光电化学刻蚀n^＋—Si光致发光

光电化学刻蚀ｎ＋┐Ｓｉ光致发光①李国铮＊张承乾杨秀梅（山东大学化学系济南２５０１００）对ＰＳ的光致发光（ＰＬ），研究最早见于Ｃａｎｈａｍ１９９０年的报导［１］．高孔率的ＰＳ样品在室温下发出强的可见光，被认为是二维量子尺寸效应所致．这一解释很难从实验上...     

维生素B12修饰电极及其催化氧还原性质的研究

发现给生素Ｂ１２能吸附在经阳极化处理的玻碳电极上，从而制成稳定的维生系Ｂ１２修饰玻碳电极详细研究了此电极的电化学性质。并发现此修饰电极能有效地催化分子氧的二电极还原。     

光电化学刻蚀n^＋—Si的电致发光

ｎ＋－Ｓｉ在ＨＦ水溶液中经光电化学刻蚀形成的微米级多孔硅（ＰＳ）具有较好的电致发光（ＥＬ）性能，其发光光谱的波长范围约在５００～８００ｎｍ之间，阴极ＥＬ的波长和强度均随调制电位可逆变化；在酸性溶液中，发光强度较大，光淬灭过程也较中性溶液为慢．与ｎ－－Ｓｉ的结果类似，ＰＳ的制备电位也决定性地影响着ＥＬ的强度．光淬灭前的伏安行为表明，除Ｓ２Ｏ２－３和Ｈ＋还原外，可能还涉及ＰＳ表面化合物的转化．对能带图进行了讨论．     

n^+-Si在HF溶液中的阳极极化行为和阻抗谱

n^+-Si在0.25～1.0%HF溶液中无光照和光照下的伏安曲线均明显地分为三段:在低极化下呈线性关系, 对应于硅的阳极溶解, 形成多孔硅层(PSL); 在中间电位区, 电极部分表面为硅氧化物所覆盖, 阳极溶解和非均匀电抛光过程同时进行; 在高极化区, 全部表面为硅氧化物所覆盖, 发生均匀的电抛光过程。在上述三个区域中由交流阻抗测得的特征电容环和电感应环的变化, 揭示了由单一阳极溶解逐渐转变为均匀抛光过程的一些细节, 定性地说明了n^+-Si上进行的竞争性反应的速率是随电位而改变, 并受光照影响。     

n型多孔硅的电发光性能及其XPS和LIMA表征

ｎ型多孔硅的电发光性能及其ＸＰＳ和ＬＩＭＡ表征①李国铮＊张承乾张强（山东大学化学系，济南２５０１００）（厦门大学化学系，厦门３６１００５）多孔硅（ＰＳ）的发光性能与其化学组成和结构的关系已为人们所关注．曾有人认为，发光是由于纳米级多孔硅的量子限制效应...     

金属修饰半导体硅组成光电化学电池的研究

本文以n/n^+-Si和p/n^+-Si为基底, 通过铂、镍等金属膜表面修饰后组成光电化学电池, 探讨了金属/n-Si间的Schottky势垒对电池开路光电压的影响。研究了铂膜修饰电极的光电化学性能。用p/n^+-Si电极, 在65mW·cm^-^2的光照射下, 最佳电池的输出参数是: 开路光电压0.530V, 短路光电流47.6mA·cm^-^2, 填充因子0.35, 光电转换效率13.6%, 连续照光75小时, 电池性能基本稳定。     

聚苯胺修饰电极的研究

讨论了用电化学聚合法在铂、玻碳以及在p 型和n 型外延硅电极上生成聚苯胺膜的条件、膜的电活性与其变色性之间的关系。在有铂溅射薄层的n~+/p—Si光阳极上、膜的附着性较牢固、它使光阳极的稳定性得到改进。     

Pt/Ni双层金属膜修饰n~+/n-Si电极的研究

用Pt、Ni或Pt/Ni金属膜修饰n~+/n-Si半导体表面后作为光阳极,在Fe(CN)_6~3-/4-溶液中组成光电化学电池,在最佳操作条件和65mW/cm~2光强时转换效率为7.4％。研究了金属膜的厚度对电池性能的影响。对半导体电极表面进行了X-光电子能谱分析。