排序方式: 共有8条查询结果,搜索用时 7 毫秒
1
1.
利用射频磁控溅射方法以纯金属钛做靶材在氩氧混合气
体中制备了TiO2薄膜. X射线衍射结果表明, 在NiMnCo合金基底上成功地沉积了 具有金红石、 金红石/锐钛矿和锐钛矿结构的TiO2薄膜, 工作气压从0.2 Pa变 化到2 Pa, TiO2薄膜的结构由金红石相变到锐钛矿相. 低于600 nm时, 厚度对T iO2薄膜结构没有明显影响. 相似文献
2.
偶然拜读了贵刊在2006年第5期中刊登的文章《哈密顿和哈密顿力学》后颇有感触,该文谈及了哈密顿动力学的优越性问题,为了能够让读者更为全面清楚地了解这一问题,本文将哈密顿动力学与拉格朗日动力学进行比较再进一步做一些补充和总结。 相似文献
3.
利用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波方法,结合广义梯度近似,对full-Heusler X2YGa(X=Co,Fe,Ni;Y=V,Cr,Mn)合金的电子结构、磁性及半金属特性进行了研究,并讨论了自旋-轨道耦合作用对它们的影响.计算结果表明,自旋-轨道耦合作用对full-Heusler X2YGa(X=Co,Fe,Ni;Y=V,Cr,Mn)合金的电子结构,磁性与半金属特性的影响很小. 当未考虑自旋-轨道耦合作用时,Co2VGa,Co2CrGa,和Fe2CrGa合金为半金属或准半金属铁磁体,加入自旋-轨道耦合作用后体系的自旋极化率将降低1%左右, 它们依然保持很高的自旋极化率.Fe2MnGa,Co2MnGa,Ni2CrGa和Ni2MnGa合金为一般铁磁体,Fe2VGa和Ni2VGa合金为顺磁体.
关键词:
半金属特性
自旋-轨道耦合
Heusler合金
全势线性缀加平面波方法(FLAPW) 相似文献
4.
5.
在不同温度下(200~ 800 ℃) 将高功率准分子激光溅射方法沉积的类金刚石膜进行退火实验. 利用Raman和XPS光谱分析类金刚石膜在退火过程中的化学键合结构变化. 结果表明, 类金刚石膜是由少量的sp2 C键和大量的sp3 C键组成的非晶态碳膜. 在退火温度小于600 ℃范围内, 类金刚石膜的热稳 定性较好; 退火温度高于600 ℃时, 类金刚石膜中的sp3 C键逐渐向sp 2 C键转变, 当退火温度升到800 ℃时, 类金刚石膜中sp3 C键含量由 退火前的大约70%下降到40%. 可见, 高温退火能导致类金刚石膜的石墨化趋势. 相似文献
6.
Electronic structures and magnetism of Fe nanowires on Cu(001) and Ag(O01): A first-principles study 下载免费PDF全文
The electronic structures and magnetism of Fe nanowires along the [110] direction on Cu(001) and Ag(001) [Fe(nw)/Cu(001) and Fe(nw)/Ag(001)] are investigated by using the all-electron full-potential linearized augmented plane wave method in the generalized gradient approximation. It is found that the magnetic moment of Fe atom for the Fe(nw)/Cu(001) is 2.99#B, which is slightly smaller than that (3.02μB) for the Fe(nw)/Ag(001) but much larger than that (2.22μB) for the bcc iron. The great enhancement of magnetic moment in the Fe nanowires can be explained by the Fe d-band narrowing and enhancement of the spin-splitting due to a reduction in coordination number, From the calculated spin-polarized layer-projected density of states, it is found that the Fe 3d-states are strongly hybridized with the adjacent Cu 3d-states in the Fe(nw)/Cu(001), and there exists a strong hybridization between the Fe sp-and the adjacent Ag 4d-states in the Fe(nw)/Ag(001). 相似文献
7.
基底偏压对氮化硼薄膜场发射特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用射频磁控溅射方法, 在n型(100)Si(0.008~0.02 Ω·m)基底上沉积了氮化 硼(BN)薄膜. 红外光谱分析表明, BN薄膜结构均为六角BN(h-BN)相. 在超高真空系统中 测量了BN薄膜的场发射特性, 发现BN薄膜的场发射特性与基底偏压关系很大, 阈值电场随基 底偏压的增加先增加后减小. 基底偏压为-140 V时BN薄膜样品场发射特性要好于其他样品, 阈值电场低于8 V/μm. F~N曲线表明, 在外加电场的作用下, 电子隧穿BN薄膜表面势垒发射 到真空. 相似文献
8.
1