MOCVD反应室温度均匀性的研究

为研究一种有效提高MOCVD反应室温度均匀性的方法,针对自主研发的大型立式MOCVD反应室,建立二维模型,就激励电流对反应室温度均匀性的影响进行了分析。为提高温度均匀性,通过改变不同电参数来观察磁场及石墨盘表面径向温度的变化,发现电参数与加热效率成正比,但是与加热的均匀性成反比关系;在相同功率下,电流频率上升将导致温度均匀性下降。以上关系中反映出的合理的电参数,在保证反应温度的同时,保证了温度均匀性,有利于薄膜生长。     

MOCVD原位监测系统的设计与实现

设计以TSMF32028335和AD7656为核心的数据采集与处理系统,采用以太网芯片W5300实现开发板与上位机的TCP/IP通信.作为监控端的上位机,采用通过Delphi开发的集数据处理、存储、显示与监控于一体的平台,且具有良好的人机交互界面.应用于自主研发的金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)设备,测试结果表明:该设计具有采集数据准确、通信快速稳定、人机界面友好、程序运行流畅的特点,完全符合工程控制要求.