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通过理论计算以及与实验对比,提出了划分HEmn模和EHmn模的新的理论判别条件,即:对第1组解,当Ez与Hz的系数之比等于一sin-为HEmn模,等于时为EHmn模;对第2组解,当Ez与Hz的系数之比等于时为HEmn模,等于一sin-1时为EHmn模,该判别条件与弱导波光纤特征方程有很好的相关性,利用这个判别条件,对比研究了HEN”模和EHmn模的EzHz和横向电场的一些特点,得到了苦干与文献不同的结果。 相似文献
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从放大器实际存在的时域原始噪声模型出发,推导出两个时域等效噪声模型,并由此扩展到频域,得到了相对应的几个功率谱噪声模型,从而系统地给出了双口网络噪声模型理论和一系列实用的计算公式.将这些理论应用到光纤通信接收机前置放大器的噪声计算上,用统一的方法,算出了光接收机BJT和FET前置放大器的等效输入端噪声电压电流功率谱,供光接收机设计使用 相似文献
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用一种简单明了的新方法推导了MOSFET热噪声电流功率谱密度的通用计算公式,据此计算得到了光纤通信接收机中MOSFET热噪声电流功率谱密度为SID=4KTagmsat或4KTγgdohm,其中α和γ是由器件衬底掺杂浓度、栅下氧化层民容大小、漏极电压等参数决定的因子。本文证明了对于光接收机中工作在放大状态的MOSFET,取α=2和γ=2/3能较好地符合实际情况,而现有一些光纤通信文献中取α=2/3则 相似文献
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在分析传统的压控振荡器的基础上,针对微机电系统(microelectromechanical systems,MEMS)可变电容小尺寸、低功耗、高Q值等特点,设计了一种新型的基于高Q值的MEMS可变电容的压控振荡器.通过标准对称式的负阻抗LC振荡电路验证:当调谐电压从0~5V变化时,振荡器频率在2.320~2.430GHz之间呈均匀变化,提高了测量精确性;同时,其宽频带调谐范围从传统的振荡器的2%~3%提高到了4.58%,扩大了使用范围. 相似文献
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考虑到小尺寸MOS(金属-氧化物-半导体)场效应管耗尽区电荷和空间电荷的减少,推导出了小尺寸MOS场效应管弱反型漏极电流的解析表示式,用来描述漏极饱和电流随漏极电压上升而增大的现象,理论与实验符合得较好。本文结果可用于集成电路的计算机模拟设计中。 相似文献
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全面推导出了光纤中4类导波模式的电力线和磁力线解析表达式,其中EHmn模和HEmn模给出了第1,2两组解的结果.同时,讨论了确定电力线和磁力线方向的方法.用计算机绘制了光纤导波模式的场型分布图. 相似文献
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双口网络噪声模型的系统理论及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
从放大器实际存在的时域原始噪声模型出发,推导出两个时域等效噪声模型,并由此扩展到频域,得到了相对应的几个功率谱噪声模型,从而系统地给邮了双口网络噪声模型理论和一系列实用的计算公式。将这些理论应用到光纤通信接收机前置放大器的噪声计算上,用统一的方法,算出了光接收机BJT和FET前置放大器的泖输入端噪声电压电流功率谱,供光接收机设计作用。 相似文献
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用一种简单明了的新方法推导了MOSFET热噪声电流功率谱密度的通用计算公式,据此计算得到了光纤通信接收机中MOSFET热噪声电流功率谱密度为SID=4KTagmsat或4KTrgdohm,其中a和r是由器件衬底掺杂浓度、栅下氧化层电容大小、漏极电压等参数决定的因子.本文证明了对于光接收机中工作在放大状态的MOSFET,取a=2和r=2/3能较好地符合实际情况,而现有一些光纤通信文献中取a=2/3则是不符合实际情况的. 相似文献