镧系超导体中条纹相(stripe phase)的研究评述

镧系超导体中,当掺杂空穴浓度等于1/8时出现的超导反常抑制现象一直是超导研究方面的一个焦点.J.M.Tranquada将La2-XSrXCuO4中出现的动态二唯无公度(incommensurate)自旋关联解释为电荷自旋相互分离的条纹相之后,人们对镧系超导体的电子-电子、电子-晶格、以及磁相互作用进行了系统的研究.但条纹相形成的驱动机制以及条纹相与超导电性的关系等基本问题仍没有得到充分的解释.     

高温超导体YBaCuO光掺杂效应的正电子寿命谱研究

报道了YBaCuO高温超导体进行光掺杂的基本情况,提供了正电子寿命与光掺杂量之间的变化关系,讨论了光掺杂机理,并将实验结果与理论模型进行了对比.     

钆掺杂巨磁阻材料Sr_2FeMoO_6正电子湮没谱

采用固相反应法成功制备了钆掺杂样品Sr2-xGdxFeMoO6(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2).X射线衍射对样品的检测结果表明,在整个掺杂范围内样品单相性很好;利用正电子湮没技术对样品缺陷进行了研究,掺杂使微缺陷复合成大的空位团,导致缺陷尺寸变大;采用标准四引线法测量了样品电阻率随温度变化,反位缺陷、缺陷尺寸及GdFeO3和GdMoO3团簇是影响样品电阻率的重要因素.     

立方晶系极射赤面投影图的计算机模拟

论述了绘制立方晶系极射赤面投影的原理和方法,在分析立方晶系(001)面投影图的基础上,采用Matlab作为编程语言,使用旋转矩阵,实现了立方晶系任意晶面的极射赤面投影图的程序化绘制,所绘投影图与实验室手绘标准图一致.     

Eu替代浓度对Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ体系电子结构和超导电性的影响

利用正电子湮没和X-射线衍射技术,对Eu替代Y位的Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.8,1.0)超导体系进行了系统研究,分析了体系的电子结构和正电子寿命参数的变化特征.给出了超导转变温度Tc与Eu替代浓度x之关联.结果表明:所有Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ样品均保持与YBa2Cu3O7-δ(Y-123)样品相同的单相正交结构;正电子平均寿命τm随Eu替代浓度x的增加而增加,反映了Eu替代Y位引起晶胞结构参量的变化不仅改变了Y位的电子密度,同时也影响了Cu-O链周围的电子密度分布及Cu-O面的层间耦合.     

激光辐照对MgB2超导体电子结构的影响

研究了光辐照对MgB2超导体电子结构的影响。对MgB2超导体进行不同时间的激光照射后,利用正电子湮没技术对光照样品进行了研究,根据正电子寿命谱参数的变化情况,对光辐照后MgB2超导体样品中缺陷及电子结构的变化进行了讨论。实验表明:MgB2超导体中的平均电子浓度对激光的照射十分敏感,并随光照时间的增加而增加。     

La1.6-xNd0.4SrxCuO4超导体的正电子实验研究

用正电子寿命谱研究了La1.6-xNd0.4SrxCuO4(x=0.12,0.15,0.20)和La1.88Sr0.12CuO4,结果表明随着Sr掺杂量的增加,空穴载流子增加,而正电子寿命却减小,分析认为可能是正电子密度分布权重由CuO2面向Nd替代后的La(Nd,Sr)-O层转移的结果.并分析了体系的电子密度ne随Sr掺杂量的变化关系,表明随着Sr掺杂量的增加ne逐渐增大.但对同样Sr含量的La1.88Sr0.12CuO4和La1.48Nd0.4Sr0.12CuO4其ne基本相同,体现出Nd替代La对样品的载流子数目没有明显影响.     

电特性测量程序的设计

介绍了我们在材料电特性测量中,使用VisualBasic6.0编制的电特性自动化测量的程序,电表的控制方法,数据处理方法以及程序的使用方法.     

材料电特性的自动化测量研究

本针对物理学院凝聚态物理实验室采用人工读数测量手段落后的现状，研究了材料电特性的自动化测量方法，实现了材料电特性测量的自动化．     

镧系超导体1/8反常现象的研究

我们测量了La2-xMxCuO4 (LMCO,M=Sr,Ba,x=0.05,0.10,0.125,0.15,0.2)体系的室温正电子寿命谱,研究了正电子湮没机制与超导电性之间的关系.实验结果表明在x=1/8附近电子密度(ne)出现峰值响应,说明在掺杂浓度不断增加的过程中,当x<1/8时,正电子-空穴反关联起决定性的作用,而在x>1/8时,化学掺杂引起的电子损失是决定电子密度的最重要的原因.