磨粒和抛光垫对铝合金化学机械抛光性能

磨粒和抛光垫为化学机械抛光(CMP)提供了重要的机械磨削作用。为了探讨磨粒和抛光垫对铝合金化学机械抛光的磨削作用,研究了不同种类磨粒和抛光垫对材料去除率和表面形貌的影响。结果表明：在pH=12-13时,氧化铝抛光液去除率(MRR)为910nm/min,远大于二氧化硅与氧化铈抛光液,且获得较为理想光滑表面。3种不同抛光垫抛光后的铝合金表面,呢子抛光垫表面将不会出现划痕与腐蚀点,表面粗糙度较低为10.9nm。随着氧化铝浓度的增加,材料去除率(MRR)和表面粗糙度(Ra)均增加。当氧化铝含量为4wt%时,抛光垫使用呢子抛光垫适宜铝合金化学机械抛光,在获得高去除率的同时铝合金表面精度高。     

聚四氟乙烯增强氧化铝胶黏陶瓷涂层腐蚀磨损行为

为了有效改善氧化铝胶黏陶瓷涂层的腐蚀磨损特性及摩擦学性能,将聚四氟乙烯(PTFE)添加到氧化铝胶黏陶瓷涂层中,从而改善其腐蚀磨损特性及摩擦学性能.采用料浆法技术在A4钢基体表面制备了不同PTFE含量的胶黏陶瓷涂层,采用动电位极化曲线及电化学阻抗谱分析技术测试了不同组别胶黏陶瓷涂层耐腐蚀性能,利用材料表面性能综合测试仪分析了不同组别胶黏陶瓷涂层的摩擦学性能,并通过超景深三维显微镜表征了其腐蚀磨损形貌参数.相较于未添加PTFE,添加质量分数为0.2%PTFE的氧化铝胶黏陶瓷涂层耐腐蚀性能最为优异.当陶瓷涂层中PTFE的质量分数为0.2%时,A4钢表面涂层的腐蚀电流密度将从6.611×10^-7 A/cm²降低至6.29×10^-8 A/cm²,同时涂层的腐蚀电位将从2×10^-3 V显著增加到8.9×10^-2 V,主要归结于涂层CBPC2阻碍了O₂及Cl^-渗透,使渗透路径更加曲折,抗电解质渗透能力较强.与此同时,H     

超声波协同作用下非离子表面活性剂对铝合金抛光后清洗的影响

利用静态浸泡清洗和超声波辅助清洗方法,使用非离子表面活性剂辛基苯基聚氧乙烯醚(TX-100)溶液对经过化学机械抛光(浸泡SiO2抛光液)后的7003铝合金试样进行浸泡清洗,利用原子力显微镜观测试样表面的清洗效果,并计算清洗后铝合金的表面粗糙度;通过对比去离子水与TX-100溶液在铝合金表面的接触角,分析了非离子表面活性剂TX-100对铝合金化学机械抛光后清洗中SiO2颗粒的分散性、Zeta电位、表面润湿性及去除率的影响,以及TX-100与超声波协同作用的清洗机制.结果表明:随着TX-100质量分数增加,SiO2的颗粒粒径和Zeta电位均先减小而后增大;当TX-100质量分数为2.0%时,SiO2颗粒的分散性最佳;表面活性剂TX-100能够提高铝合金表面的亲水性;在铝合金的清洗过程中,由于超声波与TX-100的协同作用而使得SiO2颗粒去除率由57%提高到90%,且未出现腐蚀现象;清洗后铝合金的表面粗糙度为2.16nm.     

氮化镓晶片的化学机械抛光工艺

研究了抛光工艺参数对氮化镓(GaN)化学机械抛光(CMP)表面形貌和材料去除率的影响。通过精密分析天平和原子力显微镜对其材料去除率和表面形貌进行分析,采用单因素及正交实验法探究压力、抛光盘转速和氧化剂浓度对GaN材料去除率和表面形貌的影响。结果表明:在下压力为14.1×10~4 Pa、抛光盘转速为75 r/min、H_2O_2浓度为0.8%、SiO_2磨粒为30%、抛光液流量为20 mL/min、抛光时间为15 min的条件下,GaN晶片表面材料去除率最大达到103.98 nm/h,表面粗糙度最低为0.334 nm。可见,在优化后的工艺参数下采用化学机械抛光,可同时获得较高的材料去除率和高质量的GaN表面。