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用激光光解-激光诱导荧光方法研究了室温下(T=293K)HCF(X%A′)自由基与SO2分子的反应动力学.实验中1HCF(X%A′)自由基是由213nm激光光解HCFBr2产生的,用激光诱导荧光(LIF)检测HCF(X%A′)自由基的相对浓度随着11反应时间的变化,得到此反应的二级反应速率常数为:k=(1.81±0.15)×10-12cm3?molecule-1?s-1,体系总压为1862Pa.高精度理论计算表明,HCF(X%A′)和SO2分子反应的机理是典型的加成-消除反应.我们运用RRKM-TST理论计算了1此二级反应速率常数的温度效应和压力效应,计算结果和室温下测定的二级反应速率常数符合得较好. 相似文献
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介绍一种新型的用于手语识别的数据手套,这种数据手套与当今广泛应用的CyberGlove型号的数据手套相比,增加了新型的接触传感器,有效地利用了汉语手语中大量的接触信息,具有价格便宜、更适合中国手语的特点和识别精确度高等优点,将之种数据手套应用于新型汉语手语识别系统,与视觉部分相结合,可以更准确地识别汉语手语词汇。 相似文献
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采用新的s-过程核合成模型和分叉s-过程反应通道,分别取太阳系重元素丰度,太阳系纯r和s-main分量的重元素丰度作初值,计算了太阳金属丰度3MTP-AGB星表面重元素丰度,结果表明,不同初值得到不同的表面元素丰度分布。 相似文献
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针对柔性作业车间调度问题中多种资源分配的复杂特性,建立了以最小完工时间、最优人工分配方案、设备最大负荷以及最小生产成本为目标的集成优化模型,并设计了一种具有多重资源约束的多目标集成优化方法;针对组合模型的爆炸性特征,为降低模型的复杂度,采用多规则资源分配的集成调度思想,通过调整规则概率使概率大的规则被优先选中,使用多规则导向机制"推动"搜索过程向指定目标方向移动,并结合动态规划法求解最优人员分配方案;采用改进的非支配排序遗传算法——NSGAⅡ可以获得不同规则概率值的Pareto解集;最后,通过仿真对比与应用验证了所提方法的有效性. 相似文献
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不同振动态的CCl2(A1B1)被醇和酮猝灭的动力学 总被引:2,自引:0,他引:2
对CCl4/Ar进行混合气体直流脉冲放电产生CCl2自由基,再分别用550.56,541.52,532.25,524.31,523.82和523.27nm激光将电子基肽CCl2激励到激发态A^1B1的(0,3,0),(0,4,0),(1,3,0),(0,6,0),(1,4,0)和(2,2,0)振动态,通过检测激发态A^1B1 CCl2的不同振动态的时间分辨荧光信号(呈双指数衰 ),测得室温下A^1B1 CCl2的不同振动态被醇类和酮类分子猝灭的实验结果,用三能级模型分析处理实验数据,获得态分辨速率常数kA和ka值,结果表明,其速率常数与振动态的关系并不明显。 相似文献
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目的 探讨配体白细胞介素17E(IL-17E)在结肠癌中的表达及其与肿瘤分期的相关性.方法 选取100例不同分期的结肠癌患者为观察组,选取同期100例体检健康者作为对照组.两组均于入院当日检测血清IL-17E水平,比较结肠癌组、对照组的血清IL-17E水平,绘制受试者工作特征曲线(ROC),分析血清IL-17E对不同分... 相似文献
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用激光光解-激光诱导荧光方法研究了室温下(T=293 K) HCF(X~1A’)自由基与SO2分子的反应动力学. 实验中HCF(X~1A’)自由基是由213 nm激光光解HCFBr2产生的, 用激光诱导荧光(LIF)检测HCF(X~1A’)自由基的相对浓度随着反应时间的变化, 得到此反应的二级反应速率常数为: k=(1.81±0.15)×10-12 cm3•molecule-1•s-1, 体系总压为1862 Pa. 高精度理论计算表明, HCF(X~1A’)和SO2分子反应的机理是典型的加成-消除反应. 我们运用RRKM-TST理论计算了此二级反应速率常数的温度效应和压力效应, 计算结果和室温下测定的二级反应速率常数符合得较好. 相似文献
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Cubic boron nitride (c-BN) thin films are deposited on p-type Si wafers using radio frequency (RF) sputtering and then doped by implanting S ions. The implantation energy of the ions is 19 keV, and the implantation dose is between 10 15 ions/cm 2 and 10 16 ions/cm 2 . The doped c-BN thin films are then annealed at a temperature between 400°C and 800 C. The results show that the surface resistivity of doped and annealed c-BN thin films is lowered by two to three orders, and the activation energy of c-BN thin films is 0.18 eV. 相似文献
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