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该文介绍污水除磷工艺的现状及研究动向;着重介绍污水强化生物除磷工艺及其影响因素如碳源、pH值、温度等,并结合此工艺探讨如何实现磷回收;指出实现从污水中去除磷的目的和磷资源的可持续发展的污水除磷和回收磷相结合工艺,应是将来的研究方向。 相似文献
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研究低温生长GaN过渡层（缓冲层）在AP－MOCVD生长GaN材料过程中的作用，探讨了过渡层的生长温度、时间、氮化时间等参数对GaN材料晶体质量的影响，通过对过渡层的特性参数的分析、优化，获得了X射线双晶衍射半峰宽为6’的GaN外延层． 相似文献
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本文报导了用国产常压MOCVD系统生长GaInP材料.研究GaInP的生长特性,用光致发光、扫描电镜、X光双晶衍射对材料进行表征.发现Ⅴ/Ⅲ比对GaInP的光学特性有很大影响.在温度680℃,Ⅴ/Ⅲ比为90的条件下得到Ga0.51In0.49P外延层的光致发光谱的半高宽为26meV,这是目前报导的最好结果.Ga0.51In0.49P的本征载流子浓度为1.1×1015cm-3,晶格失配为4×10-4. 相似文献
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