重组pET30a/hsBLyS质粒在BL21(DE3)菌株中的稳定性观察

将构建的含有pET30a/hsBLyS重组质粒的BL21 (DE3)菌种,在含硫酸卡那霉素的平板培养基划线连续传代至 100代 100代次菌种经显微观察,为典型的革兰氏阴性大肠杆菌,生化特性没有改变 提取0、50、100代质粒DNA限制性内切酶切割检查,酶切图谱没有改变,DNA测序未见hsBLyS基因变异 传代前后菌种诱导表达hsBLyS,表达水平和hsBLyS生物学和免疫学活性均无明显差异     

重组pEBOa／hsBLyS质粒在BL11（DE3）菌株中的稳定性观察

将构建的含有pET30a/hsBLyS重组质粒的BL21(DE3)菌种,在含硫酸卡那霉素的平板培养基划线连续传代至100代.100代次菌种经显微观察,为典型的革兰氏阴性大肠杆菌,生化特性没有改变.提取0、50、100代质粒DNA限制性内切酶切割检查,酶切图谱没有改变,DNA测序未见hsBLyS基因变异.传代前后菌种诱导表达hsBLyS,表达水平和hsBLyS生物学和免疫学活性均无明显差异.     

碳纳米管的制备及其在电化学中的应用研究进展

介绍了碳纳米管的制备方法,对碳纳米管在电化学中的应用及其催化机理进行了概述,并对其应用前景进行了展望.     

二氧化钛/碳纳米管复合纳米材料的制备和表征

采用溶胶-凝胶法,以钛酸四丁酯为前驱体,分别制备了二氧化钛/碳纳米管(TjO,2,/CNT)复合纳米膜电极和TiO,2,/CNT复合纳米粉体材料,利用UV-Vis,EIS等方法对复合纳米膜电极进行了表征,利用SEM对TiO,2,/CNT复合纳米粉体材料进行了观察,并测定了该材料对甲基橙光降解的催化活性.结果表明,复合TiO,2,/CNT纳米材料比单独TiO,2,纳米材料具有更高的化学活性.     

基于局部一致性调整算法的犹豫模糊语言决策模型

犹豫模糊语言偏好关系(HFLPRs)适用于信息不完全导致专家做决策时犹豫不决的情况,是帮助专家评价方案的有效工具。在应用HFLPRs进行决策时,其一致性改进过程对于得到准确有效的结果至关重要。因此,设计了HFLPRs乘性一致性改进算法,并构建了新的犹豫模糊语言决策模型。首先,引入了HFLPRs的有关概念以及HFLPRs的规范化方法;其次,为改进HFLPRs的乘性一致性,设计了新的乘性一致HFLPRs构造模型,并建立了乘性一致性改进算法;在该算法基础上,进一步利用HFLA算子构造犹豫模糊语言决策模型;最后,运用决策模型来处理实践中的配送中心选址问题,通过与现有方法的对比分析,验证了模型的合理性和有效性。     

膜厚可调CuS对电极的研制与光伏应用

利用化学浴沉积法在FTO基底上制备了厚度可调CuS对电极(CE).通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计及电化学工作站对CuS对电极的物相结构、微观形貌、光学性质及电化学性能进行了表征.结果表明,在多硫电解液体系中,CuS对电极的电催化活性优于Pt电极;调控沉积周期,可进一步优化CuS对电极表面形貌及电化学性能;CuS对电极最佳沉积周期为6个周期(C),此时电荷转移电阻达到最小值0.67Ω/cm2,与CdSe胶态量子点敏化TiO2光阳极组装的电池,能量转换效率可达2.11;.     

掩埋隧道结的研制及其在1.3μm VCSEL结构中的应用

采用气态源分子束外延（GSMBE）技术在（100）InP衬底上分别了生长了δ掺杂的P^＋ -AllnAs—n^＋ -InP和P^＋ -InP—n^＋ -InP两种隧道结结构,用电化学C—V和I—V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现P^＋ -AllnAs-n^＋ -InP隧道结性能好于P^＋ -InP-n^＋ -InP隧道结。接着在（100）InP衬底上生长了包含P^＋ -AllnAs-n^＋ -InP掩埋隧道结和多量子阱有源层的1．3μm垂直腔面发射激光器（VCSEL）结构,测试得出其开启电压比普通的PIN结VCSEL小,室温下其电致荧光谱波长在1．29μm。     

刻蚀改变InGaN/AIGaN应变多量子阱发光特性

为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AlGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀了约95 nm.通过光致发光(PL)特性表征发现,干法刻蚀后量子阱光致发光强度较未刻蚀量子阱光致发光强度提高了近3倍.干法刻蚀后,量子阱表面呈现高低起伏状形貌,粗糙度提高,出射光在起伏状粗糙形貌表面反复散射,从而逃逸概率增大,有助于光致发光强度增强.理论计算结果得出表面形貌变化引起的量子阱光致发光强度增强因子约为1.3倍.另外,由于所采用的感应耦合等离子体功率较小,刻蚀损伤深度几乎不会达到量子阱阱层,然而干法刻蚀过程中Ar离子隧穿到量子阱阱层内部可能形成新的发光中心,从而使量子阱的发光强度得到提高.     

亚硫酸盐氧化气液反应过程模型研究

亚硫酸盐氧化是湿法烟气脱硫的重要反应过程,本文建立了该反应过程的物理模型,包括氧的相间传质扩散、本征化学反应和亚硫酸根扩散这三个步骤,宏观反应速率由其中最慢的一个步骤来决定,反应分为不同的控制阶段。在双膜理论和质量守恒理论的基础上,建立了稳态单气泡吸收过程的数学模型。在动力学控制阶段,反应速率与气泡的半径呈0阶关系;在...     

Bezoutian矩阵的一致逼近形式

借助闭区间上的连续函数可以用Bernstein 多项式一致逼近这一事实,将多项式对所生成的经典Bezoutian 矩阵和Bernstein Bezoutian 矩阵推广到C [0,1]上函数对所对应的情形,给出了 Bezoutian 矩阵一致逼近形式的定义,并且得到如下结论：给出了经典 Bezoutian 矩阵的 Barnett 型分解公式和三角分解公式的一致逼近形式;提供了经典Bezoutian 矩阵和Bernstein Bezoutian 矩阵的一致逼近形式的两类算法;得到了上述两种矩阵的一致逼近形式中元素间的两个恒等关系式。最后,利用数值实例对恒等关系式进行验证,结果表明两类算法是有效的。