵列式引出,适合2×N探卡进行探测。多数测试结构能用我们研制的微电子测试图形参数自动测试仪进行及数据处理。文中还给出利用本测试图形对工厂生产线工艺水平进行评估的实例。     

金属氧化物半导体SnO_x薄膜对NO_x气体敏感性能研究

本文研究了用PECVD方法制备的SnO_?薄膜对NO_2气体的敏感特性.控制薄膜厚度和化学成份可以获得对NO_2气体的高探测灵敏度和快动态响应.工作温度比体型低得多.此外,本文还阐述了SnO_?薄膜的敏感机制.