三段加热系统对大尺寸MPOF预制棒一步拉伸工艺

采用自行设计的微结构聚合物光纤专用拉丝系统对大尺寸微结构聚合物光纤预制棒的一步拉伸工艺进行了研究.该微结构聚合物光纤加热系统采用三段式梯度加热,可保持炉内温度的控制准确度在±2℃以内.在保持送料速度与牵引速度恒定、协调的条件下,通过对温度场温度梯度控制优化,确定了最佳拉丝温度组合,并得到了直径规格310 μm、标准偏差为±20 μm的较高质量的微结构聚合物光纤.     

大直径磁性液体密封新结构的优化设计

磁性液体密封应用于大轴径的工况下时，环形永磁体作为磁性液体密封的磁源结构，存在因直径过大导致充磁不均匀进而引发的密封耐压能力降低的问题。为解决这一问题，设计了一种轴上永磁体的磁性液体密封结构，该结构的环形永磁体设计在轴上，与传统的磁性液体密封相比减小了环形永磁体的直径，同时减小了结构总体的轴向尺寸，使其具有结构紧凑的特点。通过有限元仿真对环形永磁体的几何参数进行优化，同时对比了新结构在极靴上开极齿和在环形永磁体上开极齿两种方式耐压能力的区别。通过模拟分析得到所设计密封结构磁通密度在极齿上的分布以及大小，并计算出理论耐压能力，证明了所设计密封结构的合理性。     

辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜的研究

介绍了利用辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜,通过优化辉光光源激发参数、计算标准样品的溅射率,建立了掺杂纳米硅薄膜的定量表面分析方法。方法应用于实际掺杂纳米硅薄膜样品的分析,并将分析深度、剖析结果与表面形貌仪的结果进行了对照。试验结果表明,分析方法快速、准确,具有实际应用价值。     

500W固体激光器光束质量的研究

分析了500W脉冲固体激光器输出光束质量差,激光器工作不稳定的原因,运用激光光学的相关理论和分析方法,研究了含热透镜腔动态工作特性。通过热焦距测试实验,得到500W脉冲固体激光器热焦距变化的函数关系,找出500W脉冲固体激光器稳定工作的最佳腔参数和稳定工作区域。     

蓝光445nm/绿光532nm双波段激光物证搜索仪

激光物证搜索仪,可以无损直接发现潜在手印、汗液、精斑、血液等体液和其它隐藏,处理或者覆盖过的证据等,而不用对其进行化学预处理,从而保证其原始信息的真实性、完整性和生物活性。各种波长的激光物证搜索仪中,输出波长445nm的蓝激光和532nm的绿激光物证搜索仪最具有应用价值。设计了基于输出波长445nm/532nm的蓝绿光双波段激光物证搜索仪,系统实现三种波段激光(蓝光、绿光、蓝绿光混合)输出,结合了(蓝光/绿光)分别在物证搜索的优势,扩大了应用范围,提高了现场操作性,具有较大的推广应用价值。     

基于元胞自动机模型的城市土地利用变化模拟

为了研究城市发展带来的城市土地利用空间格局变化,综合运用元胞自动机、多维驱动力分析和情景分析方法,构建了城市土地利用变化模拟系统。建立了宏观、中观和微观3个尺度上的驱动力量化和耦合作用函数。通过识别驱动力变化与城市空间发展特征的关联性,解决了元胞自动机模型参数的时间效应问题。结合情景分析方法,确定城市不同发展情景下的参数取值,进而对未来城市土地利用变化进行了系统模拟。4种预测情景的用地总量分别为220.32km2、253.28km2、231.52km2、310.52km2。研究结果表明:城市土地利用变化受经济增长、空间管制政策等驱动力影响明显,同心圆、组团式发展模式的用地集约水平较高,沿主要对外交通轴线带扩展模式的用地扩张问题较为突出。     

Ag微米管阵列修饰的聚合物光子晶体光纤制备工艺研究

以聚合物光子晶体光纤空气孔阵列为模板,制备了Ag微米管阵列修饰的聚合物光子晶体光纤.讨论了银氨溶液和葡萄糖溶液浓度以及反应时间和温度对银微米管形貌的影响.在Ag(NH3)+2与C6H6O浓度比为2,反应时间为20 min,温度为65℃条件下光纤孔洞表面获得了规则的Ag微米管状结构,并对Ag的生长机理进行了讨论.     

IEC61850标准在变电站自动化中的运用

文章在介绍IEC61850标准的主要内容和技术特点的基础上,重点讨论基于IEC61850标准的变电站通信系统通信方式。     

航空继电器激光焊接系统的研究

采用300W脉冲YAG激光器作为光源,研究开发了航空继电器专用激光焊接系统和焊接工艺。该系统具有性能稳定、精度高、焊接成品率高等特点。仔细探讨了航空继电器外壳与底座密封焊接的工艺特点,通过反复实验,找到了最佳输出功率、脉冲频率、脉冲波形、气体保护等激光焊接工艺参数和方法,提高了焊接质量和焊接成品率。焊接成品表面光滑、气密性高、热影响区小,达到了国外同类产品质量标准,解决了长期以来该类继电器的焊接只能依靠进口设备的问题。     

金属铝诱导法低温制备多晶硅薄膜

以氢气稀释的硅烷(SiH₄)和硼烷(B₂H₆)为气源,利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出p型a-Si薄膜.采用铝诱导晶化技术对不同厚度的铝膜对a-Si薄膜晶化的影响进行了研究.实验中发现,铝膜溅射为10 s的非晶硅薄膜样品在450℃下退火10 min后,p型a-Si结构仍为非晶态,铝膜溅射为20 s的非晶硅薄膜在450℃下退火20 min后,p型a-Si薄膜开始晶化为poly-Si薄膜,并且铝膜厚度越厚,则a-Si薄膜晶化程度越强.