一种新型寡聚噻吩类有机小分子DHOT的合成及其光伏性能

合成一种新型寡聚噻吩类有机小分子2,5-二[5-(4′-辛基-[2,2′-二噻吩]-5-基)-3-己基-1,3,4-噁二唑-2-硫酮]噻吩(DHOT),并将其应用于太阳能电池中。研究结果表明:DHOT具有较好的热稳定性、良好的溶解性能和成膜性能;在薄膜状态下,DHOT的吸收光谱范围为300~600 nm,其最大吸收峰在425 nm处,相应的光学带隙为2.17 e V;用DHOT组装太阳能电池,其结构为ITO/PEDOT:PSS/DHOT:PC71BM/Zr Acac/Al;当DHOT与PC71BM质量比为1:1时,其能量转换效率为1.03%,对应的开路电压为0.84 V,短路电流密度为3.99 m A/cm2,填充因子为30.7%。     

等效电流偶极子(ECD)模型在MCG场源定位中的应用

等效电流偶极子(ECD)模型具有简要明确性，已经在心磁图(MCG)的逆问题中，如确定WPW综合症、心脏异常搏动根源、心律失常等方面，得到广泛应用．在多通道体表电势图(BSPM)的测量中也应用ECD．本文讨论用ECD的定位方法，临床研究仿真对ECD获得结果的描述，造影与动物研究和体导体模型的影响．     

《组合数学》教学指导

本文主要从组合数学的研究方法及主要内容来介绍组合数学的主要知识点。它包括排列组合的基本计数方法，组合恒等式的证明技巧中常用的公式及其技巧，母函数求特殊容量限制的排列和组合问题，以及利用间接方法来求解计数问题的容斥原理，解决特殊计数的整数分拆，以及如何建立递归关系，用递归关系求母函数的方法，解决存在问题的鸽巢原理及Ramsey的问题，还有集合上等价类计数问题的Polya计数定理应用。     

西瓜嫁接试验初报

西瓜枯萎病是西瓜生产中的一大病害 ,多发生在果实膨大期至采收前。植株萎蔫枯死 ,严重影响西瓜产量、质量 ,甚至造成绝收。据我们 2 0 0 0～ 2 0 0 1年调查 ,兰州青白石砂田栽培的西瓜枯萎病平均发病率为 15～ 2 7% ,最高达 42 .3% ;兰州红古区节能日光温室栽培中 ,重茬地发病率达 17.5～ 2 2 .0 % ,三茬地达 2 0 %以上 ,最高达 31.5 %。目前推广的西瓜品种尚无对枯萎病有免疫者 ,仅是被害程度轻重而已。化学药剂虽推出不少 ,但效果均不理想 ,至今尚无特效药剂。轮作倒茬栽培是经济有效的办法 ,但由于枯萎病能在土壤中存活十年以上 ,因此轮…     

让学生进入真实的情境，提高医德教育的效果

近年来人们一直对医德教育实效低的原因进行反思,医学院校更是如此。结合当前医德教育的现状,在总结众多原因的基础上,本文认为应把医德教育过程放在真实的情境、冲突下进行,这是提高医德教育效果的关键所在。同时,本文也提出了一些具体的办法。     

以信息化为支撑促进制造企业转型与创新

面对全球化的国际竞争,中国制造业面临着前所未有的挑战和机遇。中国企业能不能更快地提升创新能力,提高产品质     

La-phen-邻苯二甲酸混配化合物与DNA作用的共振光散射光谱及分析应用

本文研究了镧的混配物LaL1L2·3H2O(L1为邻苯二甲酸,L2为邻菲咯啉)与DNA作用的共振光散射光谱。加入DNA后,在pH6.5～7.5的范围内,LaL1L2·3H2O在DNA分子表面发生长距离自组装,在470nm处产生了增强的共振光散射峰,其发光强度与DNA的浓度成线性关系。该方法的线性范围为23～1870ng·mL-1,检出限(3σ)为23ng·mL-1,可用于测定纳克级的DNA。     

掺杂稀土元素对细晶BaTiO_3系统耐压及介电性能的影响

研究了稀土元素Ho2O3和Er2O3掺杂BaTiO3基瓷料,其在BaTiO3系晶粒中可抑制晶粒生长,使晶粒尺寸变小,体密度增高,呈现细晶效应,ε峰在整个温区范围内弥散,提高室温下介电常数,减小容量变化率。本系统中三价稀土氧化物Ho2O3和Er2O3等物质同时加入到BaTiO3陶瓷中后,稀土氧化物没有全部进入晶格内部发生取代,其中的一部分与其他添加剂形成一些非铁电相,提高耐压;另一部分留在晶界处,成为晶粒抑制剂,使得晶粒细小,瓷体致密,提高陶瓷的耐压。     

钴(II)与色氨酸极谱催化前波的研究

对钴(II)离子与色氨酸在H~3BO~3-NaOH(pH=9)缓冲底液中的极谱催化前波进行了形成条件、吸附性能和电极还原过程的研究。     

掺杂稀土元素对细晶BaTiO3系统耐压及介电性能的影响

研究了稀土元素Ho2O3和Er2O3掺杂BaTiO2基瓷料，其在BaTiO2系品粒中可抑制晶粒生长，使晶粒尺寸变小，体密度增高，呈现细晶效应，ε峰在整个温区范围内弥散，提高室温下介电常数，减小容量变化率。本系统中三价稀土氧化物Ho2O3和Er2O3等物质同时加入到BaTiO2陶瓷中后，稀土氧化物没有全部进入晶格内部发生取代，其中的一部分与其他添加剂形成一些非铁电相，提高耐压；另一部分留在晶界处，成为晶粒抑制剂，使得晶粒细小，瓷体致密，提高陶瓷的耐压。