投标合谋环境下产业升级的逆向演化研究

投标合谋行为已成为全国性、多领域的群体性违规问题,其存在不仅对我国经济造成了巨大损失,同时也阻碍了行业的健康有序发展.为研究投标合谋行为自身演化规律及其对产业发展的影响,给相关的监管和治理提供参考,本文基于复杂适应系统理论,运用NetLogo多主体仿真平台构建招投标系统并进行演化仿真,最后运用SPSS对所得数据进行回归分析,探索在市场封闭、单纯开放市场、有条件开放市场3种市场情景下合谋比例与报价比例对产业演化过程和结果的影响.研究表明:投标合谋行为会产生"逆向淘汰"效应,不利于降低行业成本,最终导致产业升级逆向演化;合谋行为存在"自我强化"现象;合谋行为会提高合谋者生存几率,但无助于其资本积累;单纯开放市场无助于产业升级,必须配合反合谋审查;现实中应重点对报价比例为0.1到0.3的单位进行合谋审查.     

学科馆员服务“破冰”模式浅析——以成都理工大学图书馆为例

10余年来,随着信息环境的变化,学科馆员服务得到了一定的发展。但是,仍有部分图书馆由于种种原因无法顺利推进该项服务,需要一个切实可行的＂破冰＂模式。以成都理工大学图书馆为例,从顶层支持、管理、服务和人员素养4个方面,探讨了在不改变原有机构设置的基础上打破传统服务模式的问题。     

Al2O3衬底无催化剂生长GaN纳米线及其光学性能

采用一种绿色的等离子增强化学气相沉积法,以Al2O3为衬底, Ga金属为镓源, N2为氮源,在不采用催化剂的情况下,成功制备获得了结晶质量良好的GaN纳米线.研究表明,生长温度可显著调控GaN纳米线的形貌,当反应温度为950℃时,生长出的GaN微米片为六边形;当反应温度为1000℃时,生长出了长度为10-20μm的超长GaN纳米线.随着反应时间增加, GaN纳米线的长度增加. GaN纳米线内部存在着压应力,应力大小为0.84 GPa.同时,也进一步讨论了GaN纳米线无催化剂生长机制. GaN纳米线光致发光结果显示, GaN纳米线缺陷较少,结晶质量良好,在360 nm处有一个较为尖锐的本征发光峰,可应用于紫外激光器等光电子器件.本研究结果将为新型光电器件低成本绿色制备提供一个可行的技术方案.     

浅谈地质勘察测绘中的RTK技术

本文阐述了RTK技术实时动态测量的原理,最后根据实例去分析RTK技术在在地质测绘中的应用,仅供参考。     

提高学生的阅读兴趣推进学校的素质教育

简述了中等职业学校的图书馆，如何充分利用馆藏资源，对学生实施素质教育。同时对素质教育的意义、地位、作用等问题进行了阐述，并对中职学校图书馆在素质教育中文献资源、学习环境、记者服务等方面所具有的优势进行了探讨。     

一种小型化高效小功率反激式开关电源设计

为实现小功率开关电源的高效率和小型化,应用多层印制电路板高频平面变压器技术,设计并制作了基于电流型脉宽集成控制芯片UC3842的隔离单端反激式开关电源。分析了选用MOSFET开关管及电阻/电容/二极管箝位元件的依据和方法,试验结果验证了设计的有效性。将高频平面变压器应用于反激式开关电源中,使得该电源模块高度低,体积小,电磁干扰小,满载效率达到89%。     

光电校靶中捷联惯导轴线的表征校准方法

光电校靶采用捷联惯导系统,需将惯导轴线用光电自准直系统表征捷联,用于对设备轴线的测量.光电自准直系统所表征的轴线与惯导轴线的一致性是影响校靶精度的重要因素,为提高光电校靶系统测量精度和效率,提出了一种惯导轴线的光电表征和校准方法.该方法是在分析测量结果偏差与一致性关系的基础上,采用实验数据拟合的方式得到自准直系统光轴与...     

开关电源中的平面变压器技术与应用

对开关电源中的平面变压器技术进行了较全面的综述。介绍了平面变压器的结构特点,分析了平面变压器的优势与不足之处,总结了平面变压器的分类,并指出了平面变压器的设计方法,最后对平面变压器技术进行了展望。     

广东制造业集聚转移博弈与产业空间结构演进——陶瓷产业转移（佛山南庄-清远源潭）案例研究

聚久必分,制造业集聚尽管推动了区域经济的发展,但是发展到一定阶段,受企业战略和集聚区内外部环境的影响,集聚企业开始迁移。本文基于＂广东双转移＂背景下,以佛山南庄陶瓷产业转移及清远源潭陶瓷产业承接为案例对比,探讨制造业集聚转移中转出地和转入地的博弈,以及产业集群式转移后对转出地和转入地产业空间结构的影响。珠三角传统的制造业集聚区通过产业有序转移,达到＂腾笼换鸟＂的产业升级优化目的,从制造业中心转变为先进服务业中心。欠发达地区通过承接产业转移,从农业外围演变为制造业中心,而产业空间转移过程中带来的污染转移则是转移的一大制约因素。     

四方结构GaN纳米线制备、掺杂调控及其场发射性能研究

作为最重要的第三代半导体材料之一,纳米氮化镓(Ga N)也引起了人们的广泛关注与重视.本文采用微波等离子体化学气相沉积(microwave plasma chemical vapor deposition, MPCVD)系统,成功地制备出了四方截面的Ga N纳米线,其纳米线半径为300—500 nm,长度为15—20μm.研究发现,通过调控掺杂Mg的比例,可以实现其截面结构从三方向四方转变.通过进一步地研究Mg掺杂调控其截面结构的物理机制,提出其三方-四方截面结构的转变应该来源于其纳米线的气-液-固(VLS)生长向自催化气-固(VS)生长模式的转变.对所制备的纳米线进行了光致发光(photoluminescence, PL)光谱分析,结果表明四方结构Mg掺杂Ga N纳米线发光峰红移至386 nm.采用所制备的纳米线进行了场发射性能研究,结果表明四方结构Mg掺杂Ga N纳米线开启电场为5.2 V/μm,并能保持较高电流密度,相较于三方结构未掺杂Ga N纳米线场发射性能有一定提高,进而分析掺杂以及形貌结构对Ga N纳米线场发射的影响机制.研究结果不仅给出了一种四方结构Ga N纳米线的制备方...