M-M型纳米颗粒膜的巨磁电阻效应

探讨了M-M型纳米颗粒膜巨磁电阻效应的物理机制，指出了影响颗粒膜巨磁电阻效应的因素，推导出M-M型纳米颗粒膜巨磁电阻效应的计算公式。     

非磁金属中间层对磁性隧道结磁电阻效应的影响

用自由电子近似方法对具有非磁金属中间层的磁性隧道结的磁电阻进行了研究，从理论上讨论了非磁金属中间层对磁电阻的影响。数值计算结果表明，当外加偏压不同时非磁金属中间层的作用是不同的。在外加电压使电子从非磁金属中间层穿过势垒的情况下，非磁金属中间层的变厚可以增强隧穿磁电阻效应。这一性质可以用于磁性隧道结的优化。     

大学物理教学改革搽讨

本文根据目前大学物理的教学状况，从教学内容、教学理念、教学手段和方法上分析了大学物理教学过程中存在的问题，探讨了对当前存在问题的解决方法。     

M-I型纳米颗粒膜的巨磁电阻效应

介绍了M I型纳米颗粒膜的制备手段和测量方法 ,将M I型纳米颗粒膜分为三个结构区域 ,推导了M I型纳米颗粒膜的巨磁电阻效应的计算公式。     

(FeNiCo)x-(Al2O3)1-x纳米颗粒膜霍尔效应的研究

利用磁控溅射方法制备了不同金属体积分数x的(Fe21Ni79)x-(Al2O3)1-x纳米颗粒膜样品，并对样品的霍尔效应进行了研究，在x=0．48时，样品的饱和霍尔电阻率为4．5μΩ．cm，霍尔电压为450μV。在同样的制备条件下保持x不变，用Co去替代部分Ni得到一系列[Fe21(NimCon)]x-(Al2O3)1-x颗粒膜，测量其霍尔电压，结果发现随着Co含量的增加，霍尔电压增大，当原子比n／m=0．6时，霍尔电压为1125μV。     

电子波导中单个杂质对电流分布的影响

微小器件内杂质原子的存在是影响电流分布的主要因素之一．本文研究了电子波导中单个杂质原子对电流分布的影响．基于薛定谔方程,得到了电子在准一维电子波导中单个杂质所在界面处的精确的相位相干电子输运图像．描绘了电流密度的分布图．发现杂质势为吸引势和排斥势时对电流密度分布的影响是不同的。在杂质势为吸引势时,在杂质原子周围产生了明显的涡流,并且涡流强度随杂质势的强度而变化,但在杂质势为排斥势时涡流并没有出现．涡流出现是量子相干散射造成的,并与衰减模式的存在有重要关系．本文还研究了波导宽度以及杂质原子的位置对电流分布的影响．     

M—I型纳米颗粒膜逾渗阈值的测量及验证

采用磁控溅射法，在玻璃基片上制备了一系列不同Ni79Fe21含量的（Ni79Fe21)x(Al2O3)1-xM-I型纳米颗粒膜。测量并分析了电阻率与体积分数的关系，得出该颗粒膜的体积分数逾渗阈值大约为0.51。分别用4种方法验证了M－I型纳米颗粒膜的逾渗阈值。     

P.G.de Gennes 科学道路的回顾

Ｐ .Ｇ .ｄｅＧｅｎｎｅｓ ,1932年出生于法国巴黎。 195 5年研究生毕业后在Ｓａｃｌａｙ研究中心从事中子散射和超导电性研究。 195 7年获博士学位 ,195 9年在Ｂｅｒｋｅｌｅｙ作为博士后访问学者 ,然后在法国海军服兵役 2年零 3个月。 1961年组成“Ｏｓｒｓａｙ超导组”从事超导电性研究。 1968年转向研究液晶。 1971年 ,他将Ｓｔｒａｓｂｏｕｒｙ大学、Ｓｃｌａｙ研究中心和ＣｏｌｌｅｇｅｄｅＦｒａｎｃｅ从事聚合物研究的科学家组织起来成立“ＳＴＲＡＳＡＣＯＬ”研究组 ,从事高分子聚合物的研究。从 2 0世纪 80年代起 ,ｄｅＧｅｎｎ…     

Ni79Fe21-Al2O3纳米颗粒膜的电、磁性质

采用磁控溅射法在玻璃基片上制备了一系列不同Ni79Fe21含量x的（Ni79Fe21)x(Al2O3)1-x纳米颗粒膜样品。研究了电阻率ρ与体积百分比x的关系，测出了逾渗阈值xρ，并对样品的巨磁电阻效应和霍尔效应进行了研究。发现存在三个区间：（1）当x＜48％时，在这个区间只有巨磁电阻效应，没有霍尔效应；（2）当48％＜x＜60％时，在这个区间巨磁电阻效应和霍尔效应共存，且随着x的减小而增强；（3）当x＞60％时，在这个区间只有霍尔效应，没有巨磁电阻效应。