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Material structures and device structures of a 100-GHz InP based transferred-electron device are designed in this paper. In order to successfully fabricate the Gunn devices operating at 100 GHz, the InP substrate was entirely removed by mechanical thinning and wet etching. The Gunn device was connected to a tripler link and a high RF(radio frequency)output with power of 2 mW working at 300 GHz was obtained, which is high enough for applications in current military electronic systems. 相似文献
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根据拉格朗日法建立了多轴全轮转向车辆的三自由度动力学模型和运动微分方程,采用零质心侧偏角控制策略,研究了车辆作稳态转向时,其转向中心位置、横摆角速度增益及侧倾角增益如何随车速而变化,并且给出了稳态圆周行驶的评价指标。在零质心侧偏角控制策略下,讨论了多轴全轮转向车辆的转向特性,分析了影响转向性能的因素。为多轴全地面起重机的转向设计提供了理论依据。 相似文献
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各种环境毒物危害着人类的生产生活,二噁英更是严重危害人类的健康.C12H4Cl4O2(2,3,7,8-tetrachlorodibenzo-p-dioxin,TCDD)是二噁英中毒性最强的化合物,也是目前已知毒性最强的污染物.为研究TCDD外场效应,采用密度泛函理论方法优化了不同静电场0–0.025 a.u.(0–1.2856×1010 V/m)作用下TCDD分子的基态几何结构,得到了分子总能量;在此基础上,采用含时密度泛函理论方法对TCDD分子的紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱在不同外电场下的变化进行了研究.结果表明:分子几何构型与电场大小呈现强烈的依赖关系,分子总能量随着外电场的增强而减小;伴随着外电场的增强,分子激发态的摩尔吸收系数逐渐减小,UV-Vis吸收峰显著红移. 相似文献
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氩环境气压对激光烧蚀沉积纳米硅薄膜形貌的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用脉冲激光烧蚀技术在氩气环境下制备了纳米硅薄膜,研究了环境气体压强对纳米硅薄膜表面形貌的影响. 结果表明,当环境气压小于50 Pa时,薄膜表现为常规的量子点镶嵌结构;当环境气压大于50 Pa时,薄膜中出现类网状的絮结构,继续增大氩气压,絮结构逐渐增大,且其隙度增大. 指出该现象与在激光烧蚀过程中纳米硅团簇的形成过程有关. 相似文献
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基于第一性原理计算方法研究了CdxZn1-xSe三元合金以B3(闪锌矿),硫钒铜矿(P43 m)及四方(P42 m)相存在时的结构、电子和光学特性.对这些三元合金中的晶格常数、体积弹性模量及能带隙的大小对Cd含量x的依赖关系进行了分析.计算和讨论了这些合金中的角动量投影态密度的分布和变化情况.对CdxZn1-xSe三元合金的一些光学特性,如介电函数、折射系数和能量损失函数,也进行了计算和讨论,计算中所用的入射光子能量范围为0~25eV.研究结果与文献中已有的数据相当吻合. 相似文献
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为评估室内LED光源潜在的光生物安全风险,搭建了光生物安全测试系统平台.在该系统平台上对常用的几款室内LED光源进行了较全面的光生物安全测试.并对照标准GB /T 20145—2006《光源和光源系统的光生物安全》的要求,对实验结果作了较为详细的分析,对该光源的危险类别做了判定划分.该报告分析对搭建室内LED产品的光生物安全性测试系统以及研究其测试方法均具有一定的参考意义. 相似文献
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采用矢量场模型,对具有诱人应用前景的圆柱形垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的模式阈值增益进行了数值模拟;为减弱金属圆柱的反射以使理论计算更接近实际,采用两种方案,将外加金属包壳视为非理想导体,或在此基础上,将金属包壳与激光器主体结构隔开. 从模式的阈值增益与顶Bragg反射镜层周期数的关系方面,与理想金属外包壳情况进行了比较. 结果表明,高阶贝塞耳函数模式的阈值增益变化规律基本相同,而0阶贝塞耳函数模式的阈值增益变化规律相差较大. 相似文献
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利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对微电子技术常用的Si,SrTiO3单晶基片进行了表面结构分析.研究了硅基片的不同清洗工艺对衍射图样的影响,发现衬底的处理工艺非常重要.借助于反射式高能电子的衍射图样和理论分析,计算出与理论值相近的SrTiO3基片晶格常数.结果表明,高能电子衍射仪可以被用于计算生长在基片上的外延薄膜面内晶格常数. 相似文献
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A planar InP-based Gunn diode with a notch doping structure is designed and fabricated for integration into millimeter-wave and terahertz integrated circuits.We design two kinds of InP-based Gunn diodes.One has a fixed diameter of cathode area,but has variable spacing between anode and cathode;the other has fixed spacing,but a varying diameter.The threshold voltage and saturated current exhibit their strong dependences on the spacing(10 μm-20 μm) and diameter(40 μm-60 μm) of the InP Gunn diode.The threshold voltage is approximately 4.5 V and the saturated current is in a range of 293 mA-397 mA.In this work,the diameter of the diode and the space between anode and cathode are optimized.The devices are fabricated using a wet etching technique and show excellent performances.The results strongly suggest that low-cost and reliable InP planar Gunn diodes can be used as single chip terahertz sources. 相似文献