钯纳米粒子的形貌可控合成与催化性能

借助于一种全新的表面活性剂N,N-dimethyloctadecylammonium bromide acetate sodium（OTAB-Na）,成功实现了对小尺寸钯纳米粒子微结构的控制。通过对合成条件的微扰,高度均匀且分散性良好的枝化结构和凹面体结构的钯纳米粒子被成功地制备。催化测试（利用氨硼烷作为氢化试剂来还原4-硝基苯酚为4-胺基苯酚）发现,钯纳米粒子的催化活性与其微观纳米结构相关,其中枝化结构的钯纳米粒子表现出了更为突出的催化性能。     

电喷雾离子化技术制备FeNi(OH)x薄膜及电催化水氧化性能

采用电喷雾离子化沉积技术, 在氟掺杂锡氧化物(FTO)衬底上制备了均匀的无定形铁镍双金属氢氧化物薄膜. 与浸泡法制备的薄膜相比, 该薄膜具有更高的纯度、 更大的比表面积和较高的电催化水氧化性能, 在10 mA/cm ²时的过电位为290 mV, 并在催化反应中表现出良好的稳定性, 为可控合成高催化活性的过渡金属氢氧化物薄膜提供了一种新方法.     

声表面波器件用〈110〉取向ZnO薄膜的MOCVD生长

Zn O是具有纤锌矿晶体结构的多功能半导体材料 ,它具有 3 .3 7e V的禁带宽度和高达 60 me V的激子束缚能 ,是很有希望的紫外发光材料 .由于具有 c轴的择优取向性 ,因此目前人们的注意力主要集中在对 c轴取向 Zn O薄膜的特性研究上 [1～ 3] .但其它取向的 Zn O薄膜也可在某些衬底的特定面上 ,通过特定的条件进行生长 ,如〈1 1 0〉取向的 Zn O薄膜可在特定的条件下生长在蓝宝石 R面衬底上[4～ 7] .由于 (1 1 0 )面的 Zn O薄膜具有一些 c轴取向薄膜所不具备或无法比拟的特性 ,如 :机电耦合系数高达6% (C面薄膜的机电耦合系数却不足 1 % )…     

基于RS232接口的液晶电视自动检测系统

在长春华禹视航现有生产液晶电视机人工手动检测设备基础上,笔者研制开发一种由PC机作为主控机的液晶电视机自动检测系统,并用VB语言编利用检测仪器和PC机的RS232接口进行通讯的通讯软件,实现液晶电视机电、光、声性能的自动检测和管理.     

基于RS232接口的液晶电视自动检测系统

在长春华禹视航现有生产液晶电视机人工手动检测设备基础上,笔者研制开发一种由PC机作为主控机的液晶电视机自动检测系统,并用VB语言编制利用检测仪器和PC机的RS232接口进行通讯的通讯软件,实现液晶电视机电、光、声性能的自动检测和管理。     

Ni（OH）2和NiO电极材料的原位制备与性能的研究

采用原位水热生长法在泡沫镍基底上制备了β-Ni(OH)2纳米盘并通过煅烧获得NiO,均可以直接作为工作电极。利用XRD和SEM对样品进行了表征,并进行了电化学性能测试,结果表明我们所制备的Ni(OH)2电极在2 M KOH溶液中2.5 A/g的放电电流密度下,比容量达1495 F/g,通过煅烧得到的NiO,同样可以作为电极材料。     

钯纳米粒子的形貌可控合成与催化性能

借助于一种全新的表面活性剂N,N-dimethyloctadecylammonium bromide acetate sodium（OTAB-Na）,成功实现了对小尺寸钯纳米粒子微结构的控制。通过对合成条件的微扰,高度均匀且分散性良好的枝化结构和凹面体结构的钯纳米粒子被成功地制备。催化测试（利用氨硼烷作为氢化试剂来还原4-硝基苯酚为4-胺基苯酚）发现,钯纳米粒子的催化活性与其微观纳米结构相关,其中枝化结构的钯纳米粒子表现出了更为突出的催化性能。     

化学水浴法制备Ni（OH）2纳米结构及电化学性能研究

采用化学水浴法通过简单的合成体系制备了β-Ni(OH)2纳米盘,并直接获得工作电极.利用XRD和SEM对产品进行了表征,并进行了电化学性能测试,结果表明所制备的Ni(OH)2电极在2mol/L KOH溶液中2.5A/g的放电电流密度下,比容量达1 679F/g.     

Electrically Pumped Ultraviolet Random Lasing from p-ZnO：As Based on p-ZnO/N-GaN Heterojunction

p-ZnO：As is prepared by the GaAs interlayer doping method. The potential applications of p-ZnO：As are evaluated by applying it into the construction of a p-ZnO/n-GaN heterojunction, though its hall, electrochemical capacitance-voltage and photoluminescence results show a hole concentration at the level of -10^17 cm-3 and a good optical quality. Ultraviolet random lasing is detected from the studied device under forward bias. Specific lasing modes are confirmed to originate from p-ZnO：As by further introducing the p-ZnO/MgO/n-GaN het- erostructure. The resulting random lasing phenomena demonstrate the promising prospects in device application of p-ZnO：As fabricated by using our methods.     

模糊自整定PID算法在应力速度控制系统设计中的应用

选用高斯函数作为模糊子集E,ΔE,U隶属度函数,确定了模糊控制规则。设计出的基于模糊自整定PID的控制器在研制的材料测试机集成数据采集及控制系统的应力速度控制系统中进行了应用验证。验证结果表明,应力速度控制得到实现,且集成度高、稳定性好。