用短谐振腔结构优化THz电磁波参量振荡器的输出特性

以MgO：LiNbO₃为非线性光学介质，通过采用一种高性能腔反射镜实现了一种85mm短腔长的法布里-珀罗式的光学参量振荡器，产生THz电磁波的实验结果.这种短腔长THz参量振荡器比传统的160mm腔长的振荡阈值降低了22.3％；峰值能量提高了170％；频率调谐范围从0.5—2.4THz提高到0.8—3.1THz.还报道了一种基于平面金属丝网的法布里-珀罗干涉仪测量THz波线宽的实验结果. 关键词： THz电磁波 OPO 非线性光学 3')" href="#">LiNbO₃     

Terahertz generation from Si3N4 covered photoconductive dipole antenna

We observe enhanced terahertz (THz) radiation generated from a Si3N4 film-coated GaAs photoconductive dipole antenna. Compared to an uncoated antenna with identical electrode geometry and optical excitation power, the Si3N4 film-coated antenna has a higher effective DC resistance and larger breakdown voltage. As a result, the peak amplitude of generated THz radiation is significantly enhanced due to the Si3N4 film-coated layer.     

一种旋转式发动机缸体内型腔线建模与创成的研究

旋转式发动机缸体内型腔曲线属“双弧长短幅旋轮线”，在建立数学模型后利用计算机由VB完成其动态创成．可视化程度高，与AutoLISP程序设计结合，可实现缸体的CAD。     

自动变速器控制与实验系统的研制

以日本丰田汽车公司的A340E自动变速器电子控制系统为理论依据,设计和开发了该套实验系统.研制目的在于帮助汽车维修工程技术人员、汽车维修与检测专业的学生学习自动变速器的电子控制系统原理与故障诊断方法,以及用于汽车维修企业的自动变速器的维修调试工作.     

MOVPE生长的InGaN/GaN单量子阱的光致发光和光吸收特性

研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)法在蓝宝石衬底上生长的In组分浓度保持不变的InGaN/GaN单量子阱结构在室温下的发光特性和光吸收特性.实验结果表明,在InGaN厚度<3nm时,随着样品InGaN势阱层宽度的增加(1nm),光致发光(PL)谱的发光峰值波长出现明显的红移33nm现象,而且发光强度下降8%,谱线半峰全宽(FWHM)展宽,通过对样品的透射、反射光谱研究发现,量子阱层窄(1.5nm)的样品在波长接近红外区时出现无吸收的现象,即R+T达到了100%,而在阱层较宽的样品中没有发现这一现象,对引起这些现象的原因进行了讨论.这些结果有助于开发和优化三族氮化物半导体光电器件的进一步研究工作.     

高增益双层组合GaAs光电导开关设计与实验研究

设计制备了一种由双层半绝缘GaAs:EL2晶体组成的新型超快光电导功率开关.由于触发状态下双层GaAs晶体之间满足动态分压关系,使该开关在强电场偏置下触发时,双层GaAs晶体既能先后发生高增益过程,又能相互抑制对方进入锁定状态,开关输出为近似方波的双峰脉冲.因此,这种开关的工作方式既具有非线性模式特有的所需触发光能小、上升速度快等优点,又具有线性模式特有的重复工作频率高、使用寿命长等优点.偏压6500V时用脉宽8ns、能量3mJ的1064nm激光触发,输出电脉冲的上升沿为13.2ns,下降沿为54.6ns 关键词： 光电半导体开关 高增益 锁定效应     

汽车钥匙铣齿机专用数控系统设计

汽车钥匙的实用性、方便性、快捷性、安全性等具有重点的意义。分析现有汽车钥匙的技术含量和安全保障的"通用"现象,指出其原因是数控系统软件的插补问题导致的斜线或圆弧软件插补轨迹的阶梯形不平度问题。设计钥匙铣齿机专用数控系统硬件结构、软件结构及其自动编程系统的实现。系统具有较好的稳定性和较强的抗干扰能力,加工出的钥匙质量明显提高,表面粗糙度达到1.6,尺寸精度达到0.02mm的公差复位。     

激光电离空气的多元过程及其应用

论述了由大功率激光器引发的空气电离多元过程。阐明多光子电离和串级电离在空气激光电离中的地位及空气电离对激光阈值的要求。在此基础上，对激光电离空气在激光致僵武器中的应用和研制激光致僵武器的可行性作出阐述。     

高倍增GaAs光电导开关的设计琚抽

首次报导了采用Ｓｉ３Ｎ４、硅凝胶钝化／保护的微带低电感输出的全固态ＳＩ－ＧａＡｓ高压亚纳秒光电导开关的研究结果，该器件的耐压强度为３５ｋＶ／ｃｍ，具有理想的暗态伏安特性；     

态|ψ5(3)〉q中广义电场的2(2m+1)次方Y压缩特性

利用多模压缩态理论,研究了由多模复共轭相干态|{Z_j^*}〉_q(j =1,2,3,…,…,q)、多模复共轭相干态的相反态|{-Z_j^*}〉_q和多模虚相干态|{iZ_{j}〉q的线性叠加所组成的第Ⅴ类三态叠加多模叠加态光场|ψ5⁽³⁾〉q中广义电场分量的等幂次N次方Y压缩特性 .结果发现 :当压缩次数N=2 p且p=2m+1(m=0,1,2,…,…)时,在一定的条件下,态|ψ5⁽³⁾〉q的广义电场分量(即第二正交相位分量)可呈现出周期性变化的、偶数次的等幂次2(2m+1)次方Y压缩效应 .}