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合成了5个2,5-二芳基-1,3,4-(口恶)二唑衍生物环金属配合物配体,其化学结构经1H NMR、IR和元素分析得到确证. 利用紫外光谱、荧光光谱、差热分析(DSC)和循环伏安法测试技术分别研究了它们的光谱性能、热性能和电化学性能. 结果表明,该类衍生物在二氯甲烷溶液中的最大紫外吸收波长在268~327 nm范围,在二氯甲烷溶液和固体膜中的最大荧光发射波长分别在332~390 nm和359~439 nm范围;DSC分析结果表明,5个(口恶)二唑衍生物的起始吸热峰位于120~328 ℃之间,其中对称结构的(口恶)二唑衍生物显示了较高的熔融温度;由循环伏安图和相关计算结果表明,5个(口恶)二唑衍生物的还原电位位于-1.03~-0.98 V,其相应的最低非占有分子轨道能级(LUMO)在-3.71~-3.76 eV之间. 相似文献
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合成了一系列新的液晶性芳香羧酸化合物,化合物的结构通过元素分析、红外光谱、核磁共振波谱和质谱等方法确证。化合物5的液晶行为用示差扫描量热法(DSC)和偏光显微镜(POM)表征。发现化合物5加热至各自的熔点以上都能形成液晶态,在液晶态可以观察到向列相的丝状织构和纹影织构,随分子中末端烷氧基碳原子数增加,化合物5的熔点(Tm)和液晶态的清亮点(Ti)呈规律性变化,液晶态温度范围变宽。 相似文献
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方酸作桥联配体的双核铕螯合物的电致发光 总被引:1,自引:1,他引:1
利用方酸作为桥联配体合成了一种双核铕鳌合物Eu_2(DBM)_4(Sq)Phen_2 .用TPD作空穴传输材料、Eu_2(DBM)_4(Sq)Phen_2作发光材料和载流子传输材料、 8-羟基喹啉和铝(AlQ)作电子传输材料,设计了不同电致发光电特性,结果表明 Eu_2(DBM)_4(Sq)phen_2是一种同时具有空穴和电子传输能力的红色电致发光 材料,在器件结构为ITO/TPD,50nm/Eu_2(DBM)_4(Sq)Phen2,20nm/ALQ,50nm/LiF, 1nm/Al,200nm时,获得了在16V,6.9mA下有最大亮度91cd/m~2的电致发光器件. 相似文献
4.
新的图形标准PHIGS具有许多优点。本文对这些特点进行了归纳,并阐明了PHIGS的操作环境和核心结构,最后给出了PHIGS的核心结构在CAD/CAM特征建模中的应用例子。 相似文献
5.
采用PM3系列方法对新合成的10个不对称取代方酸内盐进行了系统研究.计算得到它们的优化几何构型、电荷分布、IR谱及UV谱,并对光谱进行了理论确认.考察了组态数对理论UV谱的影响.结果表明它们都具有刚性平面结构:方酸环为缺电子中心:对前线轨道的能量分析说明这10个衍生物的一价负离子可以稳定存在,随着组态数目的增加,理论UV谱与实验结果的误差呈减小趋势.所有的光谱理论值和实验值的误差在10%左右. 相似文献
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7.
在聚2,7-(9,9-二辛基)芴(PFO)和30%的2-(对联苯基)-5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)主体材料中掺杂短磷光寿命的meso-四(对正葵酰氧基苯基)卟啉铂(TDPPPt),制成聚合物基发光器件。 器件结构为:ITO/PEDOT∶PSS/PVK/PFO+30%PBD∶TDPPPt/Ca/Al(ITO:氧化铟锡;PEDOT:聚3,4-乙撑二氧噻吩;PSS:聚苯乙烯磺酸盐;PVK:聚乙烯基咔唑)。 当客体掺杂浓度≥3%时,器件给出饱和的红色发射。 当驱动电压从7 V升高至14 V时,器件发光色度保持不变,CIE(国际发光照明委员会)色坐标稳定在(0.66,0.28)左右。 器件的最大亮度和电流效率分别为1.390 cd/m2和1.34 cd/A。 在电流密度100×10-3和150×10-3 A/cm2时,电流效率分别为1.18和0.99 cd/A,器件在高电流密度下具有良好的稳定性。 相似文献
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瓜环[n](n=6~8)与盐酸丁咯地尔的相互作用 总被引:3,自引:0,他引:3
利用1HNMR技术、电喷雾质谱、红外光谱及紫外吸收光谱等手段研究了瓜环[n](n=6~8)与盐酸丁咯地尔的相互作用.实验结果表明,盐酸丁咯地尔与3种瓜环具有不同的相互作用,主-客体配合物的作用模式随着瓜环大小的不同而各不相同.其中,瓜环[6]与盐酸丁咯地尔的相互作用非常弱,而瓜环[7]和瓜环[8]则都将盐酸丁咯地尔分子中的吡咯环及其相邻的2个碳全部包结进去,形成了包结比为1:1的对称包结配合物.通过紫外吸收光谱法计算得到瓜环[7]和瓜环[8]与盐酸丁咯地尔分子的包结常数在102~103L/mol范围内,说明瓜环对盐酸丁咯地尔具有潜在的药物缓释作用. 相似文献
9.
根据化学学科硕士研究生培养目标和要求,探讨了化学学科硕士研究生培养工作量化管理的必要性,并以科学发展观为指导,结合研究生培养的各个环节,初步构建了一套化学学科研究生培养工作的量化管理评价体系,从而促进我国化学类研究生培养水平的提高. 相似文献
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