简单说教就能教育子女吗

有一位学生曾经向我倾诉:感觉现在压力很大,父母对我的期望很高,生活中对我的要求也很严格,不论大事还是小事都对我千叮咛万嘱咐的,有时甚至唠唠叨叨。尤其是在学习方面表现得更为严重。从早到晚不停地告诉我:"现在已经初三了,中考是人生的转折点,编筐织篓     

微/纳米无机颗粒对聚氨酯-环氧树脂基复合材料性能的影响

通过机械搅拌混合法制备了微/纳米无机颗粒改性的聚氨酯-环氧树脂复合材料,研究了颗粒组成和含量对复合材料力学和热稳定性的影响,进而探讨了所得复合材料的强韧化机理.结果表明:相比微米颗粒,纳米颗粒的加入能显著提高复合材料的层间剪切强度和拉伸强度,降低层间剪切模量,同时改变材料的断裂方式.当纳米SiC颗粒的添加量(质量分数)为2%时,所得复合材料的层间剪切强度和拉伸强度分别为44.7 MPa和56.56MPa,相比添加前提高约88%和74%,所得复合材料不同失重率下对应的温度较添加前提高了4~8℃.纳米颗粒弥散强化和钝化银纹扩展是复合材料主要的强韧化机理.     

基于两步退火法提升Al/n~+Ge欧姆接触及Ge n~+/p结二极管性能

锗(Ge)中高激活浓度、低扩散深度的n型掺杂是实现高性能Ge n-MOSFET的重要前提条件.本文采用低温预退火与脉冲激光退火相结合的两步退火法,结合磷离子注入,制备Al/n~+Ge的欧姆接触以及Ge n~+/p结二极管.通过电流-电压特性测试来研究Al/n~+Ge的欧姆接触以及Ge n~+/p结二极管的性能,测试结果表明:低温预退火可初步修复注入损伤,并降低激光退火时杂质的扩散深度;结合离子注入工艺和两步退火工艺,Al/n~+Ge欧姆接触的比接触电阻率降至2.61×10~(-6)Ω·cm~2,Ge n~+/p结二极管在±1V的整流比提高到8.35×10~6,欧姆接触及二极管性能均得到了显著提升.     

Improved performance of Ge n~+/p diode by combining laser annealing and epitaxial Si passivation

A method to improve Ge n~+/p junction diode performance by excimer laser annealing(ELA) and epitaxial Si passivation under a low ion implantation dose is demonstrated. The epitaxial Si passivation layer can unpin the Fermi level of the contact of Al/n-Ge to some extent and reduce the contact resistance. In addition, the fabricated Ge n~+/p junction diode by ELA plus epitaxial Si passivation exhibits a decreased reverse current density and an increased forward current density,resulting in a rectification ratio of about 6.5×10~6 beyond two orders magnitude larger than that by ELA alone. The reduced specific contact resistivity of metal on n-doped germanium and well-behaved germanium n~+/p diode are beneficial for the performance improvement of Ge n-MOSFETs and other opto-electronic devices.     

氧气退火温度对室温脉冲激光沉积氧化镓薄膜特性的影响

高质量氧化镓薄膜的获得是实现高性能氧化镓电子和光电子器件的重要前提条件之一。采用脉冲激光沉积技术,在室温下蓝宝石衬底上沉积氧化镓薄膜,并在氧气氛围下进行不同温度的退火,研究氧化镓薄膜特性的变化规律。结果表明：室温下沉积的氧化镓薄膜为非晶态,随着退火温度的升高,薄膜结晶程度变高,禁带宽度变大;退火前后氧化镓薄膜中都存在两种氧化价态镓,说明薄膜处于晶格氧缺失的状态;随着退火温度的升高,低价态镓比例减少,晶格氧的比例增加,薄膜质量升高;然而,过高的退火温度导致衬底中的铝扩散进入薄膜,薄膜质量变差,室温下生长的薄膜质量较差且与衬底之间的热膨胀系数和晶格失配,导致氧化镓薄膜高温退火时出现开裂的现象。     

