中子辐照氢气氛生长硅的红外吸收

用傅里叶变换红外吸收光谱技术测量了中子辐照氢气氛生长区熔硅在1800—2300cm^-1和400—1200cm^-1频段的吸收光谱。给出了较强谱带的退火曲线。与质子注入硅的红外光谱及中子辐照氢气氛生长硅的深能级瞬态谱结果相比较,讨论了相应于一些谱带的硅氢中心的可能结构。 关键词：     

γ射线辐照氢气氛生长硅产生的Si—H中心红外吸收带及其指认

用Fourier变换红外吸收光谱(FT-IR)和深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了γ射线辐照与中子辐照硅,发现γ射线辐照单晶硅中双空位的产生率很低,可以用它帮助鉴别辐照点缺陷。γ射线辐照氢气氛生长硅产生的Si—H中心伸缩振动吸收带数目较中子辐照的为少,只产生了1832,2054和1980cm^-1三条新的谱带。本文讨论了它们的模型并估算了它们的光吸收截面。     

中子辐照含氢硅中的与氢有关的深能级缺陷

利用深能级瞬态谱(简称DLTS),恒温下瞬态电容技术及红外吸收光谱,研究了中子辐照氢气氛中生长的n型区熔硅。相应于间隙氢的红外吸收谱带中子辐照后强度减弱。首次观察到未经退火就出现了能级为E_c=0.20eV的一个新的缺陷——Z中心,由于该中心的能级很接近于A中心,而浓度又较A中心低得多,通过改变中子剂量使费密能级处于A中心以下几个kT处,才能精确地测定Z中心的DLTS峰所在的温度。根据实验判断Z中心很可能是氢与空位的复合物,讨论了它的可能电子结构。 关键词：     

氢气氛生长区熔硅的热处理缺陷及其与辐照缺陷的相互作用

用深能级瞬态谱、红外吸收光谱和少子寿命测量研究了热处理后的氢气氛生长的区熔硅的氢致缺陷及其与辐照缺陷的相互作用。DLTS测得的E_c-0.22eV的电子陷阱相应于500℃—650℃范围热处理生成的氢致缺陷,而在低于500℃和高于650℃范围的热处理时,没有观察到上述电子陷阱,这和少子寿命测量在600℃热处理范围出现极小值是一致的。500℃热处理氢气氛硅经中子辐照后A中心生成率特别低及经辐照后氢气氛硅红外吸收光谱2123cm~(-1)谱带的消失,表明四面体间隙位置的氢原子是俘获空位的很效陷阱之一。     

自适应控制汽车疲劳模拟试验研究

目的在于建立一种新的疲劳模拟时域控制方法。疲劳模拟试验系统本质上是一个自动控制跟踪系统。提出利用最小方差自校正控制器来控制试验台跟踪期望响应信号。在微机上对算法编程,实现了实时控制。用理论算例模拟各种复杂工况验证了算法推导和编程的正确性。最后在Ｔ型梁振动台架上进行试验,可以达到很高模拟精度,满足疲劳模拟试验要求,证明这种方法是实用的。     

汽车道路模拟试验台计算机测控系统的开发

计算机测控系统是汽车道路模拟试验台的关键部分。在研制国产化的汽车道路模拟系统过程中 ,开发了专用的计算机测控系统。分析了道路模拟试验对测控系统的特殊要求 ,构成测控系统时只采用了通用的廉价硬件插卡模块 ,而系统要求的大容量不间断采样与输出、数据输入和输出同步等特殊功能 ,采用复杂的编程用软件方法实现。这种方案构成的系统具有很高的性能价格比 ,从而为降低所研制的道路模拟系统的成本打下了很好的基础。实验证明 ,所开发的测控系统配置合理且能达到很高的精度。     

硅表层扩散杂质在CW-CO_2激光辐照后的电激活特性

本文研究了硅中高温扩散硼和磷样品在CW-CO_2激光作用下薄层电阻、载流子面密度、迁移率和表面薄层(450)载流子浓度的变化。经过激光处理后样品表面一薄层载流子浓度超过了杂质的固溶度极限。通过高温热退火和再次激光辐照研究了“超固溶度”的不稳定性。同时对样品的正面和背面激光辐照对载流子的电激活效果作了比较。     

磁流变半主动悬架控制算法验证平台

为实现对磁流变半主动悬架控制算法快速有效的验证,基于快速原型控制器,设计搭建了控制算法验证平台。1/4车辆悬架系统模型考虑了主销倾角及下摆臂空间角度;悬架安装了加速度及车身高度传感器;使用LMS Test Lab试验测试系统采集分析悬架系统振动状态;快速原型控制器作为开发调试控制算法的载体;通过平台验证试验,介绍了基于此平台开发调试算法的过程,验证了此平台控制过程监控、调试控制算法、量化分析控制效果的功能,表明此平台满足设计目标,可以方便、快捷及有效地开发、调试及验证半主动控制算法。     

深能级瞬态谱仪

一、引言众所周知,如果在半导体中存在着某些杂质或缺陷,相应地在半导体的禁带中就出现一些能级．离开导带底较远或者离开价带顶较远的能级,都称为深能级．深能级的存在对于半导体的电学、光学和热学性质都有深刻的影响．对二极管和晶体管的开关特性与击穿特性,对发光二极管及半导体激光器的量子效率和使用寿命,对发光二极管的发光颜色以及电荷耦合器件的电荷转移效率等方面,深能级杂质和缺陷都有重要的甚至是决定性的影?...     

用低频C-V法测量a-Si:H的隙态密度

非晶态半导体一个重要参数是它的迁移率禁带中的局域态密度．已经发展了多种隙态密度的测量方法,如场效应方法（ＦＥ）［１］、低频Ｃ－Ｖ法［２,３］、ＭＯＳ隧道测量［４,５］以及深能级瞬态谱法（ＤＬＴＳ）等．Ｃ－Ｖ法本是测量单晶半导体材料的有力工具．在非晶态半导体的肖特基势垒二极管的空间电荷区中,电势分布、空间电荷分布等要比单晶半导体复杂得多．已有一些文章作了研究井推导了由Ｃ－Ｖ曲线求态密度的公式［?...