基础知识教育与创新意识的培养——实施《理工科非物理类专业大学物理课程教学基本要求》体会之二

在培养学生创新意识的同时,更应重视对学生基础知识的教育,任何一个创造性观点或理论的产生都建立在长期大量的知识积累的基础上.     

PdCuSi非晶合金晶化过程的相变及电子结构的研究

报道了用ＤＴＡ和Ｘ射线衍射综合技术研究Ｐｄ－Ｃｕ－Ｓｉ非晶合金体系晶化全过程中的相变观测结果，实验表明，在结晶过程中亚稳态向稳定态转变与前人报道的有明显不同。用ＸＰＳ技术观测了Ｎ－Ｃｕ－Ｓｉ非晶合金体系的诸原子的电子结构变化，表明Ｃｕ，Ｓｉ原子对该体系的晶化相变过程有重要影响。     

基于光声光谱技术的NO,NO2气体分析仪研究

NO, NO₂是大气污染源中的常见气体, 对环境具有严重的危害性. 为检测污染源中这两种气体的浓度, 构建了成本较低的基于红外热辐射光源的光声光谱气体检测系统. 分析计算得到了NO, NO₂ 在2500–6667 nm波段吸收谱线. 通过建立光声传输线RLC振荡电路模型和仿真得到品质因数、声压大小与谐振腔长、内腔半径以及调制频率的关系, 据此设计了光声池几何结构. 实验表明该系统所测得的光声信号与气体浓度有很好的线性关系, 并且对NO, NO₂气体极限检测灵敏度分别达到4.01 和1.07 μL. 通过调节激光发射波长和选取滤波片, 该系统还可用于其他微量气体的浓度检测. 关键词： 大气污染 光声光谱 气体检测     

CN_x薄膜的制备及电子结构

采用反应溅射方法制备了氮化碳薄膜,研究了反应气体压力、溅射功率对薄膜形成的影响,并用Ｘ射线电子能谱（ＸＰＳ） 和富里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）对样品的电子结构进行了分析．结果表明：反应气体Ｎ２ 的压力太高或太低、溅射功率太大或太小,均不利于氮化碳膜的形成;在Ｎ２ 压力为８ Ｐａ、溅射功率为２００ Ｗ 时,薄膜的氮原子数分数得到最大值４１％ ;ＸＰＳ和ＦＴＩＲ分析结果揭示了膜中没有自由的Ｎ原子,所有的Ｎ原子均与Ｃ原子作用形成化学键,而且Ｃ Ｎ 单键、Ｃ Ｎ 双键、Ｃ Ｎ 三键共存．膜中Ｃ Ｈ 和Ｎ Ｈ 振动模式的存在,说明沉积在Ｓｉ 衬底上的氮化碳薄膜有较强的从空气中吸收氢的能力．     

氧分压对TiO2薄膜微观结构与光吸收性能的影响

采用直流磁控溅射法在不同氧分压下制备TiO2薄膜;研究氧分压对TiO2薄膜的表面形貌、晶体结构、化学组分及光吸收性能的影响.研究结果表明Ti在所有样品中均以 4价态存在;随着氧分压的增大,TiO2薄膜颗粒逐渐变大,薄膜的结晶质量随着氧分压的增大逐渐提高;在吸收光谱中,300 nm 附近的紫外吸收峰随着氧分压的增大而减弱,在330～465 nm 范围内出现1 个吸收谷,且该吸收谷随着氧分压的增大而减小,当氧分压达到0.8 Pa时,吸收谷基本消失.     

N掺杂对非晶C薄膜的电子结构与光学性质的影响

用直流磁控溅射法制备了非晶C薄膜及N掺杂非晶C(a-C∶N)薄膜,用紫外-可见分光光谱仪、椭圆偏振仪、俄歇电子能谱(AES)等对薄膜进行了检测。结果表明：随源气体中N气含量的增加,透过率和折射率变小, 而光学带隙先增大后减小; 当薄膜中N的含量很少,N的掺入对sp3杂化C起稳定作用,使得薄膜光学带隙E_g增大。而较高量N的掺入抑制了sp3杂化C的形成,提高了薄膜中sp2键含量,使得薄膜光学带隙变小。参数D定义为俄歇电子能谱(AES)中最大正峰和最低负峰之间的距离,用俄歇电子能谱中的D值来计算薄膜的sp2键的百分含量,俄歇电子能谱(AES)表征也表明：较高量的N的掺入抑制了sp3杂化C的形成。所以应该考虑在较低N分压条件下掺N来改善非晶C薄膜的光学性能。     

电场对极性半导体表面（或界面）极化子行为的影响

采用电子动量和坐标的线性组合算符方法对电场中的极性半导体表面（或界面）极化子行为进行了研究。当电场较弱时（１０４Ｖ／ｍ以下），表面（或界面）极化子的基态能量和有效质量随电场增加而线性地减小，但其影响甚小，在中等强度的电场下（１０４～１０５Ｖ／ｍ），电子－声子间的耦合逐渐减弱，电子－电场相互作用逐渐增强，体现在表面（或界面）极化子的基态能量和有效质量更加明显地减小。当电场高于某一极限电场时，电子成为准自由电子。     

(Fe Cr)_(83)B_(17)非晶合金结构及其晶化相变的研究

本文用DTA和X射线衍射技术,研究了(FeCr)_(83)B_(17)非晶合金晶化相变全过程。说明该非晶体系的晶化相变过程中,原子键力是晶化相变的驱动力。从“t-x”关系表明,在我们实验条件下(x=5％,15％,25％),高熔点的Cr含量(x)增大所引起晶化峰位向高温方向增大值具有良好的线性关系。实验指出,(Fe_(1-x)Cr_x)_(83)B_(17)非晶合金淬火态的结构单元是Fe_3B局域9原子多面体结构的原子团。     

An Electroluminescence Delay Time Model of Bilayer Organic Light-Emitting Diodes

Based on the mechanism of injection, transport and recombination of the charge carriers, we develop a model to calculate the delay time of electroluminescence （EL） from bilayer organic light emitting diodes. The effect of injection, transport and recombination processes on the EL delay time is discussed, and the relationship between the internal interface barrier and the recombination time is revealed. ＂]~he results show that the EL delay time is dominated by the recombination process at lower applied voltage and by the transport process at higher applied voltage. When the internal interface barrier varies from 0.15 eV to 0.3 eV, the recombination delay time increases rapidly~ while the internal interface barrier exceeds about 0.3eV~ the dependence of the recombination delay time on applied voltage is almost undiversified, which may serve as a guideline for designing of a high-speed EL response device.     

光声池中微弱光声信号检测

大气中的污染源气体含量很少, 用光声光谱对其进行监测得到的光声信号极其微弱. 本文首先分析微弱信号产生机理, 在分析Holmes Duffing方程的基础上, 提出了适合光声池微弱信号检测的变尺度差分方法. 该方法通过对信号进行尺度变换, 再做差分来检测微弱信号. 理论分析和实验表明, 变尺度差分方法能很好地抑制系统相空间的共模噪声, 而且能很好地凸显混沌状态临界值. 变尺度差分方法测出的信号相对误差都小于5%, 说明其可以用于较高频率、 相位和频率都未知的微弱光声信号幅值检测. 关键词： 光声光谱 微弱信号 幅值 Duffing