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将CoO、NiO、CuO、FeO等多种密着剂引入到搪瓷釉,采用B2O3、TiO2等取代部分 SiO2、Al2O3,研制出搪瓷烧成温度低、密着性能优良的低温搪瓷。通过场发射扫描电镜和能谱仪分析表明,密着性能优良的低温搪瓷界面存在搪瓷釉层与金属铁层相互镶嵌和Fe、Si、Co、Ni、Na、K、O等元素相互扩散的中间过渡层,中间过渡层的存在为低温搪瓷产生优良密着创造条件。 相似文献
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