三核铜（I）配合物的合成与荧光光谱

室温下，通过双核配合物[Cu(dppm)(NO3)]2(dppm=双二苯基膦甲烷)与四苯基硼钠在甲醇和二氯甲烷混合溶剂中反应制备了三核铜(I)配合物[Cu3(dppm)3(NO3)(OH)](NO3)，经过红外光谱、热重分析、核磁和ES-MS等现代分析手段表征了配合物的物理化学性质，并进一步研究了配合物在室温下的荧光光谱特征。     

角点特征在目标识别中的应用

针对在视点变化情况下进行目标识别这一问题,作者结合主分量变换提出了一种基于Hausdorff距离的目标匹配算法,该算法在噪声和遮挡下性能稳定,时间代价较小.作者还提出了一种具有平移、旋转、尺度不变性以及对噪声有抗干扰能力的角点特征构造方法,通过BP网络实现目标分类.与其他三种形状特征进行实验对比,结果证明该方法在视点发生变化时对目标的识别更为有效.     

矩量积分的推广及其若干应用

利用q-差分方程方法推广两个矩量积分等式,并利用矩量积分的方法给出了Rogers-Szeg? 多项式、Hahn多项式以及Al-Salam-Carlitz多项式的生成函数.     

一种有效的性能驱动布图算法

提出了一种有效的性能驱动布局和布线算法。算法自始至终考虑互连线延时对芯片时间性能的影响，以优化芯片时间性能为主要布图目标，并兼顾布线均匀和连线总长最短。算法利用选定的单元、互连线延时计算模型以及关键路径识别算法对整个芯片进行动态的延时分析，并由此得出线网（亦称互连线）权重信息以指导迭代改善布局和布线，达到优化芯片时间性能的目的。运行实例表明本算法是正确、有效的。     

面向软件工程的工作流管理系统

结合CMM思想和RUP技术，提出了以RUP定义的软件开发流程作为模板，以工作流管理系统作为支持环境的软件开发过程管理的新思路，介绍了工作流管理系统的模型基础，即集成化的多视图模型P_PROCE，它以过程视图为核心，集成了产品，资源，组织和控制评价视图，给出了建模，仿真和执行有机集成的工作流管理系统体系结构，在解释了以过程建模，系统维护和模型转换接口三部分组成的工作流建模系统的基础上，阐述了以个人工作台和工作流引擎为主构成的工作流执行和仿真机制。     

基于Fourier描述子的唇形分类方法

针对唇读识别中唇形状态的描述问题,提出一种基于Fourier描述子的唇形分类方法.该方法通过迭代演算获得嘴唇的位置与大小,先通过边缘侦测法找出唇形边缘;再由Fourier描述子找出唇形外形的重要特征值,进而表达唇形状态的有效信息;最后将转换出的Fourier描述子经过正规化处理后,输入到人工神经元网络中进行分类.实验结果表明,该方法的唇形分类正确率较高,且耗时较少,为唇读识别中各状态的确定提供了依据.     

基于ARM+FPGA异构平台的目标检测加速模块设计与实现

为解决基于深度学习目标检测模型规模大、在边缘设备上难以部署的问题, 以YOLO目标检测模型为例, 设计实现基于ARM+FPGA异构平台的目标检测加速模块。该系统使用剪枝、量化后的压缩模型, 在FPGA实现神经网络前向推理加速, 在ARM中实现加速器调度。实验结果表明, 部署至Xilinx ZCU102开发板上, 该模块在200 MHz工作频率下, 平均计算性能达到425.8 GOP/s, 推理压缩模型速度达到30.3 fps, 模块功耗为3.56 W, 证明该加速模块具备可配置性。     

棉花密度试验总结

在棉花高产栽培模式方面，选用适宜品种，着眼于提高密度以达到高产、优质、高效的目的，针对六种栽培模式密度的对比，找出适合本地的棉花高产栽培模式及密度。     

早强型聚羧酸系高分子减水剂的合成与应用

以聚乙二醇单甲醚衣康酸酯、聚乙二醇单甲醚甲基丙烯酸酯、N-[4-(磺酰胺)苯基]丙烯酰胺为聚合单体,采用大单体直接共聚法,合成早强型聚羧酸系高分子减水剂.对单体摩尔分数、引发剂用量、反应温度等反应条件进行系统考察,得到最佳合成工艺参数:聚乙二醇单甲醚衣康酸酯、聚乙二醇单甲醚甲基丙烯酸酯、N-[4-(磺酰胺)苯基]丙烯酰胺的摩尔分数分别为35%,35%,30%,引发剂用量为3%(占单体总量),反应温度80℃,反应时间5 h.与传统聚羧酸系高分子减水剂进行对比的实验结果显示,所合成的早强型聚羧酸系高分子减水剂在减水率及抗压强度等方面都有更好的效果.     

一种改进的基于人体静电冲击模型应力的瞬态功率模型

提出一种改进的基于人体静电冲击模型(Human Body Model, HBM)应力的瞬态功率模型。利用HSPICE仿真软件, 模拟MOS管遭受的HBM应力, 得到对应的等效直流电压。HBM电路的预充电电压与MOS管对应的等效直流电压值的散点图表明, 两者保持线性关系, 并通过拉普拉斯变化得到证明。与现有的瞬态功率模型相比, 改进后的模型降低了在HBM应力作用下的计算复杂度, 可以更加简便地从统计学上预测MOS管栅氧击穿的发生, 给HBM冲击作用下MOS管栅氧化层可靠性的评估提供参考。