铜(Ⅱ)四配位卤素络离子的电子结构与吸收光谱

本文给出了在络离子CuX₄^--(X=Cl,Br)中的配位体与中心离子的晶场能级。在考虑晶场效应之后,利用改进了的Wolfsberg-Helmholz分子轨道法,计算了该络离子的基态与一些激发态的能量。计算结果与所观察到的配位场跃迁带及电子迁移带的一些特性基本相符。     

深深怀念虞福春先生

我在北大物研室(546信箱)跟先生学习时，曾希望向先生学习核磁共振，先生因在核磁共振研究中发现了化学位移效应而享誉世界。先生在给我讲授知识的同时，告诫我要按国家需要来挑选所学专业，以自身的经验教育我参加实验室建设是研究生学习的最好的途径之一。     

正电子素络合形成研究(英文)

本文讨论了正电子素与在30％(v/v)乙醇—水及20％(v/v)二氧六环—水溶剂中的N—(对位取代苯基)氨基乙酸、N—(间位取代苯基)氨基乙酸间的络合形成。描述了应用BaF_2闪烁记数器的正电子湮没寿命谱仪。藉助于这个新型的正电子湮没寿命谱仪,测量了正电子素与溶液中的氨基乙酸衍生物的络合形成的反应速度常数。结果表明,其反应速度常数值依赖于苯环的共轭效应、取代苯基的诱导效应及溶剂的性质。在反应速度常数与N—取代苯基氨基乙酸的碱性离解常数的负对数值间存在着线性自由能关系。这表明,正电子素与分子的瞬态络合形成很象通常的化学反应,遵守经典的规律。     

Ga＿（0．5）In＿（0．5）P外延薄膜的近红外光致发光

在本工作中，首次用近红外光致发光法观察到在ＧａＡｓ衬底上用金属有机化学相沉积方法（ＭＯＣＶＤ）生长的Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）Ｐ外延薄膜所发射的１．１７、０．９９及０．８５ｅＶ的个新发光峰。其中只有１．１７ｅＶ发射与Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）Ｐ外延薄膜的部分有序结构有关。实验获得的１．１７ｅＶ发射的变温与变激发强度特性可用受主－施主对复合来很好地给予解释。该受主－施主对系由镓空位作为受主及与其最邻近的镓子格子上的碳作为施主所组成。在考察Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）Ｐ外延薄膜的部分有序结构与其受主－施主对复合能间关系的基础上，导出了受主－施主对跃迁的新的能量方程。     

Relations between compositional modulation and atomic ordering degree in thin films of ternary III—V semiconductor alloys

This paper derives the expressions for the ordering degree and the modulation factor of A and B atoms in A_xB_1-xC epilayers of ternary III--V semiconductor alloys. Using these expressions, it identifies quantitatively the alternating atom-enhanced planes, compositional modulations, atomic ordering degree on the group-III sublattices and the fine structure of NMR spectra.     

利用BaF2晶体快速闪烁发光性质改进正电子湮没寿命谱仪

测量BaF2晶体闪烁发光长短两种寿命成分的光电子产额,利用它的短成分发光极快的特点研制核辐射探测中的定时探测器,采用于正电子湮没寿命谱仪中使谱仪的时间分辨率由FWHM=270ps(ps:微微秒)改进到190ps(计数效率不改变)或者使计数效率提高10倍(时间分辨率相同)。     

核磁共振法测定航空燃油含氢量的软件设计

观测并分析了用射频线圈得到的核磁共振信号的特点,注意到两个连续核磁共振峰值高度不同,在磁场上升时的核磁共振峰大于磁场下降时的核磁共振峰.本文对用微型计算机及微处理器控制的核磁共振法测量航空燃油含氢量中的软件进行了讨论,给出了软件流程图.     

Si衬底上生长的GaAs薄膜中深中心发光的温度效应

测量了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱，研究了０．７８ｅＶ、０．８４ｅＶ和０．９３ｅＶ发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系，发现它们的发光强度随温度的变化服从描述非晶半导体中局域态发光的公式。最后讨论了这些发光带的来源。     

铜(Ⅱ)四配位卤素络离子的晶场光谱与立体构形

给出了CuX₄^-(X=Cl,Br)的晶场能级,导出了这些络离子的立体构形与它们的晶场吸收带位置之间的关系式。计算结果与实验值很好相符。