基于光诱导介电泳原理的粒子操纵研究

理论分析了溶液电导率和粒子直径对光诱导介电泳力的影响,针对光诱导介电泳对微球的操纵机理进行建模仿真。设计了光诱导介电泳芯片,通过激发光电导层的光电效应形成虚拟电极,同时施加高频交流电压,实现了对4μm和10μm聚苯乙烯微球的介电泳力操纵。最终微球在负介电泳力的作用下分别以8.8μm/s和35μm/s的速度运动。通过光诱导介电泳实现了对微球的无接触无损伤的操纵。     

鹅掌楸属树种物候观测和杂种家系苗光合日变化

成年掌楸属树种萌动、发芽或展叶期的先后次序依资助为反交杂种、北美鹅掌楸、正交杂种、鹅掌楸，但正交杂种展叶速度快于其它被观测植株。正反交杂种花期持续时间均比双亲的长。杂种和亲本的花期之间有较长交叉时间（14d）。参试4个杂种家系和1个掌楸鹅掌楸家系苗期光合日变化特点有异：回交家系呈现单峰型变化曲线，峰值下降缓慢；正交家系及F1个体间杂交家系出现双峰曲线；鹅掌楸与反交家系均为单峰曲线，且峰值出现后净光合速率下降迅速。其净光合速率由高至低的排序依次为回交家系、正交家系、反交家系、鹅掌楸、F1个体间杂交家系。多数家系的净光合速率与胞间CO2浓度、蒸腾作用、气温、叶温、光合有效辐射等因子密切相关，但不同家系与这些因子相关关系不尽相同。反交杂种表现出成年树具有萌动早、展叶早、开花早、花期持续时间长的特点；苗期净光合速率与胞间CO2浓度相关不显。     

微米级锥形光纤的近场光镊

分别从理论和实验上分析了光纤表面倏逝场强度的分布(z=10 nm, 100 nm, 500 nm,1 000 nm),研究了微米级光纤光镊对微球的操纵。实验中把直径为125 m的普通单模光纤拉制成锥腰直径为2 m的锥形光纤。当光纤通光时,在光纤锥区倏逝场的作用下,直径3 m的聚苯乙烯微球保持平衡状态,并且光纤附近的微球被吸引到光纤表面,以5.3 m /s的速度沿着光束的传播方向运动。这个实验不仅实现了对微球的成功捕获,而且验证了光纤光镊的力学作用。光纤光镊对微球的无接触、无损伤操纵,将在生物传感领域有潜在的应用。     

400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文)

利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为20%的10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层。带有高浓度Al电子阻挡层的紫光LED的光输出功率高于低浓度Al电子阻挡层的紫光LED。带有10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的紫光LED的光输出功率获得了极大的提高,在20 mA注入电流时测试得到的光输出功率为21 mW。此外,该LED同时显示了在高注入电流下接近线性的I-L特性曲线和在LED芯片表面均匀的发光强度分布。     

衬底弯曲度对GaN基LED芯片性能的影响

利用低压MOCVD系统在弯曲度值不同的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED外延结构并制作芯片。测量了芯片的主要电学和光学参数,并分析了衬底弯曲度值对芯片性能的影响。分析结果表明:存在弯曲度的衬底预先弛豫了外延层中的部分应力,改善了外延层的质量,从而提高了LED芯片的性能。随着衬底弯曲度值的逐渐增加,下层GaN对有源层中InGaN材料的压应力作用不断减小,导致芯片的主波长逐渐发生蓝移。     

低温插入层对绿光LED的发光影响(英文)

利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上外延生长了具有低温插入层结构的绿光LED,研究了具有插入层结构的LED的发光特性。插入层的引入增加了In在量子阱中的并入,并且引起了波长红移。经过分析,认为是In的相分离和极化场带来的红移,且恶化了器件的性能。     

Enhanced Output Power of Near-Ultraviolet Light-Emitting Diodes by p-GaN Micro-Rods

Near-ultraviolet （UV） InGaN/AIGaN light-emitting diodes （LEDs） are grown by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition. The scanning electronic microscope image shows that the p-OaN micro-rods are formed above the interface of p-A1GaN//p-OaN due to the rapid growth rate of p-OaN in the vertical direction. The p-OaN micro-rods greatly increase the escape probability of photons inside the LED structure. Electrolumi- nescence intensities of the 372nm UV LED lamps with p-OaN micro rods are 88% higher than those of the i/at surface LED samples.