结构参量对左手材料通带位置影响的研究

基于金属短板对和连续金属线(short-slab pair and continuous wires)复合结构,从理论上系统地研究了在THz波段结构参量对左手材料通带位置的影响.数值模拟结果表明,改变金属板宽度或厚度、连续金属线的长度或厚度都会引起左手材料通带位置向较高频段偏移. 关键词： 负折射 左手材料 结构参量 通带     

抗磁悬浮振动能量采集器动力学响应的仿真分析

分析了微型抗磁悬浮振动能量采集器中悬浮磁体的受力特性,发现了能量采集器的单稳态和双稳态现象,研究了能量采集器在不同工作状态下该两种稳态类型时的动力学响应特性.当能量采集器处于非工作的单稳态状态时,其动力学响应是在线性系统的基础上加入非线性扰动、幅频响应曲线向右偏转;热解石墨板间距越大,非线性扰动越强烈,右偏现象则越显著.当能量采集器处于非工作的双稳态状态时,其动力学响应比较复杂,出现倍周期、4倍周期以及混沌等非线性系统特有的现象.当能量采集器处于工作状态的双稳态状态时,其振动频率和外界激励频率保持一致,进行周期振动.该研究对抗磁悬浮振动能量采集器的结构设计具有重要的参考价值,为提高能量采集器的响应特性和输出性能提供了理论指导.     

影响棉铃虫的发生因子及其防治技术措施

棉铃虫是为害棉花的主要害虫之一，70年代末在本地区为害棉花严重，以后通过开展综合防治工作和引进杀伤该虫的新型特效药剂--菊酯类农药，该虫得到了有效控制。至1994年以来棉铃虫的危害逐渐加重，发重数量是常年的15-20倍，发生期比常年提前7-10天，而且发育参差不齐，世代重叠给防治工作带来很多困难。     

一种宽频带超材料吸波体的设计及其特性

为了获得吸收率高、吸波带宽宽的超材料,设计了一种谐振超材料吸波体.该吸波体由多个开口圆环组成,采用商业软件CST Studio Suite 2009频域求解器计算了其在25～35 GHz波段内的S参量,并计算了其吸波率A(ω),在28.4 GHz处吸收率达到86％,带宽达到3.5 GHz.利用不同吸波频段的叠加效应,设计了一种谐振超材料吸波组合体,计算了在25～35 GHz波段的S参量,在29.7 GHz处吸波率达99.9％,吸波带宽达到3.1 GHz,吸收率明显增加.将GHz波段的结构缩小1 000倍,在THz波段同样可以达到高吸收,说明超材料吸波体可以通过对结构尺寸调节改变吸收波段.同时,对其阵列进行仿真计算,发现不同的排列方式仿真结果不同.由于各个谐振环之间的相互作用对吸收效果影响较大,吸收率减小.该吸波材料由金属组成,能灵活地对介电常量和磁导率进行调节,从而实现高吸收.     

菲涅耳非相干数字全息大视场研究

菲涅尔非相干相关全息术(Fresnel incoherent correlation holography, FINCH)通过空间光调制器(spatial light modulator, SLM)将来自物点的光波分解为曲率半径不同的两束自相干光,干涉条纹由CCD记录.由于受限于SLM与CCD的像素数目及像素尺寸, FINCH技术与光学全息术相比记录视场要小得多.本文通过对FINCH系统的记录过程进行理论分析,给出了SLM所能记录的视场角,说明通过调控加载在SLM上的双透镜光轴中心,能够扩大SLM的有效直径从而将SLM的有效记录范围增大2.77倍,有效扩大了系统的记录视场.搭建了非相干光反射式数字全息记录系统并对理论分析进行了实验验证,结果表明:在SLM上依次加载不同光轴中心位置的双透镜掩模进行FINCH记录及再现,将得到的各子图像拼接融合可以得到高分辨率大视场图像,为菲涅尔非相干全息术在高分辨大视场显微成像的进一步应用提供了有力支撑.     

核电站故障诊断与故障程度评估方法

为了在核电站发生事故时,快速准确地识别出故障类型并对故障程度进行有效地评估,帮助操作人员获取事故发生原因及事故的详细信息,辅助操作人员及时地采取相应的安全有效的防护措施,确保核电站的安全运行,采用BP神经网络对核电站部分典型故障进行诊断,在确定故障类型后,利用多BP神经网络实现对故障程度的评估,并使用C# 4.0程序语言开发了核电站实时故障诊断与故障程度评估系统。通过PCTran实时仿真软件对该系统进行了验证,实验验证结果表明,该系统能够正确地诊断核电站常见的典型故障,并能够实现对故障程度合理有效的评估。     

农八师—四八团场棉铃虫监测初报

应用黑光灯、性诱剂，杨枝把等诱捕手段监测148团场棉铃虫的发生情况，经过两年监测表明，该团棉铃虫一年发生三代，第一代棉铃虫幼 虫主要为害麦田，第二代和第三代幼虫主要为害棉花。尤其是第三代为害棉花比较重，蔬菜田发生为害比较均匀。黑光灯监测表明，越冬代始见期逐年提前，数量逐年增加，成虫雌雄比例差异显著。雌虫多于雄虫。     

Effects of proton irradiation at different incident angles on InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs

InP-based high electron mobility transistors(HEMTs) will be affected by protons from different directions in space radiation applications. The proton irradiation effects on InAlAs/InGaAs hetero-junction structures of InP-based HEMTs are studied at incident angles ranging from 0 to 89.9° by SRIM software. With the increase of proton incident angle, the change trend of induced vacancy defects in the InAlAs/InGaAs hetero-junction region is consistent with the vacancy energy loss trend of incident protons. Namely, they both have shown an initial increase, followed by a decrease after incident angle has reached 30°. Besides, the average range and ultimate stopping positions of incident protons shift gradually from buffer layer to hetero-junction region, and then go up to gate metal. Finally, the electrical characteristics of InP-based HEMTs are investigated after proton irradiation at different incident angles by Sentaurus-TCAD. The induced vacancy defects are considered self-consistently through solving Poisson's and current continuity equations. Consequently, the extrinsic transconductance, pinch-off voltage and channel current demonstrate the most serious degradation at the incident angle of 30?, which can be accounted for the most severe carrier sheet density reduction under this condition.     

掩膜板凸出环隔离压缩式纳米压印施压气体的研究

在半导体微纳加工技术中, 纳米压印由于具备低成本、高产出、超高分辨率等诸多优势而备受研究者和半导体厂商的青睐, 有望成为下一代光刻技术的重要备选支撑技术之一. 然而在其施压流程中, 由于气体诱捕或陷入所造成的气泡缺陷问题直接关系到图案复制的成功率和完整性, 因此避免气泡缺陷, 阻止气泡进入模穴是亟待解决的关键问题. 提出一种适用于在气体环境中进行气压压缩式纳米压印工艺并避免气体进入掩膜板基板间隙的方法. 采用带有刻蚀一定宽度凸出环的掩膜板, 凸出环与基板形成环板毛细缝隙, 图形转移介质流体在其中形成毛细液桥, 使掩膜板-介质-基板形成独立的封闭腔, 转移介质黏附力所产生的静摩擦力及介质流体表面张力所诱导的毛细力抵抗施压气体, 有效地阻止气体进入空穴形成气泡缺陷.通过理论解析推导求出针对具有不同表面特性转移介质流体的凸出环有效宽度, 为掩膜板制备提供理论依据. 关键词： 纳米压印 凸出环 毛细液桥 静摩擦力