开关稳压电源性能的改进

详细分析了开关稳压电源的工作过程，并针对功率晶体管的二次击穿，提出了RC吸收网络，并通过优化基极驱动减少晶体管的开关损耗，从而提高开关稳压电源的性能。     

有机电致发光器件的电极研究

介绍了有机电致发光器件的电极研究进展,着重分析了电极性能的改进机制。对于阳极,为了利干空穴的注入和可见光透射,一般应选择功函数较高的透明导电材料。由于铟锡氧化物(ITO)是目前使用最为广泛的阳极材料,所以着重探讨了对ITO膜各种处理方法的改进机理,认为虽然氧空位浓度、C污染、Sn浓度都对ITO的表面功函数有影响,但C污染是主要因素;一种较好的处理方法是既能有效清除C污染,同时又尽可能使ITO膜的电阻率降低,所以中度氧等离子体处理是一种较为理想的途径。对于阴极,为了利于电子的注入,应选择功函数较低且化学性质较为稳定的材料;层状阴极可以较好地实现这一目的,并分别从隧穿效应、界面能带弯曲及减少淬灭中心等方面解释了金属/绝缘层双层阴极的改进机理,认为这三个方面共同起了作用,但主次不一。     

有机反转电致发光器件的负阻特性

对结构为Si/Al/Alqs/PVK:TPD/PTCDA/ITO的有机反转电致发光器件Ⅰ-Ⅴ特性的测量发现,其电压出现了峰值的负阻现象.分析表明:高电压注入时,器件内形成了高浓度的等离子体;载流子寿命和迁移率随注入电压变化;特别是体内出现了严重的电导调制效应使得器件由高阻区变为低阻区,这些是形成负阻特性的主要原因.通过引入双极迁移率和双极扩散系数将空穴和电子的电流连续性方程联合起来,解释了具有负阻区段的Ⅰ-Ⅴ特性曲线.     

一种多层阳极在电致发光中的应用

报道了一种新型的多层阳极结构在电致发光器件中的应用,其结构为ITO/Ag/ITO,该阳极表面方块电阻为2 Ω/口.制成器件的结构为ITO/Ag/ITO/TPD:PVK/Alq/Al,在同样测试条件下,测得其发光亮度为ITO/TPD:PVK/Alq/Al器件的5倍.另外对器件亮度的衰减作了研究.     

Air-stable ambipolar organic field effect transistors with heterojunction of pentacene and N,N'-bis(4-trifluoromethylben-zyl)perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic diimide

Fabrication of ambipolar organic field-effect transistors (OFETs) is essential for the achievement of an organic complementary logic circuit. Ambipolar transports in OFETs with heterojunction structures are realized. We select pentacene as a P-type material and N,N'-bis(4-trifluoromethylben-zyl)perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic diimide (PTCDI-TFB) as a n-type material in the active layer of the OFETs. The field-effect transistor shows highly air-stable ambipolar characteristics with a field-effect hole mobility of 0.18~cm²/(V.s) and field-effect electron mobility of 0.031~cm²/(V.s). Furthermore the mobility only slightly decreases after being exposed to air and remains stable even for exposure to air for more than 60 days. The high electron affinity of PTCDI-TFB and the octadecyltrichlorosilane (OTS) self-assembly monolayer between the SiO₂ gate dielectric and the organic active layer result in the observed air-stable characteristics of OFETs with high mobility. The results demonstrate that using the OTS as a modified gate insulator layer and using high electron affinity semiconductor materials are two effective methods to fabricate OFETs with air-stable characteristics and high mobility.     

高等师范院校电子类专业人才培养目标与课程体系改革构想

根据高等师范院校电子类专业的专业特点和培养目标要求，提出了新的人才培养目标和课程体系构想。     

PTCDA/ITO表面和界面的X射线光电子能谱分析

利用X射线光电子能谱对PTCDA/p-Si有机/无机光电探测器中PTCDA/ITO表面和界面进行了测试分析。结果表明,苝环上的C原子的结合能为284.6 eV,酸酐中的C原子的结合能为288.7 eV,并存在来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象,界面处C(1s)谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能发生化学位移;CO键中O原子的结合能为531.5 eV,C—O—C键中的O原子的结合能为533.4 eV。     

用AFM和XPS研究LiBq4/ITO的表面和界面

用原子力显微镜(AFM)研究了LiBq4／ITO样品表面形貌,结果表明LiBq4层中存在很多裂缝和空隙。用X射线光电子谱(XPS)研究样品表面和界面的电子状态,发现Cls谱在高结合能端出现氧化特征的肩峰,表明真空蒸发沉积的LiBq4分子存在明显的氧化现象;对Bls谱的分析发现,界面处B原子的相对值远低于理论值,说明界面处存在B原子离解,导致了LiBq4分子的更高氧化态;从Cls谱发现,表面污染C的比例很高,而界面处大为下降,原因是表面吸附了气体,从而证实了LiBq4表面存在大量空隙和裂缝。定量研究发现,界面处存在N原子与In、Sn原子的相互作用,这将影响LiBq4的发光颜色。     

原子力显微镜与x射线光电子能谱对LiBq4/ITO和LiBq4/CuPc/ITO的表面分析

利用原子力显微镜对8-羟基喹啉硼化锂(LiBq4)/铟锡氧化物和8-羟基喹啉硼化锂/酞菁铜(CuPc)/铟锡氧化物表面分别进行了扫描,显示了LiBq4在不同衬底上的形貌差异,并进一步利用样品表面的x射线光电子能谱图验证了这一差异.实验表明,CuPc层的加入改善了LiBq4的成膜质量,并将这种改善归因于分子构型与电子亲和势的不同.     

蓝色有机电致发光材料8-羟基喹啉硼化锂结构表征及其对荧光性质影响研究

介绍了8-羟基喹啉硼化锂(LiBq4)的制备步骤及其提纯方法.通过x射线衍射谱、红外光谱、核磁共振谱、荧光光谱、紫外和可见光区域的吸收光谱测试分析,定性说明了物质结构形式;给出了中心原子B和配位体中的N,O原子之间的作用情况,指出B只与O形成共价键,而和N不形成共价键.给出了各种光现象发生所在的能级;指出了LiBq4是属于受B离子微扰的有机配位体(喹啉环)发光;实验结果还表明,除N和B间零共价作用外,B-O间的强共价键实际上是导致LiBq4荧光光谱发生蓝移的另一个非常重要的因素;在光谱分析基础上,对影响LiBq4荧光峰值波长的各种因素进行了研究.