热丝CVD生长金刚石薄膜研究

本文研究了热丝CVD方法生长金刚石薄膜过程中,衬底表面的损伤处理对金刚石薄膜光学性能的影响,以及膜中非本征杂质吸收对其红外光学特性的影响。     

一种新的非晶态材料—氢化非晶碳膜

近几年来,具有类金刚石特性的氢化非晶碳膜(a—C:H)受到了越来越多的重视。本文详细综述了它的制备、结构、特性及应用。     

类金刚石薄膜裂纹的分形研究

本文用分形理论研究了类金刚石薄膜的裂纹结构,计算出它的分维D_r=1.25±0.02,发现裂纹呈Koch曲线(D_r=1.26),并且与Termonia和Meakin的模型较好地吻合(D-r=1.27±0.02)。     

热丝CVD方法生长金刚石薄膜中石墨成份控制

 在用热丝CVD方法生长金刚石薄膜中，研究了生长条件对制备膜中石墨和非晶碳成份的影响，发现较高的碳源浓度或较低的衬底温度会使制备膜中非金刚石相碳成份增加。     

Mo衬底生长金刚石薄膜表面晶形研究

 用HFCVD方法在Mo衬底上进行了金刚石薄膜生长研究，观察到在不同的反应压强条件下，金刚石薄膜晶粒的三种形貌，并且讨论了反应条件对晶粒形貌的影响以及菜花状大晶粒的构成机理。     

氢化非晶硅作为静电复印感光膜的应用

本文概述了氢化非晶硅作为静电复印感光膜的应用。讨论了非晶硅膜的电荷保持能力、感光特性以及膜的制备。     

非晶硅薄膜的低频辉光放电淀积

本文报导了利用低频(50赫)辉光放电法淀积非晶硅薄膜。测量了膜的电阻率、光学常数和红外吸收谱。实验表明该膜有良好的肖特基势垒特性和对硅器件的表面钝化作用。     

非晶硅钝化工艺及机理

氢化非晶硅是一种新的半导体器件表面钝化材料。本文比较详细地阐述了这种钝化膜的淀积,以及钝化工艺和钝化机理。     

非金刚石衬底生长金刚石薄膜中过渡层存在的机理研究

 应用界面能量理论，研究了非金刚石衬底低压气相生长金刚石薄膜中的过渡层问题。提出了过渡层存在的理论机制，较好地解释了一些关于过渡层研究的实验现象。