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二氧化碳和氧气的快速电化学方法联合测定 总被引:4,自引:0,他引:4
根据O2和CO2在二甲亚砜(DMSO)介质中Pt电极上的伏安特性,采用微电极并结构计算机控制的电位调制技术,建立了快速联合测定CO2和O2的调制电位脉冲库仑法和调制电位脉冲电流法,取得了满意的结果。一次测量时间快达40ms。CO2检测范围0 ̄10%(体积百分比);O2检测范围不受限制。通过编程设计特定的调制电位-时间波形,可保持连续检测的长期稳定性。 相似文献
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发展并建立了用于快速联合检测O2和CO2气体的调制电位脉冲微库仑法.对在非水电化学体系中实现两者一次检测的实时动态传感技术进行了系统研究.结果表明,这一新的电化学传感技术可望用来实时监测生物呼吸代谢过程中O2和CO2气体分压的动态变化 相似文献
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就非电活性气体CO2检测所遇到的若干电化学问题,诸如CO2电的和直接电流法测定,O2的干扰以及CO2和O2气体的同时检测等,进行了系统的研究,先后提出并建立了微电流法,耗尽电解除氧法,调制电位脉冲-电流/库仑法等电化学流量方法,最终实现常温下CO2和O2气体的快速电化学方法联合检测,即消除了O2的干扰,又无需CO2在电极上直接还原。 相似文献
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用ZnO陶瓷靶,采用脉冲激光沉积(PLD)技术在c-Al2O3衬底上制备了ZnO薄膜。通过不同温度下光致发光(PL)光谱的测量,对样品的紫外发光机理进行研究。 在较低温度(10 K)下的PL光谱中,观测到一个位于3.354 eV处的束缚激子(D0X)发射,随着温度的升高(~50 K),在D0X的高能侧观测到了自由激子的发射峰。在10 K温度下,3.309 eV处出现了一个较强的发光带A,此发光带强度随着温度升高先增大然后减小,并且一直延续到室温。重点讨论了此发光带的起源,并认为A带可归属于自由电子-受主之间的复合发射。 相似文献
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在不同衬底温度(室温~750 ℃)条件下,采用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英玻璃和单晶硅(111)衬底上制备了Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜。结果显示:衬底温度的变化导致衬底表面吸附原子扩散速率和脱附速率的不同,从而导致合成薄膜结晶质量的差异,衬底温度450 ℃时制备的GZO薄膜具有最好的结晶特性;GZO薄膜中载流子浓度随衬底温度升高而单调减小的现象与GZO薄膜中的本征缺陷密切相关,晶界散射强度的变化导致迁移率出现先增大后减小的趋势,衬底温度450 ℃时制备的GZO薄膜具有最小的电阻率~0.02 Ω·cm;随着衬底温度的升高,薄膜载流子浓度的单调减小导致了薄膜光学带隙变窄,所有合成样品的平均可见光透过率均达到85%以上。采用PLD方法制备GZO薄膜,衬底温度的改变可以对薄膜的光电性能起到调制作用。 相似文献
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使用微电极并融合计算机控制的快速电势调制技术,推出了一类全新的暂态电化学多组份气体传感器--"电势脉冲调制型气体传感器”.与常规的稳态电化学气体传感器比较,优化了传感器性能,拓展了传感器新的功能和功能集成化. 相似文献
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采用化学气相法分别在石英舟内表面和单晶硅衬底上制备了ZnO微米片、纳米线、微米四足体以及微米球4种结构,并制作了相应的气敏传感器。扫描电子显微镜、气敏测试仪等结果显示:合成的ZnO纳米/微米结构尺寸在200 nm~100 μm之间,传感器最佳工作电流区间为120~130 mA,其中微米四足体制备的传感器灵敏度高达127,展现出优异的气敏特性。在4种结构中,微米四足体材料内部的VO缺陷含量最高,结合气敏测试与荧光光谱结果,我们认为材料内部的VO缺陷含量是影响材料气敏特性的最重要因素。 相似文献
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采用阴极电沉积法,在Zn(NO3)2水溶液中,以304不锈钢为衬底制备了ZnO薄膜,研究了Zn2+浓度和电流密度对ZnO薄膜择优取向的影响规律。XRD结果表明:随着Zn2+浓度和电流密度增大,ZnO薄膜逐渐由(002)面择优取向生长转变为(101)面择优取向生长;当Zn2+浓度为0.005mol.L-1、电流密度为2.0mA.cm-2或Zn2+浓度为0.05mol.L-1、电流密度为0.5mA.cm-2时,可以得到(002)面择优取向生长的ZnO薄膜;当Zn2+浓度为0.05mol.L-1、电流密度为2.0mA.cm-2时,可以得到(101)面择优取向生长的ZnO薄膜。根据二维晶核理论,通过分析不同生长条件下的过饱和度及其对ZnO的(002)型和(101)型二维晶核形核活化能的影响,对这一规律进行了解释。可见,通过改变Zn2+浓度和电流密度能够实现阴极电沉积ZnO薄膜的取向可控生长。 相似文献