高性能SOI基GePIN波导光电探测器的制备及特性研究

本文报道了在SOI衬底上外延高质量单晶Ge薄膜并制备高性能不同尺寸Ge PIN波导光电探测器.通过采用原子力显微镜、X射线衍射、拉曼散射光谱表征外延Ge薄膜的表面形貌、晶体质量以及应变参数,结果显示外延Ge薄膜中存在约0.2%左右的张应变,且表面平整,粗糙度为1.12 nm.此外,通过暗电流、光响应度以及3 dB带宽的测试来研究波导探测器的性能,结果表明尺寸为4μm×20μm波导探测器在-1 V的反向偏压下暗电流密度低至75 mA/cm~2,在1.55μm波长处的响应度为0.58 A/W,在-2 V的反向偏压下的3 dB带宽为5.5 GHz.     

基于多RBF神经网络的汽车衡误差补偿

传统汽车衡称重误差补偿过程繁琐、称重结果准确度低,为此提出了一种基于多径向基函数神经网络(RBFNN)的汽车衡误差补偿方法.根据汽车衡不同检定秤量段的最大允许误差确定多个子RBFNN,每个子RBFNN负责一段秤量范围的误差补偿,建立相应秤量段的称重误差补偿模型,并给出补偿模型的训练算法.将各子RBFNN并联组合,利用自适应选择网络,自动选择合适的子RBFNN,完成不同称重段的最优补偿,从而获得全量程的最佳补偿效果.仿真实验表明,这种多RBFNN补偿方法与由单个RBFNN实现全量程补偿的方法相比,子RBFNN规模小,补偿效果更好.     

深圳笔架山公园兽类资源调查

深圳笔架山公园兽类资源调查结果显示,该公园共有兽类13种,隶属5目、9科、10属.其中食虫类2种,翼手类1重,鳞甲类1种,食肉类3种,啮齿类6种.国家二级保护动物1种,列入中国红皮书中的易危动物1种.7种东洋型种类,约占种类数的54%;2种古北型种类,约占15%;4种广布型种类,约占31%.分析了笔架山兽类生态分布的3种类群,进行了资源评价,从生态功能、水资源、物种多样性等提出了保护管理的建议.     

Influence of sub-bandgap illumination on space charge distribution in CdZnTe detector

The space charge accumulation in CdZnTe crystals seriously affects the performance of high-flux pulse detectors.The influence of sub-bandgap illumination on the space charge distribution and device performance in CdZnTe crystals were studied theoretically by Silvaco TCAD software simulation.The sub-bandgap illumination with a wavelength of 890 nm and intensity of 8×10?8 W/cm2 were used in the simulation to explore the space charge distribution and internal electric field distribution in CdZnTe crystals.The simulation results show that the deep level occupation faction is manipulated by the sub-bandgap illumination,thus space charge concentration can be reduced under the bias voltage of 500 V.A flat electric field distribution is obtained,which significantly improves the charge collection efficiency of the CdZnTe detector.Meanwhile,premised on the high resistivity of CdZnTe crystal,the space charge concentration in the crystal can be further reduced with the wavelength of 850 nm and intensity of 1×10?7 W/cm2 illumination.The electric field distribution is flatter and the carrier collection efficiency of the device can be improved more effectively.     

高速带通型△∑AD转换电路设计

采用欠采样技术和低功耗Gm-C带通振荡电路技术,实现了一种4阶连续时间高速带通型△∑AD转换电路的低功耗化设计.通过TSMC 180 nm CMOS工艺的SPICE仿真,在信号中心频率2.4 GHz、工作带宽2 MHz、采样频率3.2 GHz条件下,实现了信噪失真比（SNDR）为50 dB,电源电压1.8 V时核心电路功耗为50 mW.