硅栅CMOS集成电路测试图形的研究

本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。     

利用微电子测试图形研究CMOS IC的锁定效应

体硅 CMOS IC 内不可避免地存在着寄生 pnpn 四层结构,在一定条件下,导致器件闭锁失效。本文结合专门用于研究 CMOS IC 内锁定的微电子测试图形,对以设计、工艺制备的一系列组合测试结构,进行测试,并对锁定现象作对比分析,提出了优化设计的途径。     

硅栅CMOS集成电路测试图形的研究

本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。     

薄层电阻测试结构的研究

本文叙述了Van der Pauw(VDP)测试结构的基本原理及测量方法。试制了七种这类的测试结构。用圆形VDP结构和匹种不同形状的十字形结构对基区、发射区的薄层电阻进行了测量,以检查扩散的均匀性,不同结构测得结果基本相符。用十字——桥结构测量了窗口的育效宽度,用平面四探针结构测量了单晶衬底的电阻率。结果说明测试结构确是监察工艺的有效工具。     

用于双极型工艺认证的微电子测试图形研究

本文提出一种用于科学地评价双极型半导体器件(npn或pnp晶体管)工艺水平的微电子测试图形。该测试图形由物理分析及工艺参数测试结构、器件参数测试结构等部分组成,测试结构的探脚采用阵列式引出,适合2×N探卡进行探测。多数测试结构能用我们研制的微电子测试图形参数自动测试仪进行及数据处理。文中还给出利用本测试图形对工厂生产线工艺水平进行评估的实例。     

用于双极型工艺认证的微电子测试图形研究

本文提出一种用于科学地评价双极型半导体器件(npn或pnp晶体管)工艺水平的微电子测试图形。该测试图形由物理分析及工艺参数测试结构、器件参数测试结构等部分组成,测试结构的探脚采用阵列式引出,适合2×N探卡进行探测。多数测试结构能用我们研制的微电子测试图形参数自动测试仪进行及数据处理。文中还给出利用本测试图形对工厂生产线工艺水平进行评估的实例。     

薄层电阻测试结构的研究

本文叙述了 Van der Pauw(VDP)测试结构的基本原理及测量方法。试制了七种这类的测试结构。用圆形 VDP 结构和四种不同形状的十字形结构对基区、发射区的薄层电阻进行了测量,以检查扩散的均匀性,不同结构测得结果基本相符。用十字——桥结构测量了窗口的有效宽度,用平面四探针结构为测量了单晶衬底的电阻率。结果说明测试结构确是监察工艺的有效工具。