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图书馆业务辅导工作必须着眼未来,寻求到自己准确的角色定位:人才培训中心;新技术推广中心;理论研究中心;协作协调中心;读书活动中心。 相似文献
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在吸收已有研究成果的基础上,从城市综合经济实力、结构优化程度、开放程度、基础设施及人民福利、人才及科技实力和环境质量六个方面构建了城市竞争力评价指标体系,采用主成分分析法,对中部六省省会城市竞争力进行了综合评价,结果表明,武汉综合得分最高,太原最低.文章最后对提升中部省会城市竞争力提出了一些建议和对策. 相似文献
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随着列车速度的不断提升,列车由明线驶入隧道所引发的微气压波问题变得日益突出,有关研究表明:组合型式缓冲结构较单一型式缓冲结构能更好的缓解微气压波的影响,为了进一步减缓微气压波对隧道周边环境的影响,本文提出了台阶开孔式组合型缓冲结构。基于 两方程紊流模型,运用数值模拟的方法,从开孔距离、开孔率、开孔数量、开孔位置四个方面进行研究,对列车驶入隧道所引起的初始压缩波压力和压力梯度值进行具体分析,得出优化设计参数。台阶开孔式缓冲结构对初始压缩波压力最大值的影响较小,最大压力值差值保持在10Pa内,但对初始压缩波压力梯度值影响较大。当开孔距离为4m、开孔率α为36%、开孔数量为2孔、开孔位置为顶部开孔时,为最优工况,对压力梯度的减缓效果达到了60.14%。 相似文献
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煤电化学气化相对于传统的煤气化具有反应条件温和、工艺简单以及环境友好等诸多优点,但由于煤结构与成分的复杂性,导致煤电化学气化的研究多年来一直未有较大进展。以活性炭代替煤,在不同工艺条件下研究了活性炭电化学气化的过程中电流随时间的变化以及阳极气体成分与含量。研究结果表明:活性炭电化学气化过程中,阳极的气体产物主要为CO_2,其中含有少量的CO,两者的比例相差1~2个数量级;随着温度、电解电位以及活性炭浓度的提高,活性炭电化学气化反应的电流和气体产量均增加,最佳硫酸浓度为1 mol/L. 相似文献
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Two novel fluorinated acrylate monomers 4a and 4b containing perfluorohexyl group were designed and synthesized starting from 4-allylanisole and perfluorohexyl iodide.The monomers 4a and 4b were then copolymerized with octadecyl acrylate and 2-hydroxyethyl acrylate by emulsion polymerization to give copolymers PFA 1 and PFA 2 respectively.The co-polymers were characterized by FT-IR and their heat stability was measured by TGA.The surface properties of PFA 1 and PFA 2 were studied by applying on cotton fabrics.The treated cotton fabrics showed good water-repellent property,and the contact angles for water reached 142° for PFA 1 and 136° for PFA 2. 相似文献
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电子信息产业在国民经济体系中占据着重要地位,并且是知识、技术、智力密集型的战略高技术产业,产业发展高度依赖技术创新和知识产权的发展,技术创新活跃程度超过其他产业。本文利用国家知识产权局2008年12月31日以前所公开的专利文献对广东省电子信息产业专利申请的现状、特点、趋势以及存在问题等进行了分析,希望能够找出广东省电子信息产业未来发展路径,提高我省电子信息产业的知识产权水平。由于信息技术的外延相当广泛,本文首先从产业的角度,分析广东信息技术专利的整体概况。其次,为了从更深层次的角度去研究广东信息技术的发展态势。还将"信息技术"主要涉及的国际专利分类号(IPC)进行了专门的检索,制作相关专利地图,从而使得本研究更有利于对广东省电子信息产业的知识产权状况做出正确的判断。 相似文献
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The intrinsic stochasticity of resistance switching process is one of the holdblocks for using memristor as a fundamental element in the next-generation nonvolatile memory.However,such a weakness can be used as an asset for generating the random bits,which is valuable in a hardware security system.In this work,a forming-free electronic bipolar Pt/Ti/Ta2O5/Pt memristor is successfully fabricated to investigate the merits of generating random bits in such a device.The resistance switching mechanism of the fabricated device is ascribed to the electric field conducted electrons trapping/de-trapping in the deep-energy-level traps produced by the"oxygen grabbing"process.The stochasticity of the electrons trapping/detrapping governs the random distribution of the set/reset switching voltages of the device,making a single memristor act as a random bit in which the resistance of the device represents information and the applied voltage pulse serves as the triggering signal.The physical implementation of such a random process provides a method of generating the random bits based on memristors in hardware security applications. 相似文献
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