首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   10篇
  免费   2篇
  国内免费   1篇
化学   1篇
晶体学   2篇
数学   1篇
物理学   4篇
综合类   5篇
  2021年   1篇
  2020年   1篇
  2010年   1篇
  2003年   4篇
  2000年   2篇
  1999年   1篇
  1996年   1篇
  1989年   1篇
  1983年   1篇
排序方式: 共有13条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
本文介绍了以36°Y切铌酸锂为换能器,以熔石英为声光互作用介质,驱动频率为389。5MHz的声光调制器的设计;计算并选定了换能器的各镀层厚度,研制成了用于激光腔内的中心频率389.5MHz声光脉冲调制器;叙述了该器件在同步泵浦染料激光器腔倒空技术中的应用。实验表明,当驱动平均功率约0.2W时,用该器件所实现的激光腔倒空的倒空比约40%。  相似文献   
2.
在分析国内外铁路运输态势推演系统研究现状的基础上,提出了铁路运输态势推演系统(Railway Transportation Situation Deducing System,RTSDS)架构,探讨了 铁路运输生产关键数据实时采集和融合、铁路日常运输综合态势感知指标构建及评价、基于大数据的运输日常生产态势演化及预警等关键技术,初步开发了基于实时大数据的铁路货运日常运输生产总体态势推演原型系统,为进一步研发实际生产系统,更精准掌控运输生产演化规律和预见可能出现问题,提升调度生产管理水平和运输效益提供技术支撑.  相似文献   
3.
4.
茂钠制备新方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
以氢氧化钠(代替金属)和环戊二烯为原料制备了茂钠。着重研究了反应物配比,温度及固体NaOH的颗粒粒径对反应速度和产物收率的影响规律,结果表明,当NaOH/CPD的摩尔比为4/1,粒径在1 ̄2nm,温度为0℃时,产物收率可高达95% ̄97%。  相似文献   
5.
主要考察各类交联剂、偶联剂、钝感剂对炸药配方的爆轰性能、安全性能及力学性能等的影响,初步确定了其使用种类、用量及用法。将选择好的助剂加入到同一炸药配,按热固工艺制成炸药试件,将试件横断面经电镜扫描测试,  相似文献   
6.
调查分析氧化塘处理我市生活污水的效果,初步评价氧化塘运行状况,揭示了氧化塘在运行状况中存在的问题。为改进提高氧化塘处理废水的能力,以及充分发挥利用氧化塘的社会效益,经济效益,环境效益提供了科学依据。  相似文献   
7.
8~12μm长波红外材料ZnS多晶的制备   总被引:2,自引:0,他引:2  
真空热压烧结法是最经济、高效地制备ZnS多晶的方法之一.ZnS多晶的红外透过率是衡量材料品质的重要参数.本文运用TEM、XRD和化学分析方法,研究了原料粉末特性和热压工艺参数对热压ZnS多晶红外透过率的影响,并确定了合理的热压工艺参数.运用该方法制备的ZnS多晶6mm厚的试样,8~12μm波段平均红外透过率为66.7;.  相似文献   
8.
采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺在Pt/TiO2/SiO2/p-Si(100)衬底上制备出Bi4Ti3O12(BIT)和Bi3.25La0.75Ti2.97V0.03O12(BLTV)铁电薄膜,研究了La,V共掺杂对BIT薄膜的晶体结构和电学性能的影响.BIT薄膜为c轴择优取向,BLTV薄膜为随机取向,拉曼光谱分析表明V掺杂降低了TiO6(或VO6)八面体的对称性,也增强了Ti—O键(或V—O键)杂化.BLTV薄膜的剩余极化Pr为25.4μC/cm2,远大于BIT薄膜的9.2μC/cm2,表现出良好的铁电性能.疲劳、漏电流测试显示BLTV薄膜具有优良的抗疲劳特性和漏电流特性,表明La,V共掺杂能有效地降低薄膜中的氧空位.  相似文献   
9.
以TATB为基的炸药配方普遍存在着环境变化时尺寸变化较为显著的问题。因此了解并解决TATB基PBX炸药在应用当中的形稳性问题就显得至关重要。为此,详细研究TATB基PBX药柱在热循环中的尺寸变化规律,分析了不同压药方法、黏结剂性质及TATB的粒径大小等因素对TATB基PBX炸药尺寸稳定性和线膨胀系数的影响规律。  相似文献   
10.
设计质量是产品质量的重要组成部分。如果一个产品的设计质量不高,那就象一个人“先天不足”一样。以往的质量管理工作较多的重视制造质量,而对设计质量没有给以足够的重视。这是目前一些产品质量不高的重要原因之一。提高产品设计质量涉及的问题很多,如何根据试验数据合理地制  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号