CsI/Ni薄膜系统的化学深度剖面分布

利用XPS研究了CsI/Ni薄膜系统的深度剖面分布,研究结果指出:CsI膜在20～200℃的温度范围内是热稳定的,而且CsI膜厚度随烘烤温度增加而增加。由于Ni扩散至CsI层内,CsI/Ni紫外光电阴极长波阈向长波延伸。     

GaAs表面经UV/O_3处理后的XPS分析

UV/O_3是去除半导体表面碳氢化合物的有效方法之一。该文利用X光电子能谱仪讨论了GaAs经UV/O_3处理的表面化学状态,得知表面氧化物为Ga_2O_3、As_2O_3及As_2O_5,且其氧化层厚度,当用UV/O_3处理30 min后大约为9 nm。     

类金刚石碳膜的微结构与光学特性

利用付里叶变换红外(FTIR)光谱仪和X射线激发的CKLL俄歇电子谱的一次微分表征了类金刚石(DLC)膜的微结构。指出在高离子轰击能量和低CH_4压强下,射频等离子体沉积所制得的DLC膜具有好的热稳定性,膜内主要以sp~3 C-C键为主,折射率(红外)、光学带隙几乎为常数。     

尕大阪地区地电化学提取法找隐伏矿床的应用

郭米寺—尕大阪铜多金属矿区位于北祁连成矿带走廊南山铜多金属成矿亚带,中寒武统黑刺沟群为主要的赋矿地层,北西西—南东东向高角度逆冲断裂是区内主要的控矿构造.本文利用地电化学法对郭米寺—尕大阪铜多金属矿区覆盖区进行找矿实验研究,实验结果在已知矿区的剖面上测出了清晰的地电化学异常,表明利用地电化学法在本区寻找隐伏矿是有效的